PD快充芯片U8608凸显高功率密度优势

PD快充芯片U8608凸显高功率密度优势

氮化镓芯片具备令人瞩目的高功率密度特性，这意味着它可以在相对较小的尺寸上输出更大的功率。在当下众多需要小型化且高功率输出的场景中，其价值尤为凸显。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。

PD快充芯片U8608采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。

PD快充芯片U8608采用ASOP7-T4封装，引脚说明：

1 NTC I/O 外置过温检测管脚

2 COMP I/O 运放输出，在该 pin 脚和 GND 之间连接阻容网络用于调节环路。

3 FB I/O 输出反馈、消磁检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 CS I/O 电流采样输入管脚、最高频率选择管脚

6 GND P 芯片参考地

7 Drain P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

YLB

U8608

PD快充芯片U8608采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8608采用了谷底锁定工作模式，在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

在当下的消费类电子产品领域，氮化镓芯片已然成为了 “明星材料”，尤其在快充电源方面有着极为出色的表现。深圳银联宝科技不同功率段的氮化镓PD快充芯片也不断涌现，可满足客户的各类需求，保障电源供应的稳定与高效！