FD-SOI爆发的唯一短板是IP?

在论坛的圆桌论坛环节，FD-SOI产业链大佬们集聚一堂共话FD-SOI未来，当然，大家对FD-SOI未来都很乐观，但是对于FD-SOI工艺真正大爆发稍有异议，Handel Jones认为需要3年左右会有大爆发，他的观点是一年IP ，一年设计，一年制造迎来这个工艺爆发。

不过SOI晶圆主要提供者Soitec CEO Paul Boudre则表示他认为后年1Q左右就可以迎来FD-SOI工艺大爆发，也许他有三星和GF晶圆的forecast所以比较乐观吧，在我会后对Soitec高管的采访中，他们都表示三星相比GF更激进，对晶圆有很大的需求，同时他们也表示，SOI晶圆供应充足，足以应付 即将到来的大爆发。

在私下与本土IC业者的交流中，很多人表示已经在GF或者三星流片基于FD-SOI工艺的芯片，但是在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。

在论坛上的多位专家也谈到FD-SOI工艺的IP问题，怎么办呢？芯原微电子戴伟民博士表示FD-SOI生态系统还需要加快建设，尤其在IP方面，目前芯原和GF、三星联合开发了很多FD-SOI接口，如IMIPI、USB等接口IP，也包括ADC、收发器等模拟产品，还包括PLL甚至温度传感器IP等。“但这是一个过程，FD-SOI联盟都有制定计划，这两年的目标都是完成的。”他表示。

作为FD-SOI工艺最热心的推手之一，戴博士一直希望本土IC公司能利用这个工艺实现差异化突破，他说芯原帮助客户设计的用于汽车自动驾驶的L4 ADAS SoC芯片已经流片，由于采用了FD-SOI工艺，这颗芯片功耗大大降低！

他认为物联网时代本土IC厂商的机会很大，通过FD-SOI工艺可以获得成本性能的竞争优势，“FD-SOI可以集成RF部件，又有低功耗优势，利用这个工艺可以实现完整的物联网方案，大家不一定都要去采用FinFET工艺，可以两条腿走路。”他强调。目前在中国已经形成了FD-SOI完整产业链。

在论坛上，我感觉到大家都还是希望FD-SOI领域出现一只领头羊，尤其在中国（因为中美贸易战的缘故），目前格芯成都12寸厂被大家寄予厚望，这座投资百亿美元的晶圆厂预计2019年将开始量产FD-SOI器件，因此与会者都迫切希望知道这个计划是不是可以如期进行，GF的Morgenstern在演讲中也特别谈到了GF在中国的战略，特别指出GF将于成都紧密合作促进22FDX中国顺利量产！

可以说，随着FD-SOI逐渐被产业接受，目前全球FD-SOI都在看中国，而中国在看GF格芯厂！不过，据老张私下消息，近日就将有关于格芯成都厂的利好消息发布，大家静候佳音！