ADRF5301 SPDT 37 GHz至49 GHz硅开关技术手册

概述

ADRF5301 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。

ADRF5301 专为 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 应用而开发。该器件具有 1.4 dB 的低插入损耗、30 dB 的高隔离以及 28 dBm 平均值和 36 dBm 峰值射频 (RF) 输入功率处理能力。

ADRF5301 包含一个负电压发生器 (NVG)，由施加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。

ADRF5301 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
数据表：*附件：ADRF5301 SPDT 37 GHz至49 GHz硅开关技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试仪器仪表
• 蜂窝基础设施毫米波 5G
• 军用无线电、雷达和电子对抗 (ECM)
• 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
  特性
• 反射式设计
• 低插入损耗：1.4 dB（典型值）
• 高隔离：30 dB（典型值）
• 高输入线性度：
  • P0.1dB：36 dBm
  • 输入 IP3：52 dBm
• 高 RF 功率处理能力
  • 平均值为 28 dBm
  • 峰值为 36 dBm
• 单电源供电：3.3V
• 内部 NVG
• RF 建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：50 ns
• 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5301有一个电源引脚(VDD)和一个控制引脚(CTRL)。图14显示了电源引脚的外部元件和连接。VDD引脚通过一个100pF多层陶瓷电容去耦。器件引脚排列允许去耦电容靠近器件放置。偏置和工作不需要其它外部元件，但当RF线路偏置电压不为0v时，RF引脚上的DC隔直电容除外。详情参见“引脚配置和功能描述”部分。

RF端口内部匹配50欧姆，引脚排列设计用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波导(CPWG)。图15所示为参考的CPWG RF走线设计，RF基板采用8密耳厚的Rogers R04003电介质材料。对于2.2密耳的成品铜厚度，建议使用14密耳宽、7密耳间隙的RF走线。