0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

碳化硅 (SiC)的历史与应用

深圳市浮思特科技有限公司 2023-09-08 15:24 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

碳化硅(SiC),通常被称为金刚砂,是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在,但其出现相对罕见。然而,自从1893年以来,粉状碳化硅就已大规模生产,用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史,主要用于磨轮和多种其他研磨应用。

借助现代技术,人们已成功开发出高品质的工业级陶瓷材料,这些陶瓷表现出卓越的机械性能,包括:

- 高硬度

- 高强度

- 低密度

- 高弹性模量

- 高抗热震性

- 出色的化学稳定性

- 高导热性

- 低热膨胀系数

这些高强度和耐用性的陶瓷广泛应用于各种领域,如汽车制动系统、离合器以及用于防弹背心的陶瓷板。此外,碳化硅还在高温和(或)高压环境下的半导体电子设备中发挥作用,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件

碳化硅在汽车应用中的应用

碳化硅在汽车领域的主要应用之一是制造高性能的“陶瓷”制动盘。这些制动盘采用碳纤维增强碳化硅(C/SiC),其中硅与复合材料中的石墨结合。这种技术应用于一些高性能轿车、超级跑车以及其他顶级汽车型号。

另一个汽车应用是将碳化硅用作油品添加剂。在这种情况下,SiC可以减少摩擦、散热以及谐波。

碳化硅的早期应用

**LED**

电致发光现象最早是在1907年首次通过使用碳化硅发光二极管(LED)实现的。很快,商用SiC基LED就开始生产。到了20世纪70年代,前苏联生产出了黄色的SiC LED,而在20世纪80年代,蓝色LED开始在全球范围内广泛应用。随后,氮化镓(GaN)LED问世,其发光亮度比SiC LED高出数十倍甚至数百倍,因此SiC LED的生产几乎停止。然而,SiC仍然作为GaN设备的基底广泛使用,同时还用作高功率LED的散热器。

**避雷器**

SiC具有高电阻,在达到阈值电压(VT)之前,电阻较大。一项最早应用SiC的电气应用是分布式电源系统中的避雷器(见图1)。

wKgaomT6y3uAAvBBAAFcMsycrL8694.png图1:SiC 避雷器应用

SiC避雷器的工作原理是在高压电线和地之间连接SiC芯块柱。当电源线受到雷击时,线路电压上升并超过SiC避雷器的阈值电压(VT),将雷击电流导向地,而不是电力线,从而避免了潜在的危害。然而,这些SiC避雷器在电力线正常工作电压下会导通,因此必须与火花隙串联。当雷击使电源线导线电压升高时,火花隙会离子化并导通,将SiC避雷器有效地连接在电力线和地之间。然而,后来发现避雷器中使用的火花隙并不总是可靠。由于材料失效、灰尘或盐侵等原因,可能出现火花隙在需要时无法触发电弧,或者电弧在闪电结束后无法迅速熄灭的情况。因此,具有无火花隙设计的SiC避雷器大多被采用氧化锌芯块的无间隙变阻器所替代。

**SiC在电力电子中的应用**

使用SiC制造的半导体器件包括肖特基二极管(也称为肖特基势垒二极管或SBD)、J型场效应晶体管(JFET)以及用于高功率开关应用的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。SemiSouth Laboratories(已于2013年倒闭)在2008年推出了第一款商用的1200V JFET,而Cree则在2011年生产了第一款商用的1200V MOSFET。与此同时,一些公司还开始尝试将SiC肖特基二极管芯片应用于电力电子模块。实际上,SiC SBD已广泛用于IGBT电源模块

功率因数校正(PFC)电路。

wKgaomT6y2mAAaq1AADZ-Q8-xBY522.png图2:SiC元件代表:肖特基二极管

**SiC的优势与挑战**

碳化硅基电力电子元件之所以备受关注,一个重要原因是在相同阻断电压条件下,其掺杂密度几乎比硅基设备高出百倍。这使得可以在低导通电阻下获得高阻断电压。低导通电阻对于高功率应用至关重要,因为它降低了发热,减少了系统的热负荷,提高了整体效率。

然而,生产SiC基电子元件本身也面临一些挑战,主要是消除缺陷。这些缺陷会导致以SiC晶体制成的器件的反向阻断性能较差。除了晶体质量问题,二氧化硅和SiC之间的界面问题也限制了SiC基功率MOSFET和绝缘栅双极型晶体的发展。幸运的是,通过使用渗氮工艺来降低这些界面问题引起的缺陷。

