0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

DRAM现货价涨势加速

我快闭嘴 来源:芯智讯 作者:芯智讯 2021-02-22 09:49 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2月22日消息,由于5G智能手机、笔记本电脑及平板、游戏机、服务器等市场的需求维持强劲,在预期DRAM第二季可能出现缺货情况下,近期DRAM现货价涨势加速,标准型DRAM价格创下近2年新高,缺货严重的2Gb DDR3价格更改写5年新高,法人点名南亚科、威刚、十铨直接受惠,看好第一季获利大跃进。

今年以来DRAM市场供给吃紧,现货价及合约价同步上涨,中国农历春节假期后需求不减反增,包括疫情带动的数位转型持续加速,笔记本电脑及平板、WiFi装置、游戏机等销售畅旺且呈现缺货,5G智能手机买气依旧强劲。再者,数据中心提高资本支出,英特尔AMD推出新款服务器处理器,亦带动服务器需求止跌回升。

新一代笔记本电脑、5G手机、服务器等需要搭载更高容量DRAM,但包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂自去年下半年以来,主要投资集中在1Z nm及更先进制程工艺,新增产能只是填补制程微缩的产能自然减损,并没有额外再增加太多产能。随着DRAM位元供给量成长停滞,但需求持续拉高,第一季DRAM供不应求,业界预估第二季可能出现缺货。

三大DRAM厂产能优先供应给合约市场,2月中旬之后几乎没有新货源可释出至现货市场,因此在中国农历春节长假后,DRAM现货市场因供货不足而造成价格涨势加速。以标准型DRAM来看,8Gb DDR4现货价涨破4美元,4Gb DDR4现货价站上2.5美元,价格改写2019年第二季来的近2年新高。

利基型DRAM价格涨势更为犀利,受到国际大厂降低4Gb以下容量颗粒产能及减少DDR3投片情况影响,x16规格4Gb DDR3现货价已站上3美元,缺货严重的2Gb DDR3现货价约达2美元,创下5年来新高纪录。然而在三大DRAM厂减少供给之际,利基型DRAM订单涌向台湾,南亚科、华邦电等受惠最大,订单满载到下半年且价格持续看涨。

由于DRAM现货价全面上涨趋势明确,业界预期合约价将逐季调涨,且涨幅会逐季放大,法人看好南亚科受惠最大。南亚科1月合并营收月增9.0%达55.32亿元,较去年同期成长22.9%优于预期,第一季获利将看到明显成长幅度。

现货价大涨对于模组厂营运带来的营收及获利成长效益更为明显。威刚公告1月合并营收月增4.8%达29.31亿元,较去年同期成长59.5%。十铨公告1月合并营收月减10.5%达6.85亿元,与去年同期相较成长55.9%。法人预期威刚及十铨第一季获利大跃进,营运逐季成长并看旺到下半年。
责任编辑:tzh

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 处理器
    +关注

    关注

    68

    文章

    20148

    浏览量

    247103
  • 智能手机
    +关注

    关注

    66

    文章

    18672

    浏览量

    185556
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2373

    浏览量

    188153
  • 5G
    5G
    +关注

    关注

    1366

    文章

    49067

    浏览量

    590040
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    DDR4价格疯涨!现货市场狂飙!

    下,渠道抢货助推价格上涨。未来随着大厂的减产,其他内存厂商承接市场需求或将持续影响DDR4的供需走势。   极速涨价   CFM闪存市场数据显示,近期渠道资源从高端到底部低端料号价格自上而下全线走高,渠道存储厂商仍坚定强势拉涨DDR4 UDIMM报价,部分DDR4颗粒现货价
    的头像 发表于 06-19 00:54 9818次阅读
    DDR4价格疯涨!<b class='flag-5'>现货</b>市场狂飙!

    DRAM和SRAM、SDRAM相比有什么特点?

    DRAM利用电容存储数据,由于电容存在漏电现象,必须通过周期性刷新来维持数据。此外,DRAM采用行列地址复用设计,提高了存储密度,但增加了控制复杂性。它广泛用于大容量、低成本存储场景,如计算机内存。
    的头像 发表于 11-18 11:49 261次阅读

    内存价格涨幅超过黄金! 怎么搞的?

