意法半导体携手三星推出18nm FD-SOI工艺，支持嵌入式相变存储器
3 月 21 日，全球著名半导体公司意法半导体携手韩国科技巨头三星共同发布，18nm FD-SOI 工艺正式落地，该技术将集成嵌入式相变存储器（EPCM）。
据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
值得注意的是，尽管制程仅为 18nm，但此项工艺依然保证了各种模拟功能如电源管理及复位系统在 3V 电压环境中正常运行。另外在耐热性、防辐射性能方面都有出色表现，适用于各类严苛的工业领域。
按照计划，首批基于该工艺平台开发的 STM32 MCU 将在下半年投放到选定客户群，预计 2025 年下半年进入大规模生产阶段。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
mcu
+关注
关注
147文章
18605浏览量
387011 -
存储器
+关注
关注
39文章
7714浏览量
170850 -
半导体技术
+关注
关注
3文章
243浏览量
61691
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
意法半导体Page EEPROM打破数据存储的玻璃天花板
EEPROM是一项成熟的非易失性存储（NVM）技术，其特性对当今尖端应用的发展具有非常重要的意义。意法半导体（ST）是全球EEPROM芯片知名厂商和
芯原亮相第十届上海FD-SOI论坛
2025年9月25日，第十届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店圆满举办。本次论坛由芯原股份 (简称“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主办，SEMI中国和SOI国际产业联盟协办。超过300位来自衬底
格罗方德亮相第十届上海FD-SOI论坛
为期两天的第十届上海FD-SOI论坛上周圆满落幕。作为半导体行业年度技术盛会，本次论坛汇聚了全球半导体领域的顶尖专家、企业高管及学术代表，围绕 FD-SOI
第十届上海 FD-SOI 论坛二：FD-SOI 的设计实现，深耕边缘AI技术落地
第十届上海 FD-SOI 论坛 2025 年 9 月 15 日 下午的专题二环节 ， 继续 聚焦 FD-SOI 的设计实现， 来自多家全球半导体领导公司的 专家 、 国内大学 学者和企业代表
第十届上海 FD-SOI 论坛：探寻在边缘AI的优势与商机
半导体领域的顶尖专家、企业高管及学术代表，围绕 FD-SOI （全耗尽绝缘体上硅）工艺的技术优势、发展趋势、设计实现等核心议题展开深入探讨，为推动 FD-SOI 技术在边缘 AI 、智
意法半导体新型Stellar微控制器：开启软件定义汽车新时代
Stellar微控制器内置的新一代可改变存储配置的xMemory技术，基于意法半导体专有的相变
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
方式来改进电容器表现，但稳定性尚未达到预期水平，很可能会拖慢 1c nm 进度。
半导体业内人士表示，“从三星电子的角度来看，剩下的任务是稳定搭载在HBM上的DRAM以及封装技术。”
发表于 04-18 10:52
意法半导体ST推出带有可改变存储配置存储器的Stellar车规微控制器解决方案，确保满足下一代汽车的未来需求
开发创新应用，包括更多需要大容量内存的人工智能应用。 ◆ xMemory基于意法半导体专有相变存储器（PCM）技术，2025年底投产。
意法半导体推出250W MasterGaN参考设计
为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓（GaN）电源（PSU）的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装（SiP）的谐振转换
ST汽车MCU：FD-SOI+PCM相变存储
)和三星的合作，它已经在微控制器领域找到了自己的出路。早在2018年，意法半导体就宣布，它正在为汽车市场提供采用28
Quobly与意法半导体建立战略合作, 加快量子处理器制造进程，实现大型量子计算解决方案
此次合作将借助意法半导体的28nm FD-SOI商用量产半导体制造
工商网监
评论