中微公司创新成果斩获两项大奖

近日，江西省专利奖评选结果正式揭晓，中微公司凭借发明专利 “化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置”（发明人：尹志尧、姜勇）荣膺殊荣。该专利精准攻克了金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备的核心技术难题，并通过创新成果向成熟产业应用的高效转化，为公司实现高质量发展注入强劲动力。

江西省专利奖是经中央功勋办批复同意保留的评比表彰项目，由省政府主办，省市场监管局承办，每3年评选一次，设置江西省专利奖15项、江西省专利转化运用奖15项，重点奖励优秀发明专利项目。

中微公司此次获奖的 “化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置”专利应用于金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。MOCVD设备作为生产LED芯片、功率器件及射频器件等半导体器件的核心装备，其中基片承载架的驱动与支撑稳定性更是制约行业发展的关键。传统摩擦驱动模式易出现打滑现象，且高温环境下的热膨胀易导致设备损伤，严重影响工艺精度与生产效率。中微公司此次获奖专利创新性提出 “插接部精准驱动 + 支撑面平稳承载” 的双重架构，从根本上破解了这一难题。通过插接部与凹进部的推动力传递替代摩擦力驱动，解决了旋转打滑问题；大面积支撑面设计有效抑制基片承载架工艺摇摆，而预留的间隙结构可自适应高温热变形，确保设备长期运行的结构可靠性与工艺稳定性。

依托该专利技术，中微公司构建了覆盖多应用场景的 MOCVD 设备矩阵，涵盖 LED 外延片量产设备 PRISMO D-BLUE、深紫外 LED 设备 PRISMO HiT3、功率器件外延设备 PRISMO PD5 及 Mini LED 生产设备 PRISMO UniMax 等核心产品。其中最新一代 PRISMO UniMax 设备凭借优异的波长均匀性与产能优势，在Mini LED背光显示与直显外延片领域的市占率突破90%，成为全球领先企业的首选装备。

与此同时，中微公司还斩获另一荣誉奖项。近日，在由国家知识产权局、江西省知识产权局与九江市政府联合主办的第二届 “长高赛”（长江经济带高价值专利转化运用大赛）中，中微公司依托核心专利 “气体喷淋头、其制造方法及薄膜生长反应器”，凭借 IP 团队与 MOCVD 团队的精心准备和紧密答辩协作，历经三轮比拼，从沿江 11 省（直辖市）1410 个参赛项目中脱颖而出，以第一名的成绩斩获金奖，并且位列金奖排名第一。

中微公司于2017年落户南昌高新区，成立全资子公司南昌中微半导体设备有限公司（以下简称“南昌中微”），并于2018年9月顺利实现量产。2023年7月，总建筑面积约14万平方米的南昌研发与生产基地正式建成并投入使用。南昌中微作为技术转化核心基地，先后斩获“国家高新技术企业”、“江西省制造业单项冠军企业”、“国家专精特新小巨人企业”、“江西省半导体专用设备工程研究中心”等荣誉称号。

中微公司南昌研发与生产基地

此外，MOCVD 设备作为 LED 照明、氮化镓功率器件等节能产品制造的关键装备，中微公司通过专利技术的规模化应用，助力下游产业实现节能降耗。据测算，其设备所生产的 LED 产品相较传统照明可节电 70% 以上，为全球绿色低碳发展贡献力量。

攀登勇者，志在巅峰。中微公司将瞄准“打造世界级装备企业”的战略目标，不断加大研发力度，持续夯实公司在高端微观加工设备领域的核心竞争力，秉承“五个十大”的企业文化，即“产品开发十大原则”、“战略销售十大准则”、“营运管理十大章法”、“精神文化十大作风”和“领导能力十大要点”，坚持三维立体发展战略，坚持有机生长和外延扩展的策略，实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展，力争尽早成为高端设备平台化公司，在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司！

关于中微半导体设备（上海）股份有限公司

中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称：中微公司，证券代码：688012）致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到5纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI设备，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。这些设备都是制造各种微观器件的关键设备，可加工和检测微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。