碳化硅MOSFET B2M040120Z在充电桩电源模块的应用

基本半导体第二代碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。

目前充电桩电源模块主打的是40mR/1200V碳化硅MOSFET分立器件，适合充电桩电源模块DCDC阶段的LLC/移相全桥的应用，SiC MOSFET解DCDC的电路比传统的超结的复杂拓扑来解要有成本优势。基本半导体碳化硅MOSFETB2M040120Z可替代英飞凌IMZA120R040M1H、安森美NTH4L040N120M3S以及科锐C3M0040120K、意法SCT040W120G3-4AG用于充电桩电源模块DCDC阶段的LLC/移相全桥电路。

B2M040120Z性能参数及封装

相比上述品牌型号，B2M040120Z的Coss更小（115pF），抗侧向电流触发寄生BJT的能力更强，体二极管的Vf和trr的优势明显，能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。综合来看，B2M040120Z在LLC/移相全桥型电源应用中的表现会更好。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点：

更低比导通电阻：通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

更低器件开关损耗：器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性：通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高工作结温：工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。

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