Next Generation Lithography Materials
撰稿人:北京科华微电子材料有限公司 陈昕
审稿人:复旦大学 邓海
9.5 光掩模和光刻胶材料
第9章 集成电路专用材料
《集成电路产业全书》下册



声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5446文章
12476浏览量
372749
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
光刻胶剥离工艺
光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键步骤,其核心目标是高效、精准地去除光刻胶而不损伤基底材料或已形成的结构。以下是该工艺的主要类型及实施要点:湿法剥离技术有机溶剂溶解法原理:使用丙酮、NMP
EUV光刻胶材料取得重要进展
电子发烧友网综合报道 随着集成电路工艺的不断突破, 当制程节点持续向7nm及以下迈进,传统的光刻技术已难以满足高精度、高密度的制造需求,此时,波长13.5nm的极紫外(EUV)光刻技术逐渐成为支撑
从光固化到半导体材料:久日新材的光刻胶国产替代之路
当您寻找可靠的国产半导体材料供应商时,一家在光刻胶领域实现全产业链突破的企业正脱颖而出——久日新材(688199.SH)。这家光引发剂巨头,正以令人瞩目的速度在半导体核心材料国产化浪潮
国产光刻胶突围,日企垄断终松动
电子发烧友网综合报道 光刻胶作为芯片制造光刻环节的核心耗材,尤其高端材料长期被日美巨头垄断,国外企业对原料和配方高度保密,我国九成以上光刻胶依赖进口。不过近期,国产
行业案例|膜厚仪应用测量之光刻胶厚度测量
光刻胶,又称光致抗蚀剂,是一种关键的耐蚀剂刻薄膜材料。它在紫外光、电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射下,溶解度会发生变化,主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。由于
低含量 NMF 光刻胶剥离液和制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言 在半导体制造过程中,光刻胶剥离液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)虽在光刻胶剥离方面表现出色,但因其高含量使用带来的成本、环保等问题备受关注。同时,光刻
光刻胶产业国内发展现状
如果说最终制造出来的芯片是一道美食,那么光刻胶就是最初的重要原材料之一,而且是那种看起来可能不起眼,但却能决定一道菜味道的关键辅料。 光刻胶(photoresist),在业内又被称为光阻或光阻剂
半导体材料介绍 | 光刻胶及生产工艺重点企业
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液
晶圆表面光刻胶的涂覆与刮边工艺的研究
随着半导体器件的应用范围越来越广,晶圆制造技术也得到了快速发展。其中,光刻技术在晶圆制造过程中的地位尤为重要。光刻胶是光刻工艺中必不可少的材料,其质量直接影响到晶圆生产的效率和质量。本
光刻胶成为半导体产业的关键材料
光刻胶是半导体制造等领域的一种重要材料,在整个电子元器件加工产业有着举足轻重的地位。 它主要由感光树脂、增感剂和溶剂等成分组成。其中,感光树脂决定了光刻胶的感光度和分辨率等关键性能,增

9.5.11 新型光刻胶材料∈《集成电路产业全书》
评论