0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

用晶体管搭建常见的逻辑门电路

strongerHuang 来源:记得诚电子设计 作者:记得诚电子设计 2020-11-01 11:03 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

常见的晶体管二极管、三极管和MOS管,主要的逻辑门电路:与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门等,这篇文章介绍用晶体管搭建常见的逻辑门电路。

废话不多说,直接上图。

1. 二极管

① 二极管与门

用两个二极管组成的与门,A和B都为高电平时,Y才为高电平。

用1个二极管和1个电阻也可以组成与门。

② 二极管或门

从下图两个或门电路可以看出,A和B只要有一个为高电平,输出Y就为高电平。

同样的,用1个电阻和1个二极管也可以组成或门。

2. 三极管

① 三极管非门

A为高电平,T1导通,Y为低电平;A为低电平,T1截止,Y为高电平。

② 三极管与门

用2个NPN三极管搭建与门;A和B都为高电平时,T2和T3都导通,此时Y为高电平。

用1个NPN和1个PNP搭建的与门,当A和B均为高电平时,T4和T6都导通,Y为高电平。

③ 三极管或门

在二极管或门基础上,可以加一个NPN三极管,也可以组成或门,A和B只要有一个高电平,T5就会导通,Y会由低电平变为高电平;当A和B都为低电平时,T5才截止,Y为低电平。

④ 三极管与非门

与非门由与门和非门组成,在三极管与门基础上稍作修改,可以变为三极管与非门。

⑤ 三极管或非门

用2个PNP三极管搭建的或非门,A和B只要有一个高电平,Y就为低电平;当A和B都为低电平时,T9和T10均导通,Y为高电平。

3. MOS管

① MOS管非门

用1个NMOS和1个PMOS搭建的非门;当A为高电平时,T1截止,T2导通,Y为低电平;当A为低电平时,T1导通,T2截止,Y为高电平。

② MOS管与非门

备注:T3和T4为NMOS,T5和T6为PMOS;

A=0,B=0时,T5和T6导通,T3和T4截止,Y=1

A=1,B=0时,T3和T6截止,T4和T5导通,Y=1

A=0,B=1时,T3和T6导通,T4和T5截止,Y=1

A=1,B=1时,T5和T6截止,T3和T4导通,Y=0

③ MOS管或非门

备注:T7和T8为NMOS,T9和T10为PMOS;

A=0,B=0时,T9和T10导通,T7和T8截止,Y=1

A=1,B=0时,T7和T9截止,T8和T10导通,Y=0

A=0,B=1时,T7和T9导通,T8和T10截止,Y=0

A=1,B=1时,T9和T10截止,T7和T8导通,Y=0

4. 真值表

通过真值表能反映一个电路的功能,优秀的记得诚给出了如下门电路的真值表,小伙伴门可以巩固下各个门电路的功能。

① 与门

与门功能:输入都为1,输出才为1,只要有一个0,输出就为0,记作Y=A*B或者Y=AB;

A B Y
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1

② 或门

或门功能:输入只要有一个1,输出就为1,记作Y=A+B;

A B Y
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

③ 非门

非门:非门也叫反相器,即输入1,输出0,输入0,输出1,记作Y=A';

A Y
0 1
1 0

④ 与非门

与非门:与非门是与门与非门的结合,先与后非,记作Y=(AB)';

A B Y
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

⑤ 或非门

或非门:或非门是或门与非门的结合,先或后非,记作Y=(A+B)';

A B Y
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

5. 小结一下

用晶体管绘制常见的逻辑门电路,会让我们对晶体管的特性更加熟悉,在电路设计时更加的从容淡定,也常出现在硬件工程师的笔试题中,总之一句话,会了这些,你就是街上最靓的GAI

责任编辑:lq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 二极管
    +关注

    关注

    149

    文章

    10309

    浏览量

    176449
  • 晶体管
    +关注

    关注

    78

    文章

    10250

    浏览量

    146254
  • 逻辑门电路
    +关注

    关注

    2

    文章

    68

    浏览量

    12442

原文标题:手把手教你用晶体管搭建逻辑门电路

文章出处:【微信号:strongerHuang,微信公众号:strongerHuang】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    基于偏置电阻晶体管(BRT)的数字晶体管系列MUN2231等产品解析

