eXcelon ®工艺介绍

eXcelon ® 和eXcelon ® 3 技术是一种传感器工艺，可从根本上提高背照式CCD 和EMCCD 探测器在宽光谱范围内的灵敏度。这两种技术都显着减少了标准具效应(由设备背面薄化硅中的相长和相消性推理引起的条纹出现问题)，同时在 750 – 1100 nm 范围 (NIR) 范围内成像。

主要特点

增强灵敏度

eXcelon 技术比标准薄型背照式 CCD 在更宽的波长范围内提高了灵敏度。通过提高 500 nm 以下和 625 nm 以上的灵敏度，eXcelon 能够获得 15-20% 的最大量子效率提升。

减少标准具和暗电流

eXcelon 技术减少了 NIR 波长范围内薄型背照式 CCD 传感器上存在的标准具。

此外，采用 eXcelon 技术的薄型背照式 CCD 传感器能够提供比深耗尽型背照式传感器更低水平的暗电流，同时在较低波长下保持高量子效率。

eXcelon3

eXcelon3 为 EMCCD 探测器开发。传统的背照式 EMCCD 具有单光子灵敏度，但它们在紫外和近红外区域缺乏高 QE，并且在近红外区域存在标准具效应。

eXcelon3 克服了这两个限制，将 UV 区域的 QE 提高了 3 倍，将 NIR 区域的 QE 提高了 1.3 倍。

它还可以将标准具降低高达 70%，峰峰值条纹幅度低于 10%。

审核编辑 黄宇