0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

通过离子注入在Li7La3Zr2O12固态电解质中引入压应力来偏转枝晶

清新电源 来源:清新电源 2023-12-25 10:06 次阅读

研究背景

最近的研究发现,材料中的定向应力允许将扩展的裂纹引导到某个方向。随着平面压应力的增加,由于力学角度的阻力最小路径与电化学路径背离,裂纹扩展路径与应力方向越来越一致,具体取决于初始裂纹角度。结果表明,如果应力足够高,至少在Li7La3Zr2O12(LLZO)的200 MPa范围内,无论初始裂纹方向如何,裂纹都可以从表面转移到90°角。这可以阻止枝晶到达对电极抑制短路。理论工作还表明,LLZO中的残余应力应该能够抑制树突。

有几种方法可以引入残余应力,残余应力也可以提高抗断裂性,具体取决于引入材料的应力类型。在冶金中,残余应力是在材料的塑性变形过程中引入的,如果它在整个材料中不均匀地发生,则称为加工硬化。加工硬化可用于通过增加材料中的缺陷密度来显着提高基材的硬度。原则上,它可以应用于任何结晶材料。虽然金属可以变形以引入应力,但同样的方法会脆性陶瓷的粉碎(LLZO视为脆性陶瓷)。这不允许使用冷轧等大规模塑性变形,并且在使用喷丸强化、激光冲击喷丸或喷砂等方法引入残余应力时必须特别小心,以保持材料完整性。其他可能的方法还包括晶界强化、相变硬化、第二相硬化和固溶强化等。在陶瓷中可以使用半导体行业的一种行之有效的方法将外来离子引入基质中,即离子注入来引入应力。以前对不同陶瓷的研究,如MgO、Al2O3,碳化硅已经表明离子注入材料可以表现出更高的断裂韧性。

成果简介

近日,挪威科技大学Daniel Rettenwander组通过Ag离子注入在Li7La3Zr2O12固态电解质表面引入压应力来实现枝晶偏转。通过原子探针断层扫描、电子显微镜和纳米X射线衍射研究了Ag离子注入引起的相关的成分和微观结构变化,表明Ag离子可以注入到1μm深度,导致电解质表面650-700nm深度发生非晶化。根据衍射结果,在近表面区域产生了高达~700 MPa的明显应力态。这种应力区和相关的微观结构改变不仅表现出偏转机械引入的裂纹的能力,而且表现出偏转枝晶的能力。这些结果表明,离子注入是一种可行的技术,可以设计用于高功率和能量密度固态电池的“无枝晶”固态电解质。该研究以 “Deflecting Dendrites by Introducing Compressive Stress in Li7La3Zr2O12 Using Ion Implantation”为题发表Small上。

研究亮点

本研究表明,通过离子注入,可以在Li6.4La3Zr1.4Ta0.6O12(LLZTO)1 μm深度和~700MPa的近表面区域的引入应力。这种高应力是由LLZTO基体中低于0.003 at%的银离子浓度引入的,并伴随着LLZTO顶部650-700nm的非晶化转变。由于应力区明显比典型的缺陷尺寸更深,机械引入的裂纹已被显示为垂直于压痕方向的偏转。最后,我们证明了枝晶的穿透方向也是如此,这为高功率和高能密度的固态电池设计“无枝晶”固态电解质开辟了新的途径。

图文导读

ad012da6-a11e-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

【图1】a) SRIM模拟1.93 MeV银离子辐照Li6.4Ta0.6La3Zr1.4O12晶体的损伤和银离子分布。b)在顶层银离子注入的热压Li6.4Ta0.6La3Zr1.4O12多晶的SPED复合暗场图像。清晰可见一个650nm深的非晶态层。c)离子注入多晶LLZTO样品的横断面纳米x射线衍射图。植入区域用橙色表示。可以看到一个非晶态区域,从表面开始到700纳米的深度。平面应力的压缩如图d)所示,在850 nm处达到峰值~700 MPa。