    在电子电路设计中,晶体管的合理选择和应用对于电路性能起着关键作用。今天,我们就来深入探讨ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC12
    的头像 发表于 12-02 15:46 98次阅读
    基于偏置电阻<b class='flag-5'>晶体管</b>(BRT)的数字<b class='flag-5'>晶体管</b>系列MUN2231等产品解析

    MUN5136数字晶体管技术解析与应用指南

    电阻器。MUN5136数字晶体管具有简化电路设计、减少电路板空间和元件数量的特点。这些数字晶体管的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C。
    的头像 发表于 11-24 16:27 455次阅读
    MUN5136数字<b class='flag-5'>晶体管</b>技术解析与应用指南

    电压选择晶体管应用电路第二期

    电压选择晶体管应用电路第二期 以前发表过关于电压选择晶体管的结构和原理的文章,这一期我将介绍一下电压选择晶体管的用法。如图所示: 当输入电压Vin等于电压选择
    发表于 11-17 07:42

    多值电场型电压选择晶体管结构

    多值电场型电压选择晶体管结构 为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑
    发表于 09-15 15:31

    下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了!

    大多数电路中,两种晶体管共用一个栅极,但壁会阻挡这种连接,除非栅极延伸到其上方,这会增加不必要的电容。 最后,内壁叉栅仅覆盖沟道的三面,与 GAA 设计相比,其控制能力有所减弱,尤其是在沟道长度缩短
    发表于 06-20 10:40

    无结场效应晶体管详解

    当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成:双极结型晶体管(BJT)包含两个背靠背的PN 结,MOSFET也是如此。结型场效应晶体管(JFET) 垂直于沟道方向有一个 PN结,隧道穿透
    的头像 发表于 05-16 17:32 977次阅读
    无结场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>详解

    实用电子电路设计(全6本)——晶体管电路设计 下

    由于资料内存过大,分开上传,有需要的朋友可以去主页搜索下载哦~ 本文共分上下二册。本文档作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验,内容包括FET放大电路、源极跟随器
    发表于 05-15 14:24

    多值电场型电压选择晶体管结构

    为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路,实际上是对电压的一种选择,而传统二
    发表于 04-16 16:42 2次下载

    浮思特 | CMOS技术原理与应用:从晶体管结构到反相器设计

    MOSFET在数字电路中的常见形式是互补MOS(CMOS)电路。CMOS技术将n沟道和p沟道MOSFET成对集成在同一芯片上,成为数字集成电路的主导技术,相比单独使用NMOS和PMOS
    的头像 发表于 04-16 11:55 1101次阅读
    浮思特 | CMOS技术原理与应用:从<b class='flag-5'>晶体管</b>结构到反相器设计

    多值电场型电压选择晶体管结构

    多值电场型电压选择晶体管结构 为满足多进制逻辑运算的需要,设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑
    发表于 04-15 10:24

    晶体管电路设计(下)

    晶体管,FET和IC,FET放大电路的工作原理,源极接地放大电路的设计,源极跟随器电路设计,FET低频功率放大器的设计与制作,栅极接地放大电路
    发表于 04-14 17:24

    晶体管电路设计(上) 【日 铃木雅臣】

    晶体管和FET的工作原理,观察放大电路的波形,放大电路的设计,放大电路的性能,共发射极应用,观察射极跟随器的波形,增强输出电路的设计,射极跟
    发表于 04-14 16:07

    晶体管电路设计(下) [日 铃木雅臣]

    本书主要介绍了晶体管,FET和Ic,FET放大电路的工作原理,源极接地放大电路的设计,源极跟随电路的设计,FET低频功率放大器的设计和制作,栅极接地放大
    发表于 03-07 13:55

    晶体管电路设计(上)[日 铃木雅臣]

    本书主要介绍了晶体管和FET的工作原理,放大电路的工作,增强输出的电路,小型功率放大器的设计与制作,功率放大器的设计与制作,拓宽频率特性,视频选择器的设计和制作,渥尔曼电路的设计,负反
    发表于 03-07 13:46

    晶体管电路设计与制作

    这本书介绍了晶体管的基本特性,单电路的设计与制作, 双管电路的设计与制作,3~5电路的设计与
    发表于 02-26 19:55