    近期内存市场的涨势令人震惊。行业分析报告显示,2025年第三季度DRAM合约价格同比上涨高达171.8%,这一数字甚至超过了同期黄金的涨幅。有业内观察人士指出,2025年第四季度将标志着 “DRAM牛市” 的真正开始。市场普遍预
    的头像 发表于 11-06 16:46 2390次阅读
    内存价格涨幅超过黄金! 怎么搞的?

    一些神经网络加速器的设计优化方案

    问题介绍 1.利用本地存储 参考 CPU 的多级存储,在片内增加多级存储,类似于 Cache ,利用片上 Memory 存储部分数据,做到数据复用,减少访问 DRAM,越是靠近 ALU 计算
    发表于 10-31 07:14

    三星贴片电容MLCC现货供应与选择指南

    低至0.01元)。部分型号现货价格参考:0603 104K 50V X7R单价0.02元,1206 22μF 25V
    的头像 发表于 08-25 15:09 769次阅读
    三星贴片电容MLCC<b class='flag-5'>现货</b>供应与选择指南

    利基DRAM市场趋势

    电子发烧友网综合报道,基于产品和市场特性,DRAM可分为主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM产品具有大容量、高传输速率的特点,主要应用于智能手机、个人计算机、服务器等大规模标准化电
    的头像 发表于 06-07 00:01 3981次阅读
    利基<b class='flag-5'>DRAM</b>市场趋势

    HBM重构DRAM市场格局,2025年首季DRAM市占排名

    一季度在AI服务器保持稳健推动对服务器DRAM需求,PC和移动需求复苏力度也较预期更为明显,此外叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响下,2025年一季度整体表现优于预期,全球DRAM市场规模同比
    的头像 发表于 05-06 15:50 1044次阅读
    HBM重构<b class='flag-5'>DRAM</b>市场格局,2025年首季<b class='flag-5'>DRAM</b>市占排名

    DRAM基本单元最为通俗易懂的图文解说

    本文要点提示:           1. DRAM 的工作原理图文解说,包括读写以及存储;          2. 揭秘DRAM便宜但SRAM贵之谜。       内存应该是每个硬件工程师都绕不开
    的头像 发表于 03-04 14:45 1869次阅读
    <b class='flag-5'>DRAM</b>基本单元最为通俗易懂的图文解说

    DDR4内存价格下跌,NAND闪存减产效果未显

    TrendForce集邦咨询最新发布的内存现货价格趋势报告显示,DRAM和NAND闪存市场近期呈现出不同的态势。
    的头像 发表于 02-08 16:41 882次阅读

    DRAM与NAND闪存市场表现分化

    近日,根据TrendForce集邦咨询最新发布的内存现货价格趋势报告,DRAM和NAND闪存市场近期呈现出截然不同的表现。 在DRAM方面,消费者需求在春节过后依然没有显著回暖,市场呈现出疲软态势
    的头像 发表于 02-07 17:08 920次阅读

    DRAM与NAND闪存市场低迷,DRAM现货价格持续下滑

    般回暖,反而持续呈现出疲软态势。这一趋势直接导致了DDR4现货价格的持续下滑,尽管市场上存在部分买家对DDR5产品有特殊需求,并一度引发了其价格的临时上涨,但整体来看,DRAM市场的低迷氛围并未因此得到根本性的改善。 集邦咨询的数据显示,目前DDR4主流芯片(例如
    的头像 发表于 02-06 14:47 826次阅读

    机构:节后DDR4 内存现货价格下跌NAND闪存市场低迷

    行业芯事行业资讯
    电子发烧友网官方
    发布于 :2025年02月06日 11:58:36

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
    的头像 发表于 01-23 10:04 1298次阅读

    DRAM的基本构造与工作原理

    本文介绍了动态随机存取器DRAM的基本结构与工作原理,以及其在器件缩小过程中面临的挑战。 DRAM的历史背景与发展 动态随机存取器(Dynamic Random Access Memory,简称
    的头像 发表于 12-17 14:54 5203次阅读
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的基本构造与工作原理

    英伟达AI加速器新蓝图:集成硅光子I/O,3D垂直堆叠 DRAM 内存

    加速器设计的愿景。 英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上,采用垂直供电,集成硅光子 I/O 器件,GPU 采用多模块设计,3D 垂直堆叠 DRAM 内存,并在模块内直接整合
    的头像 发表于 12-13 11:37 1027次阅读
    英伟达AI<b class='flag-5'>加速</b>器新蓝图:集成硅光子I/O,3D垂直堆叠 <b class='flag-5'>DRAM</b> 内存