新品 | 1200A 4500V IGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
新品
1200A 4500V IGBT模块
FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
知名的IHV B 4.5kV单开关IGBT模块已采用我们最新一代的芯片，以满足MVD、输配电和交通行业应用当前和未来的要求。
它采用TRENCHSTOP IGBT4和发射极控制二极管EmCon4，标准封装尺寸为140x190mm²，与上一代产品一样，可提供驱动电压VGE=25V S7的版本。
由于具有相同的结构尺寸和非常接近的电气性能，客户可以很容易地从上一代FZ1200R45HL3型号转换过来。
相关器件：
FZ1200R45HL4
FZ1200R45HL4_S7
产品特点
矩形RBSOA
高宇宙辐射稳定性（100 FIT @ 2900V）
高TC（30,000次循环@ DTc=80K）和PC（2百万次循环@DTj=40K）能力
防火防烟封装材料分类符合EN45545-2 R22、R23:HL3标准
输出有效值电流高时导通耗低
独特的S7功能可在VGE=25V下运行
应用价值
高效系统设计
确保30-40年的使用寿命
对过载和故障下具有无与伦比的稳定性
可在高直流母线电压下运行
独特的S7功能可大幅提高性能，在系统层面减少6%以上的功率损耗
竞争优势
现场超过10万IHV B FZ1200R45HL3和FZ1200R45HL3_S7在运行，它们是实现全球稳定绿色电网的可靠动力
新型号FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7和同系列的FZ1800R45HL4和FZ1800R45HL4_S7一起继承这一使命。
应用领域
商用车辆和农用车辆
输配电
储能系统
机车牵引
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
462文章
53539浏览量
459167 -
二极管
+关注
关注
149文章
10312浏览量
176477 -
IGBT
+关注
关注
1286文章
4263浏览量
260489
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
1200V-23mΩ SiC FET（UF4SC120023B7S）：高性能功率开关的新选择
在电子工程师的日常工作中，选择合适的功率开关器件至关重要。今天，我们要深入探讨一款名为UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET，看看它能为我们的设计带来哪些惊喜。
新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三电平模块、EasyPACK2C1200
西门子S7-1200 MODBUS RTU通讯温度控制器和变频器教程
该触摸屏和S7-1200PLC进行以太网通讯，方便S7-1200的DB块在触摸屏做出对两个从站相关的设定，熟悉S7-1200的串行通讯功能。
新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列
新品CIPOSMaxi1200V碳化硅SiCIPMIM12SxxEA2系列高性能CIPOSMaxi转模封装SiCIPMIM12SxxEA2系列基于1200VCooSiCMOSFET技术。产品组合包括
新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装
新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-
天拓四方分享：什么事S7-1200 G2++？
SIMATIC S7-1200 G2++ 已重磅发布，现已全面开放订货渠道！天拓四方作为西门子紧密合作伙伴，库存储备丰富，能快速响应您的需求。 什么是 S7-1200 G2++？ 西门子始终关注
基于Modbus TCP的WinCC监控S7-1200/200SMT应用实例
测试设备与参数 l 西门子PLC型号：S7-1200 × 1台 l 西门子PLC型号：S7-200Smart × 1台 l 上位机：WinCC7.4 × 1台 l 无线通讯终端——DTD418MB
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ，配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100
西门子S7-1200 G2的7大亮点及最新功能
应用。以下是S7-1200 G2最新功能的详细介绍，基于公开信息和技术文档整理： 一、硬件设计优化 1. 更紧凑的体积 设计特点：S7-1200 G2 采用全新硬件设计，模块化结构。 空间节省：导轨占用率减少约 25%，显著节省
新品 | 储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
新品储能用1200V500ANPC2三电平IGBTEasyPACK3B模块1200V500ANPC2三电平模块，采用EasyPACK3B封装
新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
新品EasyDUAL1B和2B，1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B，2B1200V共发射极
龙腾半导体推出1200V 50A IGBT
在功率器件快速发展的当下，如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖，成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
新品 | 半桥1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3模块
新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为Si
新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模块
的IGBT和二极管比率，FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飞凌和竞争对手的1500A3.3kV单开关。它采用TRENCHSTOPIGBT4和发射极可控EC
工商网监
评论