ad17c476-a11e-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

【图2】a)从700nm深度制备的针头的原子探针断层扫描重建。原子均匀地分布在整个针中,b)从1300nm的深度重建针头。虽然颗粒内的原子分布仍然均匀,但上部的锂含量较低。c)植入的LLZTO样品的横截面的扫描电镜图像。直径为2.5 μm的斑点是进行TOF-SIMS测量的地方。d)来自(c)中的两个点的TOF-SIMS数据。在边缘的第一个点,在106.8的质电荷比有一个略微可见的Ag峰。这个峰值在植入区域以下的另一个点消失。

ad27f97c-a11e-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

【图3】a)在Ag注入单晶LLZTO中通过纳米压痕机械诱导裂纹的SEM图像(背散射电子)。裂纹平行于表面生长。b)短路测量期间的电压曲线。电流10秒后加倍并一直保持到达到电压限制,这可能是由于空隙的形成减少了接触面积。c)短路测量过程中变薄的热压LLZTO的光学显微镜图像。d,e)Ag 注入的LLZTO中电化学诱导裂纹的SEM图像。顶视图(d)和 51° 角视图(e)。植入区域以橙色阴影显示,裂缝用虚线突出显示。在注入区之后,裂纹平行于表面转移。

ad4478d6-a11e-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

【图4】银注入的(灰色)和未注入的(蓝色)热压多晶的Nyquist图。拟合等效电路显示在右上角。第二个半圆归因于650 nm非晶层,该层不利于离子传输。

总结与展望

本工作研究了植入LLZTO的Ag离子如何影响裂纹生长,特别是由生长的枝晶诱导的裂纹。首先,利用动力学蒙特卡罗模拟确定的条件,将银离子引入高达1 μm的深度,浓度峰值在750 nm。然后通过APT和EELS尝试确定植入离子的实际浓度分布和最大浓度。我们发现,选择剂量的1×1014 Ag离子cm−2导致Ag浓度太低,无法通过这些方法进行量化,因此必须通过TOF SIMS进行定性检测。空间分辨的横截面纳米XRD和SPED测量都显示,从表面到650 nm深度的区域发生了非晶化,部分也是由于电子束损伤导致,这已被证明对锂离子电导率有害。此外,从相应的x射线衍射图中确定了高达~700MPa的压缩应力,其峰值深度为850 nm。

此后,评估了引入的应力区对裂纹扩展的影响。通过纳米压痕在材料中机械诱导的裂纹优先在850 nm的压应力区形成,并且与表面平行。电化学诱导的裂纹(枝晶)也可以偏转,裂纹在大约700 nm深度开始扭结,并在1.5 μm处的应力最大值后完全偏转。本文研究结果表明,在超过临界裂纹尺寸的深度引入压缩预应力区,以及随后的退火步骤以重新结晶非晶区,可能是使“无枝晶”固态电解质能够提高固态电池倍率性能的可行策略。






审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SEM
    SEM
    +关注

    关注

    0

    文章

    186

    浏览量

    14329
  • XRD
    XRD
    +关注

    关注

    0

    文章

    128

    浏览量

    8939
  • 固态电池
    +关注

    关注

    8

    文章

    616

    浏览量

    26711
  • 固态电解质
    +关注

    关注

    0

    文章

    77

    浏览量

    5204

原文标题:挪威科技大学Daniel Rettenwander等:通过离子注入在Li7La3Zr2O12固态电解质中引入压应力来偏转枝晶

文章出处:【微信号:清新电源,微信公众号:清新电源】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    离子注入机的简易原理图

    本文介绍了离子注入机的相关原理。 离子注入机的原理是什么?
    的头像 发表于 04-18 11:31 292次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>机的简易原理图

    不同类型的电池的电解质都是什么?

    电解质通过促进离子在充电时从阴极到阳极的移动以及在放电时反向的移动,充当使电池导电的催化剂。离子是失去或获得电子的带电原子,电池的电解质由液
    的头像 发表于 02-27 17:42 350次阅读

    离子注入中的剂量和浓度之间有何关系呢?

