最近,华为技术有限公司和哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利被公布为cn116960057a。
摘要本发明涉及芯片制造技术领域。硅基的cu/sio2混合结合样品和金刚石基础的cu/sio2混合结合样品的准备后,进行等离子体活性。经等离子体活性处理后,将cu/sio2混合结合试料浸泡在有机酸溶液中清洗后干燥。硅基/或者金刚石基cu/sio2混合结合样本的干燥后结合降低大气表面氟化氢酸溶液硅基/金刚石基cu/sio2混合结合使样本量身定制,预结算获得的芯片,词典结合打开压缩芯片结合,退火处理,但获得混合结合双样品。该发明实现了以cu/sio2混合结合为基础的硅/金刚石的三维异质集成。
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