Globalfoundries提供eMRAM 计划在2020年实现多个流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术，该公司正在与几个客户合作，计划在2020年实现多个流片。

eMRAM将成为物联网，通用MCU，汽车，边缘AI和其他低功耗应用的一种经济高效的选择。

Globalfoundries的eMRAM设计为替代大容量嵌入式NOR闪存（eFlash），使设计人员能够扩展其现有的IoT和MCU单元架构，以获取28nm以下技术节点的功耗和密度优势。

Globalfoundries的eMRAM是一种高度灵活的功能强大的eNVM，已通过了五项严格的实际焊锡回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内支持10万次循环的耐久性和10年的数据保留。

FD-SOI eMRAM工艺支持AEC-Q100 Grade2级认证等级，并且正在进行开发以支持明年的AEC-Q100 Grade1。

Globalfoundries及其设计合作伙伴今天开始提供定制设计套件，这些套件具有可插入的，经过硅验证的MRAM，存储空间从4到48M，并提供MRAM内置自测支持选项。