新思携手台积公司推动半导体创新，以N3E工艺加速前沿应用芯片设计

来自业界领先公司的多个成功流片案例展示了新思科技解决方案强大的可靠性，并为实现流片成功提供了更快路径。

新思科技（Synopsys）近日宣布，得益于与台积公司的长期合作，新思科技针对台积公司N3E工艺技术取得了多项关键成就，共同推动先进工艺节点的持续创新。新思科技经产品验证的数字和定制设计流程已在台积公司N3E工艺上获得认证。此外，该流程和新思科技广泛的基础IP、接口IP组合已经在台积公司N3E工艺上实现了多项成功流片，助力合作伙伴加速实现流片成功。值得一提的是，双方在先进工艺方面的合作也延伸到了模拟设计迁移、AI驱动设计等方面。

台积公司与新思科技在推进半导体创新方面的长期合作，持续解决了新兴应用带来的日益复杂的挑战。新思科技在台积公司N3E工艺上实现的EDA和IP的全新成果，为我们的共同客户提供了强大的解决方案，助力他们满足创新设计的严苛的功耗、性能和面积目标。

Dan Kochpatcharin

设计基础设施管理事业部负责人

台积公司

台积公司的N3E工艺进一步扩展了其3nm技术，提高了功率、性能和良率，满足了高性能计算、AI和移动设备等工作负载密集型应用的需求。得益于新思科技 DSO.ai技术和新思科技Fusion Compiler在AI驱动芯片设计方面的强大功能，已经有多个经过验证的N3E测试案例──实现了更好的PPA和更快的设计收敛。此外，双方的协力合作让合作伙伴能够将早期工艺节点上的现有设计无缝过渡到台积公司的N3E工艺。

 最近取得的这些成就，标志着新思科技和台积公司持续成功合作的又一个重要里程碑。我们针对台积公司的先进工艺提供经过认证的EDA解决方案和经过硅验证的IP组合，并进行了大量的投入，从而为开发者提供了实现其关键设计要求的低风险途径。

Sanjay Bali

芯片实现事业部营销与战略副总裁

新思科技

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