CEA-Leti与Soitec建立了战略合作伙伴关系

CEA-Leti与Soitec建立了战略合作伙伴关系，通过创新性地使用全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术来提高集成电路（IC）的网络安全性。

此次合作旨在通过利用和扩展FD-SOI抵御物理攻击的固有能力，将其确立为安全电子器件的基础平台。

该计划的核心是双方共同努力，通过实验验证并增强FD-SOI的安全优势——从衬底层面到电路设计。该项目旨在提供具体数据、实际演示及路线图指南，以满足汽车、工业物联网、安全基础设施等关键市场日益增长的网络安全需求。

结合专业知识，保卫电子器件的未来

此次合作将利用格芯先进的芯片制造能力，满足嵌入式和网络物理系统对可信元件日益增长的需求，这些系统必须提供安全服务，并能抵御软件和硬件层面的攻击。由于其薄膜架构和沟道隔离，FD-SOI已被证明具有抵御激光故障注入（LFI）攻击的优势，凭借这一优势，该技术为新一代安全集成电路设计奠定了坚实的基础。

此次合作的主要目标包括：

l突出FD-SOI在网络安全方面的现有优势。

l在整个衬底设计堆叠上共同开发创新技术，以增强物理稳健性并满足汽车和其他嵌入式系统的安全要求。

l展示实证安全数据，以加强FD-SOI在SESIP、Common Criteri等认证环境中的可信度。

背景：威胁不断增加，需求不断增长

CEA-Leti首席技术官Jean-René Lequepeys表示：“在互联系统和自动驾驶汽车受到越来越多攻击的时代，对能够抵御物理篡改的嵌入式硬件的需求空前高涨。FD-SOI在性能、能效和抗攻击性方面的独特组合为需要信任和效率的行业提供了理想的解决方案。该项目将充分利用FAMES试产线的研究成果。”

FD-SOI的关键优势包括：

l通过沟道与衬底之间的电气隔离，抵御物理攻击。

l功耗-性能优化，这对汽车电子控制单元、工业传感器等电池受限型应用至关重要。

l支持安全设计，可采取定制的应对措施，例如故障检测与敏感电路域隔离。

长期愿景：迈向新型网络衬底

尽管初始阶段的重点是利用现有的FD-SOI能力，但该项目为长期创新奠定了基础。设想中的新一代网络衬底将通过以下方式扩大FD-SOI的优势：

l增强针对背面物理攻击和侵入式物理攻击的防护。

l用于硬件指纹识别的嵌入式防篡改功能和物理不可克隆功能（PUF）。

l动态响应机制，以检测并应对新出现的威胁。

这项面向未来的工作将同时解决网络和供应链方面的漏洞，使FD-SOI不仅更加安全，而且更加不可或缺。

Soitec负责创新的高级执行副总裁兼首席技术官Christophe Maleville表示：“此次与CEA-Leti的合作体现了我们将FD-SOI确立为安全节能电子器件参考平台的战略雄心。通过将我们的衬底创新能力与CEA-Leti的卓越研究相结合，我们旨在展示FD-SOI在应对当今最紧迫的安全挑战上的全部潜力。我们正共同为新一代可信技术开辟道路，这些技术对未来的互联系统至关重要。”

审核编辑 黄宇