NP4409SR 30V p通道增强模式MOSFET

描述

NP4409SR采用先进的沟槽技术

设计为低栅极提供优良的RDS(ON)

电荷。可用于负载开关和电池

保护应用程序。

一般特征

VDS = -30v, id = -15a

RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 8.3Ω@VGS = -4.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

电池保护

 Load 开关

包

SOP-8

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

热特性

答:R qJA是用设备安装在1in 2 FR-4单板上2oz测量的。铜，在静止的空气环境中

T = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于

t≤10s热阻额定值。

B: R qJA是从结到引线R qJL和引线到环境的热阻抗之和。

审核编辑 黄昊宇