SK海力士预计今年 HBM 芯片出货量 2030 年可达 1 亿颗

11 月 14 日消息，SK 海力士副会长兼联席 CEO 朴正浩透露，今年公司高带宽内存（HBM）出货量大幅增加，预计到 2030 年将达到每年 1 亿颗。

昨日下午，在京畿道光州东谷 CC 举行的共享增长理事会高尔夫锦标赛结束后，朴正浩在致辞中发表了上述讲话。

朴正浩在此次高尔夫球赛上分享了 HBM 的经营业绩和未来前景。他对供应商代表说：“由于设备投资的减少，整体上会比较困难，但我们将一起渡过难关”。他还强调，公司计划按计划于 2027 年开始在龙仁集群工厂生产半导体。

在上月底的第三季度财报电话会议上，SK hynix 表示计划在今年的基础上增加明年的设施投资。不过，该公司解释说，由于需求尚未完全恢复，投资扩张的范围将是有限的，重点将放在 HBM 上。

该公司表示，用于下一代 HBM3E 上 1b 制程 DRAM 的生产和堆叠的硅直通电压电极（TSV）相关投资被视为重中之重。

市场对于 SK hynix 第四季度恢复盈利持乐观态度。分析师认为，由于 HBM 等高端内存销售强劲，扭亏为盈的速度将快于预期。不过，朴正浩也提醒不要对经济复苏和投资扩张过于乐观，他认为“明年美国经济恶化的可能性很大。”

审核编辑 黄宇