现代DRAM内存发明人罗伯特·登纳德离世

据美国媒体报道，现代 DRAM 内存发明人罗伯特·登纳德已于 2024 年 4 月 23 日去世，享年 91 岁。

登纳德生于 1932 年 9 月 5 日，成长于美国得克萨斯州特雷尔。他于 1958 年获卡内基理工学院电气工程博士学位，随后加入 IBM 任研究员。

在 1960 年代，计算机对内存的需求不断增长，而当时主流的磁芯内存因密度、成本、性能等因素面临瓶颈。

登纳德当时在 IBM 研发金属氧化物半导体（MOS）内存，然而该方案存在速度缓慢、芯片面积过大等问题。

一次偶然的机会，登纳德灵光一闪，想到利用单个晶体管中的电容正负极来记录数据，并通过反复充电实现数据动态刷新。这一创新理念奠定了 DRAM 内存的基础。

IBM 和登纳德于 1968 年取得 DRAM 专利，这项技术于 1970 年投产后，凭借低成本、低功耗、结构简单等优点迅速取代磁芯内存，推动了信息通信技术的飞速发展。

DRAM 内存与首批低成本微处理器共同推动了计算机小型化进程，使得如 Apple II 这样的早期个人电脑在商业上取得巨大成功，也为如今的移动设备市场开辟了道路。

此外，登纳德还提出了著名的登纳德缩放定律，即随着制程工艺的提高，半导体芯片的功耗密度保持不变。这一定律在半导体行业影响深远，被誉为半导体行业的三大定律之一。