高级工艺未来分化,FD-SOI受益

长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones这次再度发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。

从成本看，22nm FD-SOI的成本将和28nm HKMG成本相近，而工艺如果继续演进，例如到12nm节点，FD-SOI的成本将显著低于FinFET，12nm FD-SOI的成本比16nm FinFET低22.4%，比10nm FinFET低23.4%，比7nm FinFET低27%！这是因为12nm FD-SOI的掩膜数量要少一些，抵消了其衬底成本高过FinFET的部分。

不过他认为FD-SOI工艺只会发展到12nm，最大可能是到10nm节点，“因为再往下发展没有必要，而且会遇到很大挑战。”在他跟我私下交流时他这样解释，“但这不会影响FD-SOI的信心，因为FD-SOI客户看中的是集成度，低功耗和低成本，对于12nm以下高级工艺，有FinFET。”由此看，未来工艺技术发展会出现重大的分化，FinFET引领更高级工艺发展，而FD-SOI则发挥在低功耗、射频集成的优势。这与GF的判读一致，GF也认为12nm以上工艺市场今年依然有560亿美元空间，到2020年还会增长到650亿美元！

Jones预估随着视频图像走热，图像传感器市场会有很大发展，而ISP将是拉动FD-SOI增长的关键点，这里的ISP是靠近图像传感器需要进行各种模数处理，图像处理的器件，因为FD-SOI比16nmFinFET和28nm体硅工艺拥有更好的ADC模拟特性、更低噪声、更低功耗以及低成本，预计2027年，ISP出货量将达196亿颗。

不过对于这个观点也有业者表示，只要FD-SOI把目前28nm体硅工艺的单抢来就是非常大的增长了，也许这样会更容易些？因为Jones预估体硅工艺只会走到22nm节点，28nm体硅工艺今年有望获得329亿美元收入，如果FD-SOI能顺利从这个节点抢单，则会坐收几百亿美元收入，个人觉得很靠谱，所以建议GF和三星就去抢28nm体硅单就好！