新品 | 1200A 4500V IGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
新品
1200A 4500V IGBT模块
FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
知名的IHV B 4.5kV单开关IGBT模块已采用我们最新一代的芯片，以满足MVD、输配电和交通行业应用当前和未来的要求。
它采用TRENCHSTOP IGBT4和发射极控制二极管EmCon4，标准封装尺寸为140x190mm²，与上一代产品一样，可提供驱动电压VGE=25V S7的版本。
由于具有相同的结构尺寸和非常接近的电气性能，客户可以很容易地从上一代FZ1200R45HL3型号转换过来。
相关器件：
FZ1200R45HL4
FZ1200R45HL4_S7
产品特点
矩形RBSOA
高宇宙辐射稳定性（100 FIT @ 2900V）
高TC（30,000次循环@ DTc=80K）和PC（2百万次循环@DTj=40K）能力
防火防烟封装材料分类符合EN45545-2 R22、R23:HL3标准
输出有效值电流高时导通耗低
独特的S7功能可在VGE=25V下运行
应用价值
高效系统设计
确保30-40年的使用寿命
对过载和故障下具有无与伦比的稳定性
可在高直流母线电压下运行
独特的S7功能可大幅提高性能，在系统层面减少6%以上的功率损耗
竞争优势
现场超过10万IHV B FZ1200R45HL3和FZ1200R45HL3_S7在运行，它们是实现全球稳定绿色电网的可靠动力
新型号FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7和同系列的FZ1800R45HL4和FZ1800R45HL4_S7一起继承这一使命。
应用领域
商用车辆和农用车辆
输配电
储能系统
机车牵引
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
463文章
54631浏览量
470911 -
二极管
+关注
关注
149文章
10494浏览量
180037 -
IGBT
+关注
关注
1293文章
4466浏览量
265253
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台深度解析
的1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台（Evaluation platform 1200V CoolSiC™ MOSFET in TO247 3-pin / 4-pin Rev. 2.0
新品 | 1200V 62mm IGBT 7半桥模块产品线扩充
新品1200V62mmIGBT7半桥模块产品线扩充英飞凌推出1200V62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450
安森美1200V、40A IGBT：FGH4L40T120LQD的技术剖析
安森美1200V、40A IGBT：FGH4L40T120LQD的技术剖析 在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极晶体管）一直扮演着至关重要的
AD2S1200：12位R/D转换器的卓越性能与应用解析
AD2S1200：12位R/D转换器的卓越性能与应用解析 在电子工程领域，精确的位置和速度检测至关重要。AD2S1200作为一款完整的12位分辨率跟踪旋转变压器 - 数字转换器，集成了诸多先进功能
FS01MR12A8MA2BHPSA1具体参数 Infineon品牌 产品种类: MOSFET模块
12IE5PBPSA1
FZ1800R17HP4_B9
FZ1800R17HE4_B9
FF1800R17IP5PBPSA1
DD500S33HE3
T570N65TOF
FF1800
发表于 03-31 11:35
新品 | 储能系统EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模块
新品储能系统EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模块两款新型EconoPACK3B模块采用1200V/500
AD2S1200：12位R/D转换器的卓越性能与应用解析
AD2S1200：12位R/D转换器的卓越性能与应用解析 在电子工程师的设计世界里，高精度的转换器是实现精确测量和控制的关键。AD2S1200作为一款12位分辨率的跟踪旋转变压器 - 数字转换器
新品 | 采用6500V IGBT 4沟槽栅场截止技术的IHV-A模块
新品采用6500VIGBT4沟槽栅场截止技术的IHV-A模块IHV系列6500V/675A/13
FZ1200R33HE4DB9BPSA1 Infineon Technologies IGBT 模块 IHV IHM T
FF225R65T3E3BPSA1Infineon Technologies
T1401N42TOHInfineon Technologies
FZ1200R33HE4
发表于 02-01 15:28
新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V
温度传感器，具有1200V耐压和4mΩ导通电阻，专为电动汽车电驱动系统与电动航空生态系统中的功率转换应用而设计。产品型号：■FF4MR12W2M1HP_B11_A
1200V-23mΩ SiC FET（UF4SC120023B7S）：高性能功率开关的新选择
在电子工程师的日常工作中，选择合适的功率开关器件至关重要。今天，我们要深入探讨一款名为UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET，看看它能为我们的设计带来哪些惊喜。
新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三电平模块、EasyPACK2C1200
新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列
新品CIPOSMaxi1200V碳化硅SiCIPMIM12SxxEA2系列高性能CIPOSMaxi转模封装SiCIPMIM12SxxEA2系列基于1200VCooSiCMOSFET技术。产品组合包括
天拓四方分享：什么事S7-1200 G2++？
SIMATIC S7-1200 G2++ 已重磅发布，现已全面开放订货渠道！天拓四方作为西门子紧密合作伙伴，库存储备丰富，能快速响应您的需求。 什么是 S7-1200 G2++？ 西门子始终关注
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ，配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100
评论