第十届上海 FD-SOI 论坛二：FD-SOI 的设计实现，深耕边缘AI技术落地

第十届上海 FD-SOI 论坛2025年9月15日下午的专题二环节，继续聚焦 FD-SOI 的设计实现，来自多家全球半导体领导公司的专家、国内大学学者和企业代表继续分享了在 FD-SOI 设计领域的最新成果与实践经验。电子发烧友网记者在现场带业新鲜一手的报道。

从背景中的GlobalFoundries的LOGO，也在传递着MIPS被其正式完成收购的信息。 MIPS首席执行官 Sameer Wasson在论坛上带来《Chatbot to robot: AI from the datacenter to the edge》的演讲，描述了人工智能从自然语言大模型AI从数据中心走向边缘AI，即AI走向物理AI的落地技术前景。

Sameer Wasson认为，下一代的物理AI的时代即将到来，AI要从云端进入到边缘设备。

他也分享了第8代的MISP RISC-V 处理器IP产品系列。在演讲中也探讨了将数据中心 AI 引入边缘设备和终端设备的发展趋势与挑战，并分析了 FD-SOI 技术在超低功耗平台上的优势如何应对部分挑战，为 AI 在边缘设备的落地提供了技术思路。

 

上面PPT中是MIPS ForgeSTAC 参考平台。

下面表格也披露了MIPS 的22纳米 MCU的平台，以及12纳米 AI平台的对比。

MIPS 在不同技术节点（22nm vs 12nm）上提供的两种差异化参考平台，分别服务于实时控制和智能连接/AI两大市场方向。

清华大学电子工程系教授陈文华发表《基于 22nm FD-SOI CMOS 的毫米波与太赫兹电路设计》演讲。陈教授在演讲介绍了22-nm FD-SOI CMOS 技术在毫米波（mm-Wave）与太赫兹（THz）相控阵系统中的应用。

陈文华教授是国家杰出青年基金获得者，担任北京信息科学与技术国家研究中心副主任等职务，承担多项国家重大项目，发表学术论文 200 余篇，曾获多项科技奖项。在演讲中他介绍了其课题组围绕 22nm FD-SOI CMOS 工艺开展的毫米波与太赫兹集成电路研究，包括相移器、功率放大器与信号源等关键器件的设计成果，如基于互补增益控制的宽带矢量调制移相器、23-29GHz 三管堆叠式 PA 以及 127-162GHz 六倍频器等，充分展现了 FD-SOI 在毫米波与太赫兹电路设计中的优势与潜力。

陈文华教授分享总结指出，毫米波（mm-Wave）和太赫兹（THz）技术正推动相控阵系统向更高频率、超大规模、多波束、宽带以及完全集成的低成本解决方案发展；FD-SOI CMOS 具有高 fT/fMAX、低失配、更好的噪声性能以及灵活的背栅控制，使其在毫米波/太赫兹应用中优于体硅 CMOS；已采用 GF 22 纳米 FD-SOI 工艺设计了用于相控阵系统的电路。

芯原股份执行副总裁、定制芯片平台事业部总经理汪志伟分享《基于 FD-SOI 的 IP 和芯片设计平台》，详细介绍了芯原基于 FD-SOI 的 IP 和芯片设计平台，展现了芯原在 FD-SOI 设计领域的技术实力与服务能力。

芯原的混合信号IP

芯原在IOT应用中的RF IP

芯原22纳米的FD-SOI RF IP，可以看出应用非常地广泛。

相关的IP产品非常丰富，详细的IP见上面四张PPT截图，更多详细IP和技术细节就不作全部的截图分享了。

CEA-Leti 硅组件部门副主管 Martin Gallezot 带来《迈向 10nm 以下 FD-SOI 技术》演讲。 CEA-Leti 中文全名是法国原子能委员会电子与信息技术研究所。自1967年以来，法国原子能委员会电子与信息技术研究所（CEA-Leti）便一直是微纳米技术领域创新开拓的先锋。该研究所隶属于CEA，后者是科睿唯安评选的全球百强创新机构之一。CEA-Leti的“从实验室到工厂”模式旨在为创新全生命周期中的企业提供支持。从初创企业到全球大型企业，各类规模的企业都在其研发旅程的不同阶段——从概念验证到新解决方案的规模化量产——与CEA-Leti建立了长期合作关系。CEA-Leti凭借其在微纳米技术领域享誉国际的专业能力，推动开发应对低碳能源、数字化、健康、国防与安全等社会紧迫挑战的新解决方案。将所开发的技术向企业转移，是CEA-Leti使命中不可或缺的组成部分。

Martin Gallezot 在演讲中回顾了 CEA-Leti 10nm FD-SOI 研发平台的当前开发进展，概述了面临的挑战与取得的成果，并展望了 10nm 以下 FD-SOI 技术的发展前景。

