三星正在开发HBM4 目标2025年供货

三星电子存储器事业部门负责dram开发的副总经理Sangjun Hwang表示：“三星已经开始向顾客提供高带宽存储器hbm3e的样品，目前正在开发新一代产品hbm4，目标是在2025年供货。”

Sangjun Hwang还表示：“正在准备开发出最适合高温热特性的非导电粘合膜（ncf）组装技术和混合粘合剂（hcb）技术，并适用于hbm4产品。”

今年年初，三星电子为了强化尖端成套技术和事业部门间的协同效应最大化，组成了avp（先进封装）事业组等，正在倾尽全力开发这些技术。

另外，还计划与hbm一起提供包括2.5d和3d尖端解决方案的尖端定制型turkey package服务，展示ai和hpc时代的最佳解决方案。

就上月上市的32gb ddr5 dram，Sangjun Hwang表示，可以节省费用并提高生产效率，同时还可以改善10%的电力消耗，最多可以使用1tb的内存模块。

相俊黄表示，对在存储器中增加系统半导体运算功能的pim（存储器计算）产品抱有期待。hbm-pim在dram内部内置数据运算功能，改善了存储器带宽的瓶颈现象。在语音识别等特定工作量上，性能最高提高了12倍，最高提高了4倍。”