近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:11
1114 通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
开关频率（高达 100kHz）支持以最低的电流纹波驱动低电感电机带有集成型栅极驱动器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可减小 PCB 外形尺寸并降低布局复杂度极速开关转换（小于
2018-10-31 17:33:14
设计包括谐振回路、主要和次要开关以及磁元。IC 设置参数则包括编程开关频率、软启动时间和死机时间等，它还包括电流感应和过流保护。一、UCC25600引脚功能二、UCC25600内部方框图三、UCC25600极限参数四、UCC25600典型应用电路
2021-05-14 07:03:36
国际整流器公司推出坚固型600 V三相栅极驱动器IC，主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱动等在内的高、中和低压电机驱动应用。
2016-06-21 18:20:36
使用两个半桥驱动芯片组成H桥驱动电路驱动电机开关门，目前发现存在半桥驱动芯片IR2103S损坏的情况，而且损坏是该芯片的5脚无法输出高低电平，但7脚仍能输出PWM波，不知道是什么情况，另外这个自举电容我看之前版本用的10uF钽电容，需要用这么大容量的电容吗？会不会电容放电损坏了芯片呢？
2018-12-18 14:36:20
半桥驱动器IR2103和IR2101S有什么区别吗？可以代替IR2001S吗？
2017-04-28 11:10:05
IR21094采用14脚封装。驱动级工作电压600V，栅极驱动电压10-20V，前级最高工作电压25V。
2021-04-14 08:05:22
IR2109采用8脚封装。驱动级工作电压600V，栅极驱动电压10-20V，前级最高工作电压25V。
2021-04-16 06:12:23
光耦合隔离器不会产生这种情况。为缓冲器供电的最直观的方法，是为半桥的每一个浮动区域提供专用的隔离式DC-DC转换器。对于多引脚系统，低端栅极驱动器可以共享一个电压源，只要有足够的电流输出即可，如图2中
2018-10-16 13:52:11
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
如果控制侧涉及到人的活动，那么高功率侧和低电压控制电路之间需要电流隔离。它能防范高压侧的任何故障，因为尽管有元件损坏或失效，隔离栅仍会阻止电力到达用户。图6.采用ADuM4121隔离式栅极驱动器的半桥
2021-07-09 07:00:00
。同时，隔离代表着发生故障时高压部分与控制电路可靠隔离，从而可以进行人为接触。隔离式栅极驱动器的Viso（隔离耐压等级）通常为5kV（rms）/min或更高。抗扰度恶劣的工业环境要求其中的应用对干扰源具有
2021-11-11 07:00:00
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
驱动器UCC277144A，600V 高侧及低侧驱动器15ns，15ns支持UCC27524A5A，高速低侧双驱动器7ns，6ns支持UCC27211A4A，120V 高侧及低侧驱动器7.2ns
2019-08-07 04:45:12
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
输入（保护）2.9V18Hgd驱动器高侧半桥驱动204V9DT保护控制1.2V19BOOT高侧驱动器电源212V10ENl使能输入10.5V20[/td][td=105](520101)
2021-05-21 06:21:03
电路、休眠模式、故障报告和一个比较器。单电源支持广泛的8-V至60-V范围，使其非常适合电机驱动应用。 功能框图 特性描述 输出级 DRV8313包含三个半桥驱动程序。所有三个半
2020-07-10 14:23:52
、无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。EG12521 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 4V～20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN
2022-09-09 16:21:19
及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。EG2106 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V～20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个
2022-09-13 13:22:59
FAN73832 是一款半桥、栅极驱动 IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
。 先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V 时高达 VS=-9.8 V（典型值）。UVLO 电路可防止VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时发生故障。 输入驱动器的源泉电流
2021-12-20 09:19:25
能力和最低交叉传导。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15 V 时高达 VS
2022-01-18 10:43:31
描述：FAN7631 是一款用于高效半桥谐振转换器的脉冲频率调制控制器，包含一个高端栅极驱动电路、一个精密电流控制振荡器和各种保护功能。FAN7631功能包括多种死区时间、高达600kHz的高工
2021-09-17 01:03:04
请教各位大侠，我想实现28.5KHz的pwm波经半桥到MOS管输出，后面的负载为LC选频谐振电路，产生一个峰峰值在400~600V的正玄波。用Multisim仿真是可以达到目的，但是实际电路中发现IR2104的HO脚输出的波形异常，不知怎么回事。拜托！！
2018-11-27 12:13:15
概述：IR2111是International Rectifier公司生产的一款半桥驱动器，它为双列直插或贴片8脚封装。驱动电压10-20V，电流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA/300mA的驱动电流。它有三个互相独立的高边和低边输出通路以及全保护功能。此外还有一个用于PFC 或 Brake IGBT驱动的低边驱动器
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26:25