目前FD-SOI产业已经可以成功实现从28纳米到12纳米的工艺。

Martin Gallezot公布了LETI的10纳米及以下的技术路标。

以及不同平台的详细的技术节点和未来实现的时间节点。以目前的规划看，10纳米工艺会在2028年中实现。CEA-Leti 硅组件部门副主管 Martin Gallezot也阐述了开发 10 纳米工艺节点面临四大主要挑战：射频（RF）性能的提升、增强的背偏置效应、高电压器件、适用于片上系统（SoC）应用的嵌入式非易失性存储器（eNVM）。“接下来更重要的事是开始规划7纳米的工艺了。”Martin Gallezot在最后表示。

来自于荷兰的Soitec执行副总裁 René Jonker 也在现场给大家作了个简单开场，接下来就把话筒交给了Soitec高级业务发展经理James Zhang，以便现场中国观众可以听懂演讲技术的细节。

James Zhang指出，Soitec是FD-SOI最主要的材料供应商。之前大部分的AI都是在云端，延时会很高，现在推理大部分放在了边缘端，以实现即时的AI能力，满足低延时、低功耗的要求.。

James Zhang通过 NXP、ST、Ericsson、Nordic的FD-SOI的量产芯片案例详细介绍了在低功耗低延时的优势。他进一步指出，今年是AI的元年，AI 正重塑各行各业，而 FD-SOI 凭借动态体偏置技术、超低漏电特性和强大可靠性，成为人工智能应用的理想选择，能够为智能边缘设备、智能传感器、汽车平台等提供高效解决方案。同时，作为工程衬底领域的全球领导者，Soitec 将通过先进材料创新优化 FD-SOI，助力 AI 时代发展。

下午时段演讲的最后一个环节是由Dolphin Semiconductor 亚洲区销售总监 Ying Zhao 分享《面向可听设备与可穿戴设备的新一代基于 GF 22FDX + 工艺的 IP 核》。

Dolphin Semiconductor是一家超过40年历史的提供半导体IP解决方案的企业，致力于混合信号IP设计，主要面向工业、高性能计算、个人电子产品、物联网和汽车等市场。Ying Zhao 在演讲中介绍了公司针对可听设备与可穿戴设备推出的基于 GF 22FDX + 工艺的新一代 IP 核，展现了 FD-SOI 技术在消费电子领域的创新应用。

在超低功耗的可穿戴听觉的应用中，例如TWS、智能麦克风、助听器OTC设备，就需要更低功耗、低延时的处理器。

Dolphin Semiconductor的GF22FDX+的新一代IP，

框图架构及突出的性能优势

在TWS和OWS上的数据表现。据说产品终端客户的产品开始量产了。

从上图中与现有标准工艺对比看出来，在22FDX+的工艺上，TWS、OWS耳机等终端产品上，有的甚至实现了最高20倍的续航延长！很快就将面市的新一代的创新产品，将实现更长的惊人的续航时间。

圆桌讨论：FD-SOI的设计实现

论坛下午分享环节最终还是进入到了让人激动的第二次的圆桌讨论环节。虽然坚持了艰苦的一天的知识大脑爆，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士仍然坚持亲自上台主持。参与讨论的嘉宾包括清华大学电子工程系教授陈文华、芯原股份执行副总裁汪志伟、Soitec 高级业务发展经理 James Zhang 以及 Dolphin Semiconductor 亚洲区销售总监 Ying Zhao。

圆桌的各位嘉宾围绕 FD-SOI 的设计实现展开深入交流，结合实际案例分享了在 FD-SOI 设计过程中的独特技术例如静态体偏置（Static Body-Bias,SBB) 、自适应偏置（Adaptive Body-Bias ,ABB) 和动态体偏置(Dynamic Body-Bias，DBB)技术，以及相关的设计经验等，如对AI推理要求极高的新一代智能摄像头（CIS+AI）的应用，共同探讨了设计领域面临的难点及解决方案，为现场观众提供了宝贵的实践参考（进一步把现场观众的烧脑推向了极限）。

圆桌现场投票1：FD-SOI在毫米波和太赫兹电路设计中最关键的优势，前两项排名分别是低寄生效应和卓越的射频线性度。

写在最后

第十届上海 FD-SOI 论坛的成功举办，不仅为全球 FD-SOI 领域的专家学者和企业代表提供了一个高质量的交流平台，更是进一步推动了 FD-SOI 技术的创新发展与产业应用。相信在各方的共同努力下，FD-SOI 技术将在更多的边缘AI、AIOT、汽车电子、可穿戴等新兴应用领域绽放光彩，为半导体产业的持续发展注入新动力。(完）