新品 | 30/40kW EasyPACK™ 2B 650V三电平和Boost IGBT模块
新品
三电平和Boost IGBT模块
三电平+Boost电路是中功率UPS和UPS单元的常见解决方案。本系列产品采用650V HIGHSPEED3 IGBT和Rapid二极管，目标功率范围从30千瓦到40千瓦。
三电平+Boost电路是中功率UPS和UPS单元的常见解决方案。
EasyPACK 2B功率模块是为满足更大功率的UPS应用需求而设计的。通过这一产品系列的扩展，可以实现整个UPS系统的功率范围从30千瓦到40千瓦。
F3L100R07W2H3_B11和F3L150R07W2H3_B11是DC/AC逆变器的最佳选择，也可以用于直流/交流逆变器。
DF200R07W2H3_B77、DF300R07W2H3_B77是为UPS系统中的DC/DC设计的。
模块采用了PressFIT引脚，PCB按装免焊接，效率高、可靠性高。
产品特点
产品成系列
Easy 2B封装
650V IGBT HIGHSPEED3沟槽栅场终止芯片技术
650V Rapid二极管
PressFIT压接针
应用价值
高功率密度
高效率
易于设计，对逆变器和升压器的设计都有很高的自由度
应用领域
UPS
原理框图
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
模块
+关注
关注
7文章
2822浏览量
52795
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
龙腾半导体推出四款650V F系列IGBT新品
随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升，IGBT作为电力电子系统的核心开关器件，其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求，龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGB
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块
新品 | 面向低功率储能应用的Easy模块产品扩展
新品面向低功率储能系统应用的产品扩展●采用最新1200VTRENCHSTOPIGBT7和EC7快速二极管技术的三电平NPC1拓扑的EasyPACK3B
新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术，为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50
【新品速递】AEV分体式800KW充电机：30/40kW恒功率模块，1000V高电压满足各类车型充电需求
产品简介：AEV系列为全新一代分体式电动汽车直流恒功率快速充电机。系统内置30/40kW恒功率充电模块，至高输出电压1000V，满足各类车辆充电需求。
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三
30/40kW 恒功率输出！安科瑞 AEV 充电机，全车型适配的 “充电神器” 来了
安科瑞售前工程师徐悦18702111076（同微信） AEV系列为全新一代分体式电动汽车直流恒功率快速充电机。系统内置30/40kW恒功率充电模块，至高输出电压1000V，满足各类车辆
新品 | 储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
新品储能用1200V500ANPC2三电平IGBTEasyPACK3B模块1200
新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
新品EasyDUAL1B和2B，1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1
40kw用多大电缆
对于40kW的电气设备，通常可选用16平方毫米铜芯电缆或25平方毫米铝芯电缆，具体选择需结合供电方式、线路长度及环境因素综合判断。以下为具体分析： 一、电流计算 三相供电 公式：I
英飞凌车规级IGBT功率模块FF300R08W2P2_B11A产品概述
英飞凌车规级IGBT功率模块FF300R08W2P2_B11A，这款750V模块是英飞凌著名的“Easy
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体
发表于 01-22 10:43
高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V介绍
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术IGB
NSG6000 650V单通道半桥栅极驱动芯片介绍
NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMO
芯达茂国产IGBT模块，国产IBGT单管 全系列型号
TO-247-3L
国产IGBT功率模块：
XP015PJE120AT1B1 应用：电机控制(变频器)15A 1200V EasyPack
发表于 12-19 15:03
工商网监
评论