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【新品发布】艾为推出SIM卡电平转换AW39103,成功通过高通平台认证

艾为电子 2025-07-04 18:06 次阅读
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艾为推出SIM卡电平转换产品AW39103,其凭借优异的性能,成功通过高通平台认证,并获得高通最高推荐等级(GOLD)。


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图1高通平台认证


随着手机平台处理器工艺向 4nm/3nm 演进,其 I/O 电平已降至1.2V,而SIM卡 I/O 仍遵循ISO-7816-3标准,维持Class A/B/C 三档5V/3V/1.8V(目前手机常用 3V/1.8V)。为解决平台与 SIM卡的I/O电平兼容问题,艾为推出 SIM 卡电平转换产品 AW39103,可高效实现电平转换,保障通讯稳定。



AW39103产品特性

AWINIC


主控Host端供电电压范围:1.08V~1.98V

SIM卡端供电电压范围:1.65V~3.6V

支持25MHz时钟频率

内部集成EMI滤波器

内部集成必要的上拉电阻和下拉电阻,无需额外的外部电阻

SIM卡端具有高于IEC61000-4-2最高等级的系统级ESD能力:接触放电>±8kV,空气放电>±15kV

符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3接口要求

支持主控与SIM卡之间Clock、Data、Reset信号的自动电平转换

封装:QFN 1.8mmx1.4mm-10L、FOWLP 1.06mmx1.06mm-9B


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图2 AW39103典型应用图


1

产品特点一

符合ETSI、IMT-2000标准及ISO7816-3规范,可确保SIM卡的正常启用与禁用操作。

AW39103集成三路电平转换器,可对SIM卡的RST、CLK 及IO信号进行电平转换,实现SIM卡端口(1.8V/3V)与主芯片端口(1.2V/1.8V)的正常通讯。产品遵循 ISO-7816-3 标准的关机时序要求:当EN引脚置低时,先关闭 RST_SIM 通路启动关机流程,随后CLK_SIM 和IO_SIM通路由内部下拉电阻拉低,整个关机时序可在10μs内完成,既能确保SIM卡正确禁用以降低功耗,也能在热插拔场景中避免数据误写与损坏。


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图3 AW39103关断时序


2

产品特点二

SIM卡端具有强健的ESD防护能力,可省去外部ESD器件,简化设计流程。


AW39103的SIM卡端具备强劲ESD防护能力,可满足IEC 61000-4-2系统级ESD最高等级要求。传统设计中,工程师通常需额外增加或预留ESD防护器件以应对ESD 事件;而采用AW39103后,因其SIM卡侧已集成高等级系统级ESD防护,可直接省去外部ESD器件,简化设计流程。


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图4 传统平台与先进平台设计对比


艾为在电平转换产品领域拥有多年技术积累,全系列产品覆盖消费电子、工业互联、汽车应用等多元场景。详细产品规格可参考下表:


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