NP40P012D3 12V p通道增强模式MOSFET

描述

NP40P012D3采用先进的战壕提供优良的RDS(ON)和低栅极技术电荷。它可以用于各种各样的应用。

一般特征

VDS = -12v, id = -40a

RDS(上)(Typ) = 6.9Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 9.3Ω@VGS = -2.5 v

高密度电池设计超低Rdson

充分描述雪崩电压和电流

稳定性好，均匀性好，EAS高

优秀的包装，良好的散热

高ESD能力的特殊工艺技术

100% ui测试

应用程序

汽车应用程序

硬开关和高频电路

不间断电源包

PDFN3.3 8 * 3.3 l

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

注:1:东亚峰会测试:VDD = 6 v, RG = 25欧姆,L = 500哦

2:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。

3:设计保证，不经生产检验。

审核编辑：符乾江