Limited (AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台,旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15665 二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。 二极管MUR3040WTG特性 超快