安世半导体荣获双料大奖，引领氮化镓技术前沿

近日，Nexperia（安世半导体）凭借其在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领域的杰出表现，荣获两项权威大奖：“SiC年度优秀产品奖”和“中国GaN功率器件十强”。这一荣誉充分展示了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，以及其在三代半领域的深厚积累。

安世半导体一直致力于投资和研发自有氮化镓工艺技术。目前，其遍布全球的自有化生产基地已经能够提供真正车规级AEC-Q101认证的产品，展现出业界领先的技术实力。新一代的安世半导体氮化镓（HEMTs）在导通电阻、开关稳定性以及动态性能等方面均表现出色，引领行业标准。

2023年5月，安世半导体在其级联型氮化镓产品系列中推出七款新型E-mode器件，成为业内唯一可同时提供级联型和增强型氮化镓器件的供应商。这一创新再次证明了安世半导体在氮化镓技术领域的领先地位。

未来，安世半导体将继续深耕氮化镓和碳化硅领域，持续推出创新产品和技术，以满足不断增长的市场需求。我们期待安世半导体在基础半导体领域继续保持其全球领导地位，并引领行业向更高标准迈进。