■ 产品概述LN4318 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的 250V高压三相栅极驱动器，具有三路独立的高低边输出，可以用来驱动半桥电路中的高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。半桥/全桥转换器同步降压、升降压拓扑电子烟、无线充 MOSFET 驱动器电源电压工作范围为 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
MOSFET栅极驱动器LTC44411资料下载内容包括：LTC4441-1功能和特点LTC4441-1引脚功能LTC4441-1内部方框图LTC4441-1典型应用电路LTC4441-1电气参数
2021-03-24 07:13:00
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
确保高压侧电源开关的正确驱动。驱动器使用2个独立输入。特性：高压范围：高达600 VdV/dt抗扰度±50 V/nsec栅极驱动电源范围为10 V至20 V高和低驱动输出输出源/汇电流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
NXP(恩智浦半导体)推出的UBA2025功率IC，适用于5～25w的节能紧凑型荧光灯(CFL)电子镇流器。UBA2025芯片集成了电流控制振荡器(CCO)、控制电路和半桥驱动器及两个600V、≤3
2021-04-27 06:06:01
许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以展现
2018-07-03 16:33:25
全桥驱动器IR2110资料下载内容包括：IR2110引脚功能IR2110内部方框图IR2110典型应用电路
2021-03-23 07:16:30
全桥控制器驱动器S1786引脚功能介绍
2021-03-29 07:10:58
变形的半桥式变换器电路图对于高压输入，大功率输出的情况下，一般采用如图所示的电路方式。在电路中，开关器件V1、V2为一组，V3、V4为一组，双双串联，可减少单管耐压值。在实际应用电路中开关器件V
2009-10-24 09:32:22
电平转换所需要的电荷（对于600V的半桥驱动器，该参数通常为5nC） 系统可靠性设计 由于直流电机是感性负载，因此当Q1关断时，负载的电流不能突变，会转换到由Q2的续流二极管进行续流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
来设置单极或双极 PWM 栅极驱动器延迟时间短，上升和下降时间短提供用于驱动半桥的信号和电源反激式恒定导通时间，无需环路补偿可以在 24V±20% 范围内宽松调节输入此电路设计经过测试并包含测试结果
2018-12-21 11:39:19
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
Brian Kennedy许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细
2018-10-23 11:49:22
隔离式半桥栅极驱动器可用于许多应用，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，探索隔离式半桥栅极
2018-10-16 16:00:23
许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以
2018-09-26 09:57:10
软启动保护和掉电保护 带高压线电压保护 600V 轨兼容的高侧栅极驱动器 -0.3A/0.8A 高侧和低侧门极驱动 封装形式：SOP16L2. 描述EG6599 是一款专用于谐振半桥拓扑结构的双端
2022-09-15 13:50:21
FD6288T&Q 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动 MOSFET 设计，可在高达+250V 电压下工作。FD6288T&Q 内置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
/ dt共模瞬变干扰能力，使其能够防止耗能的杂散开关操作。这些器件内置1700V电气隔离功能，可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉
2018-08-06 14:37:25
FAN7382MX 是一款单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
每个半桥的参数设置、晶体管的独立或协调控制以及诊断监控。图3：使用从MCU到DRV8718-Q1汽车栅极驱动器的菊花链配置控制16个半桥统一控制可减少 MCU 的工作量。只需一条命令，MCU 即可启用
2022-11-03 07:05:16
描述该无刷直流 (BLDC) 电机参考设计通过使用后跟分立式绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 半桥的 UCC27712-Q1 高侧和低侧栅极驱动器来控制汽车 HVAC（暖通空调）压缩机。该
2018-10-22 10:13:29
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33
L6390，用于工业应用的高压半桥栅极驱动器。三相功率级三L6390半桥栅极驱动器之一的应用电路
2019-07-08 12:28:25
Portfolio系统，跨越12v 到80v 的范围往往需要一个司机与较高的供应额定值，支持高功率18v 钻头和80v 割草机。虽然选择合适的集成三相无刷直流电机驱动器是有限的，一套有能力的100伏半桥可以
2022-04-14 14:43:07
驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半桥驱动器的套路吗？最近看电瓶车控制器里的驱动模块没有类似半桥驱动器的芯片，应该是自己搭建的，网上看了看也没有类似的东西，来请教一下
2017-01-14 18:03:50
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
这是做半桥驱动开关电源的部分电路，有部分电路不太懂，请大神指点？1、图中通过电流互感器采集回来经过D2.D8整流后，再经过后面这些电阻到DSP,这些电阻作用是什么？2、Z2、Z9作用是什么？3、DSP的131415引脚分别采集什么量，在什么要这样采集？4、图中围起来的电路是干嘛用的？
2017-11-20 13:27:34
。－就像您前面说明的，区别只在于4引脚封装通过设置驱动器源极引脚，消除了LSOURCE的影响，因此它们的开关特性区别只在于LSOURCE的有无所带来的影响？可不可以这样理解？基本上是这样。当然，也有一些应该
