华合德新材料李灏文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC单晶技术

大尺寸SiC单晶具有更大的晶片尺寸和更高的晶片质量，技术的不断改进，为高性能SiC器件的制备提供更好的材料基础，推动碳化硅技术在功率电子、射频和光电子等领域的广泛应用。

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

期间，西安华合德新材料科技有限公司技术副总经理李灏文做了“面向低成本碳化硅功率器件用的大尺寸SiC 单晶技术”的主题报告。

碳化硅材料是制作高频、高温、抗辐射、大功率和发光器件的优异材料。具有高可靠、高温、高电压、大功率、节能等特点，应用优势明显。目前全球40%能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体功率器件。

碳化硅（SiC）器件特别适合新能源汽车、深井钻探、太阳能逆变器（实现直流与交流的转换）、风能逆变器、工业驱动以及轻轨牵引等需要大功率电源转换的应用。当前碳化硅在新能源汽车的渗透率只有24%，在光伏逆变器的渗透率只有20%，在轨道交通中只有2%。前景非常广阔。

碳化硅晶片对下游外延和器件有诸多影响。报告指出，碳化硅晶体制备要求高，相对于Si，SiC的下游需要新的设备，并且引入新的工艺。碳化硅晶片技术将向扩大晶圆尺寸、改进碳化硅长晶工艺、切片工艺控制的方向发展。