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为什么说碳化硅替换硅器件正当时

合科泰半导体 来源:合科泰半导体 2026-05-26 09:36 次阅读
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开篇

碳化硅替换传统硅基功率器件,已经不是一种趋势,而是正在发生的事实。碳化硅不仅在汽车驱动、光伏储能等高压要求领域应用,还有充电桩、PD快充适配器也已经渗透很多,超出了预期。合科泰不仅深耕功率器件多年,还重点主推碳化硅产品线,由此通过碳化硅材料的六大优势和应用系统成本,说明为什么现在是碳化硅替换硅器件的重要时期。

碳化硅材料的六大优势

碳化硅材料实际上就是碳元素和硅元素形成的一种化合物,少有人知道的是,做好的碳化物可用于半导体,作差的碳化物则可作为首饰的人造钻石。目前的主流功率器件仍然是硅基的,不管是平面还是沟槽器件,使用硅器件做高压的代价很高,比如1200V、1700V以上的MOS管或二极管成本相当高昂。碳化硅器件与硅基器件相比,由于宽带隙、高击穿电场强度、良好的热导率、高熔点以及高电子饱和速率的材料特性,这些特性带来了六大显著应用优势,散热更快、耐温能力更强、耐高压、耐高频、损耗低、抗辐射能力强。

比如传统硅基器件一般工作在125到150℃,碳化硅可稳定运行在175~200℃,而只要封装材料跟得上,甚至能持续稳定工作在200℃以上;得益于碳化硅材料更高的临界击穿电场等特性,碳化硅器件能够被设计成具有更低的寄生电容,从而大幅降低开关过程中的充放电损耗。在相同过流能力下,碳化硅芯片面积可缩小至硅的约1/10,同等晶圆面积能切出近10倍的芯片颗粒数。

而对比氮化镓,碳化硅在高频性能上稍逊,但高温特性明显占优。氮化镓125°C时内阻会翻倍,通流能力急剧下降。碳化硅在高温下内阻变化很小,动态电阻几乎不变,在高温、大功率场景下是更稳妥的选择。

碳化硅在消费电子系统成本

碳化硅公认的应用领域在汽车电驱和充电桩上,但消费电子是下一个爆发点。消费电子选型不只是单看开关管价格,还要看系统总成本。

像PD快充适配器是消费电子中最典型的场景。由于碳化硅芯片可切出更多的芯片颗粒,目前碳化硅MOSFET的价格已经与硅基超结产品接近了,如果在PD快充适配器的场景中,使用了碳化硅器件提升开关频率后,变压器可选用更小一号的线圈,在同步整流部分可以选用更低耐压的器件,甚至线材线径也可以减小。比如某一适配器厂家把硅基方案改成碳化硅后,变压器规格缩小,同步整流耐压从85V降到60V,线材线径减了一号,这样整个系统的BOM成本降低约10%。对于大批量出货的消费电子市场里面,这个差价已经是非常可观了。

碳化硅在消费电子中还有两个常被忽视的优势。一个是耐压裕量高很多,比如650V碳化硅器件的实际耐压可达到900V,远超硅基产品,对于浪涌敏感的应用,这意味着更高的可靠性。二就是相对氮化镓的成本上有优势,像是消费类应用里常见的100到130kHz开关频率里,氮化镓的高频优势无法发挥。而据市场反馈,部分碳化硅方案成本仅为氮化镓的1/2到1/3。

目前,国内主流的终端厂商很多都已经在实验室验证了碳化硅方案,这意味着市场对碳化硅的接受度持续提升。等到国内IC厂商推出适配碳化硅驱动的控制芯片,消费类应用的推广瓶颈就会快速突破。

从硅到碳化硅

合科泰在功率半导体领域深耕多年,积累了丰富的器件选型与应用支持经验。我们推出碳化硅产品线,正是为了将我们在硅基器件应用中沉淀的对系统需求、散热设计、可靠性要求的理解,无缝延伸到新一代的SiC方案中,助力我们的客户实现平稳、高效的技术迭代。合科泰部分碳化硅产品如下表:

SiC肖特基二极管(650V)

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SiC MOSFET(1200V)

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公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务,满足企业研发需求。

产品供应品类:全面覆盖分立器件及贴片电阻等被动元件,主要有MOSFET、TVS肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管、电阻、电容。

两大智能生产制造中心:华南和西南制造中心(惠州7.5万㎡+南充3.5万㎡)配备共3000多台先进设备及检测仪器;2024年新增3家半导体材料子公司,从源头把控产能与交付效率。

提供封装测试OEM代工:支持样品定制与小批量试产,配合100多项专利技术与ISO9001、IATF16949认证体系,让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。

合科泰在始终以“客户至上、创新驱动”为核心,为企业提供稳定可靠的元件。

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原文标题:消费电子领域替换:为什么说碳化硅替换硅器件正当时?

文章出处:【微信号:合科泰半导体,微信公众号:合科泰半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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