美国政府资助GlobalFoundries制造下一代氮化镓芯片

全球领先的半导体制造商GlobalFoundries已从美国政府获得3500万美元的联邦资金，以加速GF位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）。这笔资金使GF更接近于GaN芯片的大规模生产，这些芯片在处理高电压和高温的能力方面是独一无二的。这些芯片旨在为基础设施和手机、汽车和工业物联网 （IoT）、电网和其他关键基础设施的 5G 和 6G 蜂窝通信提供改变游戏规则的性能和效率。

随着国防部Trusted Access Program Office（TAPO）授予的35万美元新资金，GF计划购买额外的工具，以扩大开发和原型设计能力，更接近大规模的200毫米硅基氮化镓半导体制造。作为投资的一部分，格芯计划实施新的能力，以减少格芯及其客户对镓供应链限制的影响，同时提高美国制造的氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。

这笔资金建立在与美国政府多年的合作之上--包括2020-2022年的400万美元支持--利用格芯佛蒙特州团队的才能和他们的200毫米半导体制造经验，并将其应用于硅基氮化镓制造。200mm是最先进的 GaN 芯片技术。

“佛蒙特州是半导体创新的领导者。这笔联邦资金是可喜的消息，将巩固我们州作为制造下一代芯片前沿的领导者的地位，“参议员彼得韦尔奇说：“至关重要的是，我们支持佛蒙特州和美国对这个行业的投资——无论是为了我们当地的经济增长，还是为了我们的国家安全。我期待继续在参议院为我们国内的半导体和芯片制造商而战。”

“这项战略投资继续加强我们国内关键军民两用商业技术的生态系统，确保它们随时可用并安全地供国防部使用。我们正在与主要合作伙伴合作，积极塑造我们国防系统的未来，“负责维持的助理国防部长Christopher J. Lowman说。

GF总裁兼首席执行官Thomas Caulfield博士表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。GF与美国政府有着长期的合作伙伴关系，这笔资金对于使硅芯片上的GaN更接近批量生产至关重要。这些芯片将使我们的客户能够实现大胆的新设计，从而突破我们每天所依赖的关键技术的能效和性能极限。”

GF位于佛蒙特州伯灵顿附近Essex Junction的工厂是美国最早的主要半导体制造基地之一。如今，约有1,800名GF员工在现场工作。这些GF制造的芯片建立在格芯的差异化技术之上，被用于世界各地的智能手机、汽车和通信基础设施应用。该工厂是DMEA认证的可信晶圆代工厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国一些最敏感的航空航天和国防系统。