CSD86336Q3D 25V、N 通道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET，SON 3mm x 3mm 电源块，20A技术手册

CSD86336Q3D NexFET™ 电源块是针对同步降压应用的优化设计，可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高电流、高效率和高频功能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，提供了一种灵活的解决方案，当与来自外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动器配对时，能够提供高密度电源。
*附件：csd86336q3d.pdf

特性

• 半桥电源块
• 12 A 时系统效率为 93.0%
• 高达 20A 的运行电流
• 高频作（高达 1.5 MHz）
• 高密度 SON 3.3mm × 3.3mm 基底面
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅端子电镀

参数

方框图

1. 概述

• ‌产品系列‌：NexFET Power Block
• ‌型号‌：CSD86336Q3D
• ‌应用‌：适用于同步降压转换器，高频、高电流、低占空比应用，多相同步降压转换器，POL DC-DC转换器，以及IMVP、VRM和VRD应用。

2. 主要特性

• ‌高频操作‌：最高可达1.5MHz。
• ‌高电流能力‌：最高可达20A。
• ‌高效率‌：在12A时系统效率高达93%。
• ‌封装‌：3.3mm × 3.3mm的SON封装，高密度。
• ‌优化‌：针对5V门驱动应用优化，提供高密度的电源供应。

3. 绝对最大额定值

• ‌ 输入电压（V_IN to P_GND） ‌：25V
• ‌ 开关节点电压（V_SW to P_GND） ‌：25V（10ns脉冲）
• ‌ 门极电压（T_G to T_GR, B_G to P_GND） ‌：-8V至+10V
• ‌ 脉冲电流（IDM） ‌：60A
• ‌ 功率耗散（P_D） ‌：6W
• ‌ 工作温度（T_J, T_STG） ‌：-55°C至150°C

4. 推荐操作条件

• ‌ 门极驱动电压（V_GS） ‌：4.5V至8V
• ‌ 输入电压（V_IN） ‌：22V
• ‌ 开关频率（f_SW） ‌：最高1500kHz（C_BST = 0.1μF）
• ‌ 工作温度（T_A） ‌：25°C（除非另有说明）
• ‌操作电流‌：20A

5. 热特性

• ‌ 结到环境的热阻（R_θJA） ‌：最小105°C/W，最大55°C/W
• ‌ 结到外壳的热阻（R_θJC） ‌：顶部17°C/W，P_GND引脚3.2°C/W

6. 功率块性能

• ‌典型功率损失‌：在V_IN = 12V, V_GS = 5V, V_OUT = 1.3V, I_OUT = 15A, f_SW = 500kHz, L_OUT = 950nH, T_J = 25°C条件下为1.8W
• ‌ 输入静态电流（I_QVIN） ‌：10μA

7. 电气特性

• ‌ 控制FET（Q1） ‌和‌ 同步FET（Q2） ‌的详细电气参数，包括漏源电压（BV_DSS）、漏源泄漏电流（I_DSS）、栅源泄漏电流（I_GSS）、栅源阈值电压（V_GS(th)）、有效AC导通阻抗（Z_DS(on)）等。

8. 应用信息

• ‌系统性能‌：强调了在同步降压拓扑中提高转换效率的重要性，并介绍了CSD86336Q3D如何通过最新一代硅技术和优化封装技术实现高性能。
• ‌功率损失曲线‌：提供了功率损失与输出电流的关系图，帮助工程师预测产品在实际应用中的性能。
• ‌安全操作区域（SOA）曲线‌：提供了温度边界指导，确保系统在设计负载电流下的安全操作。

9. 布局建议

• ‌原理图概览‌：推荐了与电源块设备配合使用的关键组件，如旁路电容、自举电容等。
• ‌PCB设计概览‌：提供了电气性能和热性能优化的建议，包括输入电容、电感、驱动IC和输出电容的布局和放置。

10. 包装与订购信息

• ‌封装类型‌：SON 3.3mm × 3.3mm
• ‌订购选项‌：包括13英寸卷带（2500个）和7英寸卷带（250个）