电子芯闻早报：Exynos 8995或采用10nm工艺 魅蓝E跑分配置曝光

　　手机处理器市场除了高通和联发科两巨头，三星也在奋力追赶，消息显示Exynos 8995将采用10nm FinFET工艺，最高速度达4GHz。昨日最高人民检察院在官方微博发布消息，对中国电信集团原董事长常小兵立案侦查。搭载VR相机的卫星明年升空，今日魅族要发布的魅蓝E跑分和配置已经曝光，让我们先睹为快。

　　早报时间

　　半导体

　　1、三星下一代Exynos 8895处理器或采用10nm工艺

　　根据国内消息来源表示，三星电子正在测试其下一代手机处理器 Exynos 8995，采用10纳米FinFET工艺，最高速度可达到4GHz，其功耗和传闻当中的高通骁龙830相同，据称高通骁龙830处理器最高工作频率只有 3.6GHz。换句话说，三星接下来的Exynos芯片或提供了极大的电源效率。

　　预计三星明年Galaxy S8智能手机有可能是第一个采用Exynos 8995处理器的产品。不过，目前来看，迁移到10nm制造工艺，仍然非常棘手。英特尔本来准备今年作出这样的转变，然而计划已经延期，并推出了权宜产 品，显示10nm工艺比预期更困难。同样的事情有可能在移动芯片产业发生。所以10nm处理器绝对不可能成为明年的主打产品。

　　其次，行业才刚刚出货和使用14nm 芯片，高通骁龙820和821处理器是首批采用这一工艺的产品，在理论上还有改进的余地，所以不大可能迅速推出采用下一代制造工艺的产品。

　　2、最高检对中国电信集团原董事长常小兵立案侦查

　　8月9日，最高人民检察院在官方微博发布消息：日前，最高人民检察院经审查决定，依法对中国电信集团公司原党组书记、董事长常小兵以涉嫌受贿罪立案侦查并采取强制措施。案件侦查工作正在进行中。

　　2015年12月，中央纪委监察部网站消息，中国联合网络通信集团有限公司原党组书记、董事长，现中国电信集团公司党组书记、董事长常小兵涉嫌严重违纪，目前正接受组织调查。

　　2015年12月30日，中国电信董事会宣布，常小兵已辞去公司执行董事、董事长兼CEO职务。

　　据了解，常小兵被调查仅仅距离上任中国电信才4个月之久，因此和电信相关性很小。在常小兵之前，张智江、宗新华被免职调查，熊昱也被举报调查，中国联通8名厅级干部也被查出存在以权谋私的问题。

　　资料显示，常小兵 1957年3月出生，1975年3月参加工作，中共党员，教授级高级工程师。1982年毕业于南京邮电学院电信工程系，获得工学学士学位；2001年获得清华大学工商管理硕士学位；2005年获得香港理工大学工商管理博士学位。

　　历任：南京市电信局副局长，中国邮电电信总局副局长，信息产业部电信管理局副局长、局长，中国电信集团公司副总经理、党组副书记，中国联合通信有限公司董事长、党组书记。中国联合网络通信集团有限公司董事长、党组书记。2015年8月任中国电信集团公司董事长、党组书记。

　　3、三大芯片制造商打算在2016下半年增加资本支出

　　根据市场研究机构IC Insights的最新报告，尽管半导体产业景况不佳，三大芯片制造商包括英特尔（Intel）、三星（Samsung）与台积电（TSMC）仍打算在 2016下半年增加资本支出；该机构指出，该三大芯片制造商2016下半年资本支出估计总共为200亿美元，较上半年增加90%。

　　IC Insights表示，这三家公司需要在今年稍后提高支出，才能达成全年度的资本支出目标：“相对于资本支出前三大业者，其余半导体供应商下半年的资本支 出将会比上半年减少16%；整体看来，2016下半年半导体产业资本支出较上半年增加20%以上，意味着半导体设备供应商在下半年将经历一段忙碌的周 期。”

　　而大厂提升资本支出，可能也将进一步拉大它们与其他较小型竞争对手之间的技术差距；目前三星、英特尔与台积电，为市场上仅有的、宣布计划在接下来几年量产10纳米节点制程，以及采用极紫外光（EUV）微影技术的半导体制造商。

　　IC Insights估计，三家大厂2016年度的资本支出金额总和，将占据整体半导体产业资本支出金额的45%；而预期今年半导体产业资本支出总金额与去年相较将成长3%，2015年半导体产业资本支出总额则是衰退了2%。

　　随着众多芯片厂商转向采取“轻晶圆厂”业务模式，以及无晶圆厂IC产业持续兴旺，晶圆代工业者厂成为半导体资本支出主力；在2008年，晶圆代工业者对整体 资本支出的贡献度为12%左右，而该数字在2016年估计会达到34%。资本支出排名第二大的半导体业者则为快闪记忆体制造商，估计2016年资本支出占 据整体半导体产业支出的16% （共157亿美元）。