    对器件设计工程师来讲,离子注入的浓度往往是需要关心的参数,什么样的浓度对应什么样的方阻,器件仿真参数输入的是浓度,通过DSIMS测出来的也是浓度和深度的关系。
    的头像 发表于 01-26 13:37 974次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>中的剂量和浓度之间有何关系呢?

    固态电解质离子传输机理解析

    固态电解质离子的迁移通常是通过离子扩散的方式实现的。离子扩散是指
    发表于 01-19 15:12 686次阅读
    <b class='flag-5'>固态</b><b class='flag-5'>电解质</b><b class='flag-5'>离子</b>传输机理解析

    关于固态电解质的基础知识

    固态电解质在室温条件下要求具有良好的离子电导率,目前所采用的简单有效的方法是元素替换和元素掺杂。
    的头像 发表于 01-19 14:58 6013次阅读
    关于<b class='flag-5'>固态</b><b class='flag-5'>电解质</b>的基础知识

    碳化硅离子注入和退火工艺介绍

    统的硅功率器件工艺中,高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法,两者各有优缺点。一般来说,高温扩散工艺简单,设备便宜,掺杂分布轮廓为等向性,且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵,但它可独立控制掺杂元素的浓度
    的头像 发表于 12-22 09:41 1120次阅读
    碳化硅<b class='flag-5'>离子注入</b>和退火工艺介绍

    离子注入仿真用什么模型

    离子注入是一种重要的半导体工艺,用于在材料中引入离子,改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子注入
    的头像 发表于 12-21 16:38 349次阅读

    什么是离子注入离子注入相对于扩散的优点?

    想要使半导体导电,必须向纯净半导体中引入杂质,而离子注入是一种常用的方法,下面来具体介绍离子注入的概念。
    的头像 发表于 12-11 18:20 1247次阅读
    什么是<b class='flag-5'>离子注入</b>?<b class='flag-5'>离子注入</b>相对于扩散的优点?

    离子注入技术在晶硅太阳能电池中的应用优势

    谱仪可通过测量离子注入工艺后晶硅太阳能电池的H含量,来判定其钝化效果是否符合电池生产标准,进而判断太阳能电池的效率与性能。本期「美能光伏」将给您介绍离子注入技术在晶
    的头像 发表于 08-29 08:35 421次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>技术在晶硅太阳能电池中的应用优势

    半导体离子注入工艺评估

    掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定,掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决
    的头像 发表于 07-07 09:51 2536次阅读
    半导体<b class='flag-5'>离子注入</b>工艺评估

    固态电解质电导性 (Solid系列)

    团体标准《固态锂电池用固态电解质性能要求及测试方法》指出固态电解质性能优劣的最主要性能指标为离子
    的头像 发表于 06-25 16:43 552次阅读
    <b class='flag-5'>固态</b><b class='flag-5'>电解质</b>电导性 (Solid系列)

    半导体离子注入工艺讲解

    阱区注入的工艺说明如下图所示,是高能量离子注入过程,因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内,而P型晶体管形成于N型阱区。
    的头像 发表于 06-09 11:31 4303次阅读
    半导体<b class='flag-5'>离子注入</b>工艺讲解

    离子注入工艺的损伤与热退火

    高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构,并在晶圆表面附近产生非晶态层。
    的头像 发表于 05-19 09:22 2234次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>工艺的损伤与热退火

    简要描述离子注入的原理和优缺点

    离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质,以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程,不发生化学反应。
    的头像 发表于 05-12 16:00 5465次阅读
    简要描述<b class='flag-5'>离子注入</b>的原理和优缺点

    离子注入技术的优点和应用

    通过离子束电流和注入的时间组合控制,结深通过离子的能量控制。离子注入过程可以在很广的掺杂物浓度范
    的头像 发表于 05-08 11:19 1741次阅读
    <b class='flag-5'>离子注入</b>技术的优点和应用