微导纳米：发布自主研发的“先进封装低温薄膜应用解决方案”

在“第十六届集成电路封测产业链创新发展论坛（CIPA 2024）”上，微导纳米大放异彩，首次发布了自主研发的“先进封装低温薄膜应用解决方案”。该方案专为半导体领域2.5D和3D先进封装技术的低温工艺需求设计，能够在50~200°C的低温区间内实现高质量、高均匀性、高可靠性的薄膜沉积效果。这一创新不仅丰富了公司的产品线，也进一步巩固了其在薄膜沉积设备领域的领先地位。方案包括iTronix LTP系列低温等离子体化学气相沉积系统、iTomic PE系列等离子体增强原子层沉积系统、iTomic MeT系列金属及金属氮化物沉积系统等多款公司自主研发的低温薄膜沉积设备产品。其中，iTronix LTP系列低温等离子体化学气相沉积系统能够在低温下实现高质量的SiO2、SiN和SiCN薄膜沉积，适用于混合键合的介电层(ILD)、低k阻挡层和堆叠薄膜(BVR)。

iTomic PE系列等离子体增强原子层沉积系统可沉积高质量的 SiO2和 SiN薄膜，适用于高深宽比的 TSV 衬垫，能够在极高深宽比的通孔内形成均匀且致密的绝缘层，保证了器件性能的稳定。

微导纳米指出，公司在半导体领域已推出包括iTomic系列原子层沉积系统、iTomic MW 系列批量式原子层沉积系统、iTomic PE系列等离子体增强原子层沉积系统、iTronix 系列化学气相沉积系统等系列产品，现有产品能够对逻辑芯片、存储芯片、化合物半导体、新型显示(硅基 OLED)中的薄膜沉积应用实现较为全面的覆盖，公司目前产品已经覆盖 HfO₂、Al₂O3、ZrO₂、TiO₂、La₂O3、ZnO、SiO₂、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、无定形碳、SiGe 等多种薄膜材料。

审核编辑 黄宇