onsemi 的 NDS9945 双 N 通道增强型场效应晶体管技术解析

在电子工程领域，高性能的场效应晶体管是众多电路设计的核心元件。今天我们要详细介绍 onsemi 公司的 NDS9945 双 N 通道增强型场效应晶体管，它在低电压应用中表现卓越，下面将从多个方面深入剖析这款产品。

文件下载：NDS9945-D.pdf

产品概述

NDS9945 是采用 onsemi 专有、高单元密度 DMOS 技术生产的 SO - 8 N 通道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专为提供卓越的开关性能和最小化导通电阻而设计，非常适合用于磁盘驱动器电机控制、电池供电电路等低电压应用场景，这些场景通常需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。

产品特性

电气性能

• 电流与电压能力：具备 3.5 A 的连续电流和 60 V 的漏源电压，能满足多种电路的功率需求。
• 低导通电阻：在 (V{GS} = 10 V) 时，(R{DS(on)} = 0.100 Omega)，有效降低了电路中的功率损耗。

  设计优势

• 高密度单元设计：极大地降低了 (R_{DS(ON)})，提高了开关效率。
• 高功率和电流处理能力：采用广泛使用的表面贴装封装，能在有限的空间内实现高效的功率转换。
• 双 MOSFET 集成：表面贴装封装内集成了两个 MOSFET，节省了电路板空间，简化了设计。

  环保特性

  该产品是无铅和无卤化物的环保器件，符合现代电子产品的环保要求。

绝对最大额定值

在 (T_{A}=25^{circ} C) 条件下，各项参数的绝对最大额定值如下：

• 漏源电压 (V_{DSS})：60 V
• 栅源电压 (V_{GSS})：±20 V
• 漏极电流 (I_{D})：连续电流 3.5 A，脉冲电流 10 A
• 功率耗散 (P_{D})：双路操作时为 2 W，单路操作时根据不同情况有所不同。
• 工作和存储结温范围 (T{J}, T{stg})：−55 至 +150 °C

需注意，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

• 结到环境热阻 (R_{theta JA})：78 °C/W（在 (0.5 in^2) 的 2 oz 铜焊盘上）
• 结到外壳热阻 (R_{theta JC})：40 °C/W

热阻参数与电路板设计密切相关，不同的焊盘尺寸会导致热阻有所变化，工程师在设计时需根据实际情况进行考虑。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (B_{V D S S})：在 (V{GS} = 0 V)，(I{D} = -10 A) 时为 60 V。
• 击穿电压温度系数 (B_{V D S S TJ})：60 mV/°C。
• 零栅压漏极电流 (I_{D S S})：在 (V{D S} = 48 V)，(V{G S} = 0 V) 时为 -1 A。

  导通特性

• 静态漏源导通电阻 (R_{D S(o n)})：在不同的 (V{G S}) 和 (I{D}) 条件下有不同的值，例如 (V{G S}=10 V)，(I{D}=3.5 A)，(T_{J}=125^{circ} C) 时为 0.076 - 0.18 Ω。

  动态特性

• 输入电容 (C_{iss})：在 (V{D S} = 25 V)，(V{G S} = 0 V)，(f = 1.0 MHz) 时为 345 pF。
• 输出电容 (C_{oss})：为 110 pF。
• 反向传输电容 (C_{rss})：为 25 pF。

  开关特性

• 开启延迟时间 (t_{d(on)})：在 (V{D D} = 30 V)，(I{D} = 1 A) 时为 5 - 25 ns。
• 开启上升时间 (t_{r})：在 (V{G S} = 10 V)，(R{G E N} = 6 Ω) 时为 7.5 - 30 ns。

  漏源二极管特性

• 漏源二极管正向电压 (V_{S D})：在 (V{G S}=0 V)，(I{S}=1.3 A) 时为 1.2 V。

典型特性

文档中还给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、导通电阻随温度的变化等。这些曲线能帮助工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能表现，从而优化电路设计。

应用与注意事项

NDS9945 适用于多种低电压应用场景，但在实际使用中，工程师需要根据具体的电路要求和工作条件，对器件的各项参数进行验证。同时，要注意避免超过器件的最大额定值，以确保器件的可靠性和稳定性。

在电子工程师进行电路设计时，NDS9945 是一款值得考虑的高性能场效应晶体管。它的诸多特性使其在低电压应用中具有很大的优势，但在使用过程中也需要谨慎对待各项参数和设计细节。你在使用类似的场效应晶体管时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。