陆芯：YGW15N120T1 YGW15N120T3 YGW15N120F1A替代IKW15N120T2 IKW15N120H3
上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代Trench Field-Stop技术的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT，1700V系列IGBT，Hybrid系列IGBT，中压SGT MOS等多个系列产品；性能优异，可靠性和稳定性高，广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域。
上海陆芯的产品（IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD）包括芯片、单管和模块，具有以下技术优势：
1.优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，达到工业级和汽车级可靠性标准；
2.控制少子寿命，优化饱和压降和开关速度，实现安全工作区（SOA）和短路电流安全工作区SCSOA性能最优；
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性，抑制IGBT的闩锁效应；
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺；实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
YGW15N120T1 1200V 15A TO247对标 英飞凌IKW15N120T2
用于：电机驱动/UPS
YGW15N120T31200V 15A TO247对标 英飞凌IKW15N120T2
用于：电机驱动/UPS
YGW15N120F1A1200V 15A TO247对标 英飞凌IKW15N120H3,IHW15N120R3
用于：感应加热/逆变器
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1293文章
4466浏览量
265252
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
# onsemi碳化硅MOSFET NTHL020N120SC1深度剖析
onsemi碳化硅MOSFET NTHL020N120SC1深度剖析 在电子工程师的日常工作中，功率器件的选择对于电路性能起着关键作用。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的碳化硅
onsemi碳化硅MOSFET NVBG030N120M3S技术剖析
）MOSFET——NVBG030N120M3S。 文件下载： NVBG030N120M3S-D.PDF 一、产品概述 NVBG030N120M3S是一款采用D2PAK - 7L封装的
onsemi碳化硅MOSFET NVHL020N120SC1深度解析
onsemi碳化硅MOSFET NVHL020N120SC1深度解析 在电子工程领域，功率半导体器件的性能对整个系统的效率和可靠性起着关键作用。今天，我们来深入探讨onsemi推出的一款碳化硅
ON Semiconductor FSBB15CH120DF Motion SPM® 3 系列模块深度解析
ON Semiconductor FSBB15CH120DF Motion SPM® 3 系列模块深度解析 一、引言 在工业电机控制领域，一款性能卓越的逆变器输出模块往往能起到事半功倍的效果
ON Semiconductor FSBB15CH120D Motion SPM® 3 Series模块解析
ON Semiconductor FSBB15CH120D Motion SPM® 3 Series模块解析 在电子工程领域，功率模块的性能和可靠性对于各类应用至关重要。今天我们来深入了解一下
onsemi NXH200T120H3Q2F2SG与NXH200T120H3Q2F2STG模块的技术剖析
onsemi NXH200T120H3Q2F2SG与NXH200T120H3Q2F2STG模块的技术剖析 在电力电子领域，不断追求更高效率和可靠性的功率模块是工程师们的重要目标。onsemi
5.3A、1200V NPT系列N沟道IGBT：HGTD1N120BNS与HGTP1N120BN详解
5.3A、1200V NPT系列N沟道IGBT：HGTD1N120BNS与HGTP1N120BN详解 一、前言 在电子工程师的日常设计中，选择合适的功率器件至关重要。今天我们要介绍
电子工程师必看：HGTG10N120BN等IGBT器件深度剖析
半导体器件，广泛应用于各种高电压、高功率的开关电路中。今天我们就来详细探讨Fairchild Semiconductor的HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和HGT1S10N120
探索 onsemi NGTB15N120FL2WG IGBT：高效开关应用的理想之选
探索 onsemi NGTB15N120FL2WG IGBT：高效开关应用的理想之选 在电子工程领域，IGBT（绝缘栅双极晶体管）一直是功率电子应用中的关键组件。今天，我们将深入探讨 onsemi
FDD120AN15A0 N沟道MOSFET：特性、应用与设计要点
FDD120AN15A0 N沟道MOSFET：特性、应用与设计要点 在电子设计领域，MOSFET作为一种关键的半导体器件，广泛应用于各种电路中。今天，我们来详细探讨一下 onsemi 公司
onsemi FDP075N15A与FDB075N15A MOSFET深度解析
onsemi FDP075N15A与FDB075N15A MOSFET深度解析 在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响到电路的效率和稳定性。今天，我们来深入了解一下安森美
Onsemi FDP075N15A与FDB075N15A MOSFET深度剖析
Onsemi FDP075N15A与FDB075N15A MOSFET深度剖析 在电子设计领域，MOSFET是一类极为关键的器件，广泛应用于各种电路中。今天我们来详细了解Onsemi公司的两款N沟道
陆芯科技推出IGBT单管YGW15N120TMA1
陆芯科技正式推出1200V15A GEN3 IGBT单管，产品型号为YGW15N120TMA1。产品采用LUXIN FS-Trench GE
陆芯科技推出IGBT单管YGW50N120TMA1
陆芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT单管，产品型号为YGW50N120TMA1。产品采用LUXIN FS-Trench GE
陆芯科技推出IGBT单管AU40N120T3A5
陆芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT单管，产品型号为AU40N120T3A5。产品采用LUXIN FS-Trench Gen
评论