东芝的新型高性能ESD保护二极管 适用于移动设备的高速接口

加利福尼亚州IRVINE。 ， 2016年5月4日/PRNewswire/- 东芝美国电子元件公司（TAEC）*，一家致力于与科技公司合作创造突破性设计的领导者，今天宣布推出四个新的ESD保护二极管：DF2B5M4SL，DF2B6M4SL，DF10G5M4N和DF10G6M4N。新型高性能二极管可屏蔽移动设备免受静电放电和噪声影响，专为智能手机，平板电脑，笔记本电脑和可穿戴设备而设计。

“通过应用采用我们专有的回弹技术的新工艺，这些产品同时具有低电容，低动态电阻和高耐久性，”TAEC业务开发经理 Talayeh Saderi 指出。 “它们非常坚固，应该有助于提高系统可靠性。”

东芝的新型ESD保护二极管通过低动态电阻R DYN =0.5Ω实现了高性能。典型值）。与采用传统ESD保护二极管阵列工艺 * 1 的二极管相比，电阻提高了50％。

在封装方面，DF2B5M4SL和DF2B6M4SL的小型SOD-962（0.62×0.32 mm）封装使其适合高密度安装，而DF10G5M4N和DF10G6M4N的DFN10多位封装则可实现流通布局。

主要特点：

高动态电阻保护性能：
R DYN =0.5Ω （典型值）（与传统工艺产品相比提高了50％）

通过低电容抑制信号质量下降：
C t = 0.2 pF（典型值）@V R = 0 V，f = 1 MHz

高静电放电电压：
V ESD =±20 kV（min）@ IEC61000- 4-2（接触放电）
Level4（约为传统工艺产品的2倍）

低钳位电压：

DF2B5M4SL，DF10G5M4N：V C = 24 V（典型值）@I TLP = 30 A

DF2B6M4SL，DF10G6M4N：V C = 25 V（典型值）@I TLP = 30 A

* 1：DF2B7M2SL（EAP-II工艺产品）

主要规格					（@ T a =25ºC）
零件编号	位数	绝对最大额定值	V RWM max（V）	V BR （V）	V C typ（V ） * 3	R DYN typ。 * 3 @ 8到16 A（Ω）	C t typ。 @ 0 V，1 MHz（pF）	包装
V ESD * 2 （kV）
min/max	@I BR （mA）	@ 16 A	@ 30 A
DF2B5M4SL	1位	±20	3.6	4/6	1	17	24	0.5	0.2	SOD-962
DF10G5M4N	4位	DFN10
DF2B6M4SL	1位	5.5	5.6/8	18	25	SOD-962
DF10G6M4N	4位	DFN10

* 2：@ IEC61000-4-2 （接触放电）* 3：@TLP参数：Z O =50Ω，t p = 100 ns，t r = 300 ps，平均窗口t 1 = 30 ns至t 2 = 60 ns

定价和供货情况

东芝的新型ESD保护二极管现已上市。请联系您当地的东芝销售办事处获取样品。

*关于TAEC

通过久经考验的承诺，持久的关系和先进可靠的电子元件，东芝实现了客户创造市场领先的设计。东芝是全球OEM，ODM，CM，VAR，分销商和无晶圆厂芯片公司产品突破的核心。作为一家忠实的电子元件领导者，东芝设计和制造高质量基于闪存的存储解决方案，固态硬盘（SSD），硬盘驱动器（HDD），固态混合驱动器（SSHD），分立器件，定制SoC/ASIC，成像产品，微控制器，无线组件，移动外围设备，先进材料和医疗管，使当今领先的智能手机，平板电脑，照相机，医疗设备，汽车电子，工业应用，企业解决方案等成为可能。

东芝America Electronic Components，Inc。是Toshiba America，Inc。旗下的独立运营公司，东芝公司是东芝公司的子公司，是日本最大的半导体，固态硬盘和硬盘驱动器制造商，也是全球第七大半导体公司。制造商（Gartner，2015年全球半导体收入，2016年1月）。东芝于1875年在东京成立，是全球网络的核心，拥有超过580家合并公司，在全球拥有超过199,000名员工。