LMG5200 LMG5200 80V GaN 半桥功率级

LMG5200器件集成了80V，10A驱动器和GaN半桥功率级，采用增强模式氮化镓（GaN）FET提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个80V GaNFET，它们由采用半桥配置的同一高频GaN FET驱动器提供驱动。

GaN FET在功率转换方面的优势显着，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容C _ISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数.LMG5200器件采用6mm×8mm ×2mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。

该器件的输入与TTL逻辑兼容，无论VCC电压如何，都能够承受高达12V的输入电压。专有的自举电压钳位置技术确保了增强模式GaN FET的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口并更为出色，进一步提升了分立式GaN FET的优势。对于具有高频，高效操作及尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方案。与TPS53632G控制器搭配使用时，LMG5200能够直接将48V电压转换为负载点电压（0.5-1.5V）。