0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三款集成PowiGaN技术的新器件

PI电源芯片 来源:PI电源芯片 2020-06-18 15:25 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

InnoSwitch3-MX隔离式开关电源IC产品系列扩大阵容,再添三款集成PowiGaN技术的新器件。作为采用InnoMux控制器IC的芯片组一部分,新的开关电源IC现可支持电视机、显示器和采用LED显示屏的家电等应用,可提供高达75 W的连续输出功率,并且无需散热片。

InnoMux芯片组可输出恒流LED驱动和恒压电子系统功率, 去除了常见的DC-DC变换器,并将元件数量减少50%以上。

该芯片组采用独特的单级功率架构,可降低损耗并将整体效率提高到91%。这使制造商可以在欧盟能效标识方案中获得更高的评分。由于具有750 V的击穿电压,新款开关电源IC还非常可靠耐用,能够保证电源在市电电压不稳的地区使用时耐受输入浪涌和电压骤升的冲击。

深入了解InnoSwitch3-MX和InnoMux芯片组

下载数据手册

访问PowiGaN技术页面

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 开关电源
    +关注

    关注

    6572

    文章

    8904

    浏览量

    499250
  • GaN
    GaN
    +关注

    关注

    21

    文章

    2385

    浏览量

    84401

原文标题:基于PowiGaN的InnoSwitch3-MX IC 可为高达75 W的显示器电源带来91%的高效率

文章出处:【微信号:Power_Integrations,微信公众号:PI电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    系统集成高频温湿度传感器(10技术参数与应用对比

    系统集成常用温湿度传感器/变送器技术特性与集成应用分析 摘要:针对工业自动化、智慧建筑、物联网等领域的系统集成需求,本文对10主流温湿度传
    的头像 发表于 04-10 09:29 282次阅读
    系统<b class='flag-5'>集成</b>高频温湿度传感器(10<b class='flag-5'>款</b>)<b class='flag-5'>技术</b>参数与应用对比

    PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英伟达800VDC架构

    Power Integrations公司的PowiGaN技术实现了1250V和1700V GaN开关器件,使设计人员能够构建高密度、高效率的电源。
    的头像 发表于 03-17 08:24 1595次阅读
    PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英伟达800VDC架构

    DRV8316:集成FET电机驱动器的技术剖析与应用指南

    DRV8316:集成FET电机驱动器的技术剖析与应用指南 在电机驱动领域,一性能卓越的驱动器能显著提升系统的效率和稳定性。TI的DRV8316
    的头像 发表于 01-07 15:30 526次阅读

    Power Integrations高压PowiGaN技术助力新兴800VDC数据中心总线架构发展

    Power Integrations正利用其高压PowiGaN技术,助力新兴800VDC数据中心总线架构的发展。作为已实现量产1250V和1700V高压GaN开关的重点供应商,PI正与NVIDIA合作,加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。
    的头像 发表于 11-20 16:49 1562次阅读

    先进拓扑与SiC碳化硅集成相混合逆变器中的应用:技术分析与器件级评估

    倾佳电子先进拓扑与SiC碳化硅集成相混合逆变器中的应用:技术分析与器件级评估 深圳市倾佳电子有限公司(简称“倾佳电子”)是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者: 倾佳电子成立于20
    的头像 发表于 11-04 09:53 1262次阅读
    先进拓扑与SiC碳化硅<b class='flag-5'>集成</b>在<b class='flag-5'>三</b>相混合逆变器中的应用:<b class='flag-5'>技术</b>分析与<b class='flag-5'>器件</b>级评估

    浅谈集成封装技术的演进

    在半导体封装领域,堆叠技术作为推动高集成度与小型化的核心趋势,正通过垂直堆叠芯片或封装实现更紧凑的封装尺寸及优化的电气性能——其驱动力不仅源于信号传输与功率分布路径的缩短,更体现在对系统级封装(SiP)与
    的头像 发表于 10-21 17:29 5294次阅读
    浅谈<b class='flag-5'>三</b>维<b class='flag-5'>集成</b>封装<b class='flag-5'>技术</b>的演进

