新的EUV光刻技术可大幅减少光刻胶用量

2月28日，美国泛林公司宣布与ASML阿斯麦、IMEC比利时微电子中心合作开发了新的EUV光刻技术，不仅提高了EUV光刻的良率、分辨率及产能，还将光刻胶的用量最多降至原来的1/10，大幅降低了成本。

泛林Lam Research的名字很多人不清楚，前不久中芯国际宣布的6亿美元半导体设备订单就是购买的泛林的产品。

泛林是一家美国公司，也是全球半导体装备行业的巨头之一，与应用材料、KLA科磊齐名，2019年营收95亿美元，在全球半导体装备行业位列第四，仅次于ASML、TEL日本东京电子及KLA。

泛林生产的设备主要是蚀刻机、CVD（化学气相沉积）、清洗、镀铜等设备，其中来自中国市场的客户是第一大来源。

这次取得重大突破的不是半导体装备，而是一项用于EUV光刻图形化的干膜光刻胶技术，而光刻胶是半导体生产中最重要的原料之一，尤其是EUV光刻胶，门槛极高，全球仅有几家公司能产。

泛林表示，全新的干膜光刻胶技术将有助于提高EUV光刻的分辨率、生产率和良率。

泛林集团的干膜光刻胶解决方案提供了显著的EUV光敏性和分辨率优势，从而优化了单次EUV光刻晶圆的总成本。

根据泛林所说，全新的干膜光刻胶应用和显影技术可以实现更低的剂量和更高的分辨率，从而增加生产率并扩大曝光工艺窗口。

此外，通过将原材料的用量降低至原来的五分之一到十分之一，泛林集团的干膜光刻胶技术不仅为客户大幅节省了运营成本，同时还为环境、社会和公司治理提供了一种更加可持续的解决方案。