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光刻可制造性检查如何检测掩模版质量

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用于后端光刻的新型无掩模技术分析

从 2D 扩展到异构集成和 3D 封装对于提高半导体器件性能变得越来越重要。近年来,先进封装技术的复杂性和可变性都在增加,以支持更广泛的设备和应用。在本文中,我们研究了传统光刻方法在先进封装中的局限性,并评估了一种用于后端光刻的新型无掩模曝光。
2022-07-26 10:42:121098

移相掩模技术不同的分类方法

光刻图形质量的主要判据是图形成像的对比度,移相掩模方法可使对比度得到改善,从而使得其分辨率比传统方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分类方法可分为多种类型,其基本原理均为相邻透光图形透过的光振幅相位相反而产生相消干涉,振幅零点和(或)频谱分布压窄,从而改善对比度、分辦率和成像质量
2022-10-17 14:54:091490

什么是极紫外光刻 极紫外光刻优势介绍

掩模版的缺陷的光学检测极为困难。通常,光学检测可以获得表面缺陷和相缺陷引起的所有转印缺陷,但是由于 EUV 的多层掩模结构,使得这些缺陷被埋在多层薄膜的下面。
2022-10-24 10:48:045456

掩膜版行业基本概述

掩膜版(Photomask)又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等,是微电子制造过程中的图形转移工具或母版,是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体。
2023-01-09 10:52:072581

***的简易工作原理图 掩模版都有哪些种类?

光刻掩模版,别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形,实现对光线的遮挡或透过功能,是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。
2023-02-13 09:27:292086

EUV光刻工艺制造技术主要有哪些难题?

掩模可以被认为是芯片的模板。光掩模用电子束图案化并放置在光刻工具内。然后,光掩模可以吸收或散射光子,或允许它们穿过晶圆。这就是在晶圆上创建图案的原因。
2023-03-03 10:10:321129

音圈电机模组在主流光刻掩模台系统中的应用

一样。像上文提及的EUV光刻机则是用于生产芯片的光刻机,此外还有封装芯片的光刻机以及用于LED制造领域的投影光刻机。 近几年,我国本土企业在光刻机的研制方面正一步一个脚印地稳步前进,拿上海微电子装备股份有限公司来说,近几年,其先
2023-04-06 08:56:49679

浅谈EUV光刻中的光刻胶和掩模等材料挑战

新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发,必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战,imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121165

EUV光刻的无名英雄

晶圆厂通常使用光刻胶来图案化抗蚀刻硬掩模,然后依靠硬掩模来保护晶圆。但是,如果光刻胶太薄,它可能会在第一个转移步骤完成之前被侵蚀掉。随着光刻胶厚度的减小,底层厚度也应该减小。
2023-04-27 16:25:00689

全面解读光刻胶工艺制造流程

光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。依据使用场景,这里的待加工基片可以是集成电路材料,显示面板材料或者印刷电路板。
2023-05-11 16:10:492775

***详解

光刻(Photolithography) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
2023-05-17 09:30:338513

乐趣探索不一样的计算光刻

之前的小讲堂有介绍过,光刻过程就好比用照相机拍照,将掩模版上的芯片设计版图曝光到晶圆上,从而制造出微小的电路结构。ASML光刻机的镜片组使用极其精密的加工手段制造,使得最终像差被控制在納米级别,才能稳定地通过曝光印刷微电路。
2023-05-25 10:13:28497

一文解析EUV掩模版缺陷分类、检测、补偿

光刻机需要采用全反射光学元件,掩模需要采用反射式结构。 这些需求带来的是EUV光刻掩模制造领域的颠覆性技术。EUV光刻掩模制造面临着许多挑战,包括掩模基底的低热膨胀材料的开发、零缺陷衬底抛光、多层膜缺陷检查、多层膜缺陷修复等。
2023-06-07 10:45:541012

EUV光刻市场高速增长,复合年增长率21.8%

EUV掩膜,也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜,对于极紫外光刻(EUVL)这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术,用于制造具有更小特征尺寸和增强性能的下一代半导体器件。
2023-08-07 15:55:02399

考虑光刻中厚掩模效应的边界层模型

短波长透明光学元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波长,而晶片上所需的最小特征继续向更深的亚波长尺度收缩。这对用入射场代替掩模开口上的场的基尔霍夫边界条件造成了严重的限制,因为这种近似无法考虑光刻图像
2023-08-25 17:21:43279

半导体制造光刻原理、工艺流程

光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一,是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成,是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应,经曝光、显影等光刻工艺,将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2023-10-09 14:34:491674

龙图光罩科创板IPO获批,募投项目技术和经济可行性是关键 

龙图光罩拥有130nm及以上节点的半导体掩模版制备顶尖技术,覆盖 CAM、光刻检测全流程。在功率半导体掩模版领域,其工艺节点已能充分满足全球主流制程的需求。
2023-12-18 09:41:15273

光刻工艺的基本步骤 ***的整体结构图

光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中,k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度,ASML认为其物理极限在0.25,k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326

龙图光罩:致力于高端半导体掩模版国产化的先锋

2020年-2023年上半年,应用于功率半导体领域的掩模版是龙图光罩最主要的收入来源,且营收和营收占比呈现逐年递增的趋势。龙图光罩指出,在功率半导体掩模版领域,公司的工艺节点已覆盖全球功率半导体主流制程的需求。
2024-01-12 10:18:06325

解析光刻芯片掩模的核心作用与设计

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用,是一类不可或缺的晶圆制造材料,在芯片封装(构筑芯片的外壳和与外部的连接)、平板显示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷电路板、微机电器件等用到光刻技术的领域也都能见到各种掩模的身影。
2024-01-18 10:25:22146

光刻胶和光刻机的区别

光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料,可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18402

浅谈不同阶段光刻机工作方式

在曝光过程中,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝光次数的增加,会引起掩模版光刻胶膜层损坏、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788

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