什么是驱动DDR5 有什么新功能

随着人工智能、机器学习和大数据分析等诸多因素驱动的应用程序继续需要更高的带宽、容量和性能，市场继续要求 CPU 提供更高的容量、速度和性能。为了尽快将数据传输到 CPU，DDR5 DRAM 旨在提供具有较低延迟访问的数据。CPU 也越来越快，因此需要更高的带宽以将数据快速移动到需要它的内核，而 DDR5 为高达 6400Mbps 的带宽打开了大门。DRAM 容量对于计算系统也至关重要，以确保所需的数据可以存储在那里。内存容量越大，操作系统就越有可能将下一个需要的数据保存在内存中，而不是将其移动到较慢的存储中。在过去的几十年里，缩小晶圆厂工艺导致 DRAM 芯片密度持续增长。凭借当今的现代化生产设施，DDR4 目前能够实现每个裸片高达 16Gb，而 DDR5 将能够实现更高的密度，并享受堆叠功能，例如 3D Stack Through Silicon Via，以适应更高容量的模块。

DDR5 引入了新功能，可让下一代系统不断进步并满足客户需求。DDR5 将实现更高的性能（高达 6400Mbps 的更高信号速率和改进的内存通道利用率）和扩展。在裸片上，纠错码 （ECC） 允许在不增加成本的情况下缩小下一个工艺，更改内核时序以改进设计缩放，以及更高的裸片密度以更低的功耗实现更高的容量。

DDR5 有什么新功能？

2X 通道速度提升

DDR5 中的内存带宽将达到 6400 MT/s 通道速度，初始速度为 4800 MT/s。DDR4 最大速度为 3200 MT/s。这些更高的速度将带来业界期待的更高性能。

更高的 DIMM 密度

DRAM 密度 - 单个 DRAM 裸片封装最多可具有 16Gb，在 8 层高堆栈裸片封装上允许最大 128Gb。

更高容量的 DRAM 允许更高容量的 DIMM。DDR5 目前可以在单个 DIMM 上拥有高达 512GB 的 DIMM，在 8Rx4 配置中使用 8 高堆栈、基于 16Gb 的 DRAM 组件。

低功耗

随着工作电压 - VDD/VDDQ/VPP 从 DDR4 的 1.2V 降低到 DDR5 的 1.1V，DDR5 的功耗更低。这有助于降低服务器和 PC 的功耗，这对于减少数据中心和办公楼的碳足迹变得至关重要。

更高效的电源和温度管理

DIMM 上的稳压器允许在 DIMM 级别进行更有效的电源管理。

DIMM 上的温度传感器提供杂散热监控和控制。

DIMM 上的 2 个 40 位子通道

连发长度 16

命令和地址接口上的双数据速率 （DDR），与使用 DDR4 的命令和地址接口上的单数据速率 （SDR） 不同

服务器 DIMM 架构和产品

在 DDR5 中，电压降低到 1.1V，频率范围显着增加，DQ 总线宽度从 72 位增加到 80 位。与 DDR4 LRDIMM 相比，DDR5 LRDIMM 上有一个额外的数据缓冲区，并且 RCD 和 DRAM 都添加了 DFE 支持。添加了一个额外的温度传感器，并且在 DIMM （PMIC） 上将有一个电压调节器，这在 DDR4 中不存在。最后，将有 I 3 C 边带总线协议支持。有关详细信息，请参见图 1。

图 1. 服务器 DIMM

客户端 DIMM 架构和产品

DDR5 客户端（图 2）和游戏 DIMM（图 3）将需要客户端 PMIC 和 SPD HUB。这些在 DDR4 中不是必需的。

内存条

图 2. 客户端 UDIMM

SODIMM

图 3. 客户端 SODIMM

瑞萨为 DDR5 提供什么？

与前几代 DDR 存储器接口产品一样，瑞萨的器件在性能和可靠性方面处于市场领先地位。瑞萨拥有完整的 IC 系列来开发高性能 DDR5 DIMM，包括 - RDIMM、LRDIMM、NVDIMM、UDIMM、SODIMM、游戏 DIMM 以及用于服务器和客户端内存下降应用的内存接口产品。

瑞萨的产品组合包括：

寄存时钟驱动器 （RCD） 5RCD0148

用于 RDIMM 和 LRDIMM的

电源管理 IC （PMIC） P8900 用于客户端内存模块的电源管理 IC （PMIC） P8911

SPD 集线器SPD5118

温度传感器TS5111

数据缓冲器5DB0148

I 3 C 转接驱动器和扩展器产品

Renesas 的 DDR5 和 I 3 C 扩展器 IC 系列使下一代服务器和客户端 DIMM 以及服务器和客户端主板解决方案能够有效地扩展到卓越的性能、密度和可靠性，同时降低整体系统功耗。凭借为所有 DDR 代提供业界领先的内存接口芯片组的悠久历史，瑞萨的设备将提供可靠的性能，以满足最苛刻的企业和数据中心应用。我们是所有 DDR5 DIMM 接口产品的唯一一站式商店。

审核编辑：郭婷