国芯思辰|碳化硅MOSFET B2M065120Z助力工业电源功率密度提升

目前大部分工业产品的应用都离不开电源，比如工业自动化控制、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表等工业领域电源。因此，工业电源需要SiC功率器件来满足不同工业应用领域电源的安全性和可靠性要求。

本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A等进口型号。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z基于6英寸晶圆平台开发，与上一代产品相比，拥有更低比导通电阻（降低约40%）、器件开关损耗（降低约30%），以及更高可靠性和更高工作结温（175°C）等优越性能。产品类型也进一步丰富，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

B2M065120Z性能参数：

B2M065120Z是全新的SOT-227-4封装，采用氮化铝（AlN）陶瓷基板，具有热导率高、强度高、热膨胀系数低等优点，氮化铝陶瓷基板热导率(170~230W/mK)是氧化铝陶瓷基板的9.5倍，热阻Rth(jc)低至0.12K/W。

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本，为工业电源提供有效解决方案，具有巨大的市场前景。

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