**碳化硅的磨片应用**

碳化硅仍然用作许多工业应用中的研磨剂。在电子行业中,它主要用作光导纤维两端在拼接之前的抛光膜。这些膜片能够提供光纤接头所需的高度光洁度,以确保其有效运行。

碳化硅的生产历史已有一百多年,但其在电力电子领域的广泛应用直到最近才得以实现。由于其独特的物理和电气特性,碳化硅在高压和高温应用中发挥着关键作用

浮思特科技为您提供优质的新能源汽车方案

深圳市浮思特科技有限公司,专注在新能源汽车、电力新能源、家用电器、触控显示,4大领域,并已有大量的成熟方案储备,为客户提供从方案研发到产品选型采购的一站式服务,是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。

随着电动汽车市场的快速增长,浮思特科技为客户提供优质的汽车解决方案。接下来的五年将继续增长,为汽车电子业务带来巨大的提升。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31238

    浏览量

    266576
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2221

    浏览量

    95479
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3858

    浏览量

    70123
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3546

    浏览量

    52664
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件热设计基础与工程实践

    在电力电子行业向高效化、高功率密度转型的背景下,碳化硅SiC)作为第三代宽禁带半导体的核心代表,正凭借其优异的物理特性重塑功率器件市场格局。电子聚焦新能源、交通电动化和数字化转型三大方向,代理并力
    的头像 发表于 03-17 09:02 589次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET 功率器件热设计基础与工程实践

    QDPAK封装SiC碳化硅MOSFET安装指南

    基本半导体(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC)MOSFET 数据手册(包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ),这两款器件均
    的头像 发表于 02-26 09:46 498次阅读
    QDPAK封装<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET安装指南

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究报告

    基于SiC碳化硅功率器件的一级能效超大功率充电桩电源模块深度报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源
    的头像 发表于 12-14 07:32 1719次阅读
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的c研究报告

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破 ——以基本半导体B2M065120Z在15kW混合逆变器中的应用为例 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率
    的头像 发表于 11-24 04:57 563次阅读
    倾佳电子市场报告:国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>户用储能领域的战略突破

    倾佳电子碳化硅SiC MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告

    倾佳电子碳化硅SiC MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源
    的头像 发表于 11-23 11:04 2568次阅读
    倾佳电子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET驱动特性与保护机制深度研究报告

    Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

    碳化硅 (SiC) 技术并非凭空而来,它是建立在数十年的创新基础之上。近四十年来,Wolfspeed 始终致力于碳化硅 (SiC) 技术和产品的创新并不断强化基础专利。仅在过去的五年中
    的头像 发表于 09-22 09:31 1020次阅读

    基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅
    的头像 发表于 06-24 17:26 809次阅读

    SiC碳化硅MOSFET时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P电源芯片

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅
    的头像 发表于 06-19 16:57 1728次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P电源芯片

    基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案

    亚非拉市场工商业储能破局之道:基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案 —— 为高温、电网不稳环境量身定制的技术革新 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应
    的头像 发表于 06-08 11:13 1483次阅读
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模块的高效、高可靠PCS解决方案

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC
    的头像 发表于 06-07 06:17 1475次阅读

    国产SiC碳化硅功率模块全面取代进口IGBT模块的必然性

    国产SiC模块全面取代进口IGBT模块的必然性 ——倾佳电子杨茜 BASiC基本半导体一级代理倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,S
    的头像 发表于 05-18 14:52 1695次阅读
    国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模块全面取代进口IGBT模块的必然性

    国产SiC碳化硅MOSFET在有源滤波器(APF)中的革新应用

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅
    的头像 发表于 05-10 13:38 1262次阅读
    国产<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在有源滤波器(APF)中的革新应用

    基本半导体碳化硅SiC)MOSFET低关断损耗(Eoff)特性的应用优势

    BASiC基本股份半导体的碳化硅SiC)MOSFET凭借其低关断损耗(Eoff)特性,在以下应用中展现出显著优势: 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC
    的头像 发表于 05-04 09:42 1023次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)MOSFET低关断损耗(Eoff)特性的应用优势

    基于国产碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案

    基于BASIC Semiconductor基本半导体股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET单管及模块一级代
    的头像 发表于 05-03 10:45 829次阅读
    基于国产<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案

    碳化硅何以英飞凌?—— SiC MOSFET性能评价的真相

    碳化硅SiC)技术的应用中,许多工程师对SiC的性能评价存在误解,尤其是关于“单位面积导通电阻(Rsp)”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章,本文将继续为您揭
    的头像 发表于 04-30 18:21 1103次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飞凌?—— <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET性能评价的真相