NP6P02DR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP6P02DR采用了先进的沟槽技术
提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和
工作电压低至1.8V。这
该器件适用于作为负载开关或PWM
应用程序。
一般特征
VDS = -20v, id = -6a
RDS(上)(Typ) = 39 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 58米Ω@VGS = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
PWM程序
负荷开关
包
DFN2 * 2-6L-B
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
热阻评级
注:
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
审核编辑 黄昊宇
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