NP2300MR（n沟道增强型MOSFET）

描述
NP2300MR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费
超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
应用程序。

一般特征

 VDS =20V，ID=5A
RDS(上)(Typ) = 24 mΩ@ vg = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 30 mΩ@VGS = 2.5 v
 High 功率 和 电流 处理 能力
 Lead 免费 产品
 Surface 安装 包

应用程序
 PWM 应用 程序
 Load 开关

封装
 SOT-23-3L

原理图

标记和引脚分配

订购信息

审核编辑 黄昊宇