    PI技术白皮书 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用

    白皮书‌阐释了Power Integrations业界首1250V PowiGaN HEMT的性能优势,展示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800VDC架构的功率密度和效率要求(>98
    的头像 发表于 10-14 15:34 1361次阅读
    PI<b class='flag-5'>技术</b>白皮书 1250V/1700V <b class='flag-5'>PowiGaN</b> HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用

    Power Integrations发布新技术白皮书,深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

    ,2025年10月13日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布一份新的技术白皮书,详解其PowiGaN™氮化镓
    的头像 发表于 10-14 14:19 1313次阅读
    Power Integrations发布新<b class='flag-5'>技术</b>白皮书,深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V <b class='flag-5'>PowiGaN</b><b class='flag-5'>技术</b>

    ‌LMX2582高性能宽带RF合成器(集成VCO)技术文档总结

    LMX25 82 器件是一低噪声、宽带 RF PLL,集成了 VCO,支持 20 MHz 至 5.5 GHz 的频率范围。该器件支持小数 N 和整数 N 模式,并具有 32 位小数分
    的头像 发表于 09-13 10:22 1570次阅读
    ‌LMX2582高性能宽带RF合成器(<b class='flag-5'>集成</b>VCO)<b class='flag-5'>技术</b>文档总结

    详解WLCSP集成技术

    。然而,当系统级集成需求把 3D 封装/3D IC 技术推向 WLCSP 时,传统方案——引线键合堆叠、PoP、TSV 硅通孔——因工艺窗口、CTE 失配及成本敏感性而显著受限。
    的头像 发表于 08-28 13:46 3568次阅读
    详解WLCSP<b class='flag-5'>三</b>维<b class='flag-5'>集成</b><b class='flag-5'>技术</b>

    详解电力电子器件的芯片封装技术

    电力电子器件作为现代能源转换与功率控制的核心载体,正经历着从传统硅基器件向SiC等宽禁带半导体器件的迭代升级,功率二极管、IGBT、MOSFET等器件
    的头像 发表于 08-25 11:28 2917次阅读
    详解电力电子<b class='flag-5'>器件</b>的芯片封装<b class='flag-5'>技术</b>

    基于TSV的三维集成电路制造技术

    三维集成电路工艺技术因特征尺寸缩小与系统复杂度提升而发展,其核心目标在于通过垂直堆叠芯片突破二维物理极限,同时满足高密度、高性能、高可靠性及低成本的综合需求。
    的头像 发表于 07-08 09:53 2316次阅读
    基于TSV的<b class='flag-5'>三维集成</b>电路制造<b class='flag-5'>技术</b>

    电子元器件检测技术

    电子元器件检测的重要性电子元器件作为现代电子装备的核心组成部分,其可靠性和性能直接决定了整个电子系统的稳定性和功能表现。随着电子技术的飞速发展,电子元器件的种类日益丰富,包括
    的头像 发表于 06-24 14:06 1486次阅读
    电子元<b class='flag-5'>器件</b>检测<b class='flag-5'>技术</b>

    扬杰科技出席2025功率半导体器件集成电路会议

    此前,5月22日至24日,“2025功率半导体器件集成电路会议”在南京熹禾涵田酒店顺利召开。扬杰科技受邀参加,董事长梁勤女士亲自参加会议,功率器件事业部副总经理施俊先生作为技术领队全
    的头像 发表于 05-26 18:07 1701次阅读

    全球首!英飞凌推出集成SBD的GaN FET产品

    。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。 图源:英飞凌   在功率晶体管中集成SBD的做法,此前在SiC MOSFET中,业界有不少的研究。菱在2013年提出了集成
    的头像 发表于 04-28 00:19 3501次阅读
    全球首<b class='flag-5'>款</b>!英飞凌推出<b class='flag-5'>集成</b>SBD的GaN FET产品