用上4nm工艺！高通Wear 5100最新参数曝光

电子发烧友网报道（文/李诚）2月22日，有国外媒体在网上披露了高通正处于开发阶段的两款可穿戴处理器芯片相关信息。据悉，这两款芯片将会被命名为Snapdragon Wear 5100和5100+。

 
图源：高通

目前该系列处理器芯片已经采用5nm工艺进行试生产，报道中明确地指出，该系列芯片到收尾阶段将会以4nm工艺呈现，预计将会交由三星代工。与前代产品Wear 4100的12nm工艺相比，Wear 5100系列在生产工艺方面有着显著的提升，芯片的性能和功耗有望得到新的突破。并且这两款芯片将同时支持Android和Wear OS两个操作系统。

Wear 5100系列芯片均采用了4颗基于ARM架构的Cortex-A53内核，峰值频率可达1.7GHz的CPU，与前代产品Wear 4100使用的处理器内核一致。不过在图形处理能力方面，Wear 5100系列采用了1颗峰值频率可达700MHz的Adreno 702 GPU，与Wear 4100的320MHz Adreno 504相比，这将会是高通在可穿戴处理器芯片图形处理方面迈出的一大步。并且该系列芯片
并没有保留延用了两代产品的LPDDR3内存技术，而是采用了读写速率更快的LPDDR4X RAM和eMMC 5.1闪存，其中LPDDR4X RAM最高支持4Gb内存扩展，内存将会以堆叠的形式集成在芯片上。

由于该系列芯片是面向可穿戴设备应用开发的处理器芯片，为满足在智能手表的应用中，视频录像或图片拍摄的功能需求，高通在这两款芯片中内置了一个集成式的ISP，该ISP最高支持两个图像传感器的信号输入，每个图像传感器的最大分辨率为1300万和1600万像素。在启用单摄像头的情况下支持1080P的视频录制，在双摄像头同时启用的情况下，支持最高分辨率为720P每秒30帧的视频录制。

以上是Wear 5100与Wear 5100+的相同之处，不同之处在于二者所采用的封装工艺。Wear 5100采用的是模塑激光封装（MLP），SoC和PMIC分别位于载体材料上，而Wear 5100+采用的是模塑嵌入式封装（MEP），将SoC与PMIC集成在同一封装内，设计更为紧凑。

并且Wear 5100+继续沿用了主SoC+协处理器的系统架构，协处理器采用的是此前发布的QCC5100，其具有蓝牙和Wi-Fi连接功能，可在单芯片运行情况下进行数据的处理。该处理器采用的是22nm的生产工艺，以及基于ARM的Cortex-M55超低功耗内核。

在该设计架构中，协处理器将会保持着始终在线的状态，当主处理器处于工作状态时，协处理器可以辅助完成一些轻量级的数据处理，当主处理器处于深度睡眠模式时，QCC5100将会保持蓝牙与WiFi的稳定连接，实现在非交互的状态下保证信息的实时更新。同时协处理器还具备独立的GPU和屏幕驱动功能，即使主处理器在深度睡眠状态下依旧能实现屏幕唤醒的操作。基于QCC5100内置的ARM Ethos机器学习内核，可以做到无需主处理机即可实现睡眠关注和全天候心率监测等功能，并降低电池电量的消耗。

总的来说，Wear 5100+的“+”就是采用的封装工艺不同，同时还多了一个协处理器增强芯片的整体性能，能够实现更低功耗的数据传输功能，以及延长设备的续航能力和电池使用寿命。

在芯片设计方面，Wear 5100系列沿用了很多历代产品的设计架构，并且历代产品的推出时间间隔也大多为两年，尽管可穿戴设备芯片并不像手机SoC迭代节奏那么快，但也是时候要更新了。据爆料称，Wear 5100系列有望在今年推出市场，但具体时间尚未确定，毕竟该系列芯片目前还处于研发阶段。

结语

通过各项参数与历代产品对比发现，高通新一代的可穿戴处理器在性能和功耗方面均有不小的提升，尤其是采用了4nm的生产工艺和超低功耗的协处理器内核，这可能将会是高通在可穿戴处理器方面对电池最为友好的一款产品了，也符合了可穿戴芯片低功耗的发展需求。毕竟作为一个产业链上游的芯片设计厂商，为延长可穿戴设备的电池续航能力，无法控制终端设备的电池容量，那就只能从降低芯片功耗入手了。