ADRF5142 8GHz至11GHz高功率40W峰值硅SPDT反射开关技术手册

概述
ADRF5142 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (SPDT) 开关。

ADRF5142 的工作频率范围为 8 GHz 至 11 GHz，具有优于 1.2 dB 的典型插入损耗和 40 dB 的典型隔离。对于插入损耗路径，此套件具有 41 dBm 平均功率和 46 dBm 峰值功率 (RF) 的射频 (RF) 输入功率处理能力。

ADRF5142 在 +3.3 V 的正电源上消耗 130 μA 的低电流，在 -3.3 V 的负电源上消耗 500 μA 的低电流。该套件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管到晶体管逻辑 (LVTTL) 的控件。ADRF5142 无需额外的驱动电路，这使其成为基于 GaN 和 PIN 二极管的开关的理想替代方案。

ADRF5142 采用符合 RoHS 标准的 20 引脚 3.0 mm x 3.0 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。
数据表：*附件：ADRF5142 8GHz至11GHz高功率40W峰值硅SPDT反射开关技术手册.pdf

特性

• 频率范围：8 GHz 至 11 GHz
• 低插入损耗：1.2 dB（典型值）
• 高隔离：40 dB（典型值）
  • 高输入线性度
  • 0.1 dB 功率压缩 (P0.1dB)：46 dBm
  • 3 阶交调点 (IP3)：70 dBm
• TCASE = 85°C 时具有高功率处理能力：
  • 插入损耗路径
    • 平均值：41 dBm
    • 脉冲（>100 ns 脉冲宽度，15% 占空比）：44 dBm
    • 峰值（≤100 ns 峰值时间，5% 占空比）：46 dBm
  • RFC 处热切换（引脚 3）：41 dBm
• 快速切换时间：60 ns
• 0.1dB RF 建立时间：65 ns
• 无低频杂散信号
• 正向控制接口：与 CMOS/LVTTL 兼容
• 20 引脚、3.0 mm × 3.0 mm LGA 封装
• 与 ADRF5141 和 ADRF5144 引脚兼容

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5142有两个电源引脚(VDD和VSS)和一个控制引脚(CTRL)。图13显示了电源和控制引脚的外部元件和连接。VDD引脚通过100 pF和100 nF多层陶瓷电容去耦。V 'SS和控制引脚通过100 pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但当RF线路偏置电压不同于0v时，RF引脚上的DC阻塞电容除外，详情参见“引脚配置和功能描述”部分。

图15显示了器件的RF走线、电源和控制信号的布线。接地层通过允许的过孔与尽可能多的场相连，以实现最佳RF和散热性能。器件的主要散热路径是底部，因此PCB下方需要一个散热器，以确保最大散热，并降低高功率应用中PCB的温升。

图16显示了参考叠层上从器件RFpins到50ωCPWG的推荐布局。PCB焊盘与器件焊盘的比例为1:1。接地焊盘按照焊接掩模定义绘制。信号焊盘被绘制为焊盘定义。PCB焊盘的RF走线以相同的宽度延伸至封装边缘，并以45°角逐渐变细至RF走线。糊状掩模也设计成在不减小孔径的情况下与衬垫相匹配。糊状物被分成多个用于搅拌的开口。