2020-07-01 13:52:06
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
EVAL-CN0196-EB1Z，H桥驱动器评估板，采用隔离式半桥驱动器。 CN0196是由高功率开关MOSFET组成的H桥，其由低压逻辑信号控制。该电路在逻辑信号和高功率电桥之间提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
与 3.3V 或 5V 数字控制器接口。其副边驱动器可接收高达 30V 的电源。图 4 显示了 MP18851 的典型应用电路。图4: MP18851典型应用电路MP18871MP18871 为隔离式半桥栅极
2022-09-30 14:05:41
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
概述：IRS2526DS是一款镇流器控制电路，它采用8引脚SO-8封装，搭载以50%工作周期及可变频率运行的600V半桥控制电路，可驱动共振模式电灯输出电路。高精度的振荡器由单一模拟到频率转换输入引脚控制。
2021-04-12 06:04:29
讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器？考虑一个具有微控制器的数字逻辑系统，其I/O引脚之一上可以输出一个0 V至5 V的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通，因为其过驱电压一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。如此，请大神分析下面两种方式：
2018-08-29 15:33:40
驱动器IC的物理尺寸以及隔离栅上引脚之间的最小距离有关。除安全原因外，隔离对于系统正常运行也可能是必不可少的。图6显示了电机驱动电路中常用的半桥拓扑结构，给定时间只有一个开关导通。在高功率侧，低端
2018-10-25 10:22:56
6显示了ADuM4121栅极驱动器的典型设置，其结合功率MOSFET使用，采用半桥配置，适合电源和电机驱动应用。在这种设置中，如果Q1和Q2同时导通，有可能因为电源和接地引脚短路而发生直通。这可
2018-11-01 11:35:35
，低侧FET导通并开始通过其通道导通。相同的原理适用于通常在DC / DC电源和电动机驱动设计中发现的其它同步半桥配置。负责高速接通的一个重要的栅极驱动器参数是导通传播延迟。这是在栅极驱动器的输入端
2019-03-08 06:45:10
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-20 15:04:53
TF2183(4)M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道
2023-02-27 17:04:43
TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压过程使TF2103M高侧切换到600V的引导操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2104M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够在引导操作中切换到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一种高压、高速的栅极驱动器，能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高压过程使TF2304M的高侧能够在引导操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2136M是一种三相栅极驱动器IC，设计用于高压、高速应用，驱动半桥配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半导体的高压工艺使TF2136M高侧能够在引导操作中切
2023-07-04 10:46:50
深圳市三佛科技有限公司供应SA2601矽塔科技600V单相半桥栅极驱动芯片SOP8，原装现货 半桥栅极动心片.半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件(例如电力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC
美国国际整流器公司（IR）上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 带 600V半桥栅极驱动器的镇流器控制IC 应用：照明 IR2153 IR53H420 IR64HD420 IR2156 IR21571 IR21592 IR21593 IR2166 IR2167
2011-02-09 09:28:47
29 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC，适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
2011-10-21 09:45:211669 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 三相驱动器（如三相600V单芯片栅极驱动器STDRIVE601）的易用性、可用性和经济性是这一发展的主要原因所在。STDRIVE601具有稳健性、简单性和节省成本的特点，同时可确保系统受保护并提供安全功能。
2020-12-24 17:51:54694 WD0412具有耐压600V，高低边悬浮隔离，输入输出同框，电源输入范围10V-20V，信号输入电平3.3V、5V、15V兼容，交叉传导预防逻辑，输出传输延时匹配，内置欠压保护、高低边死区时间，避免同时导通等特点。
2022-05-11 11:13:081182 
ROHM拥有超过220款机型的电机驱动器IC，包括有刷直流电机、步进电机、单相无刷直流电机、三相无刷直流电机（包括高电压）。其中三相无刷直流电机驱动器约有20款可承受250V和600V高电压的高耐压
2023-02-09 10:19:171817 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 供应ID7U603SEC-R1 600V半桥MOS栅极驱动IC，提供ID7U603规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:11:044
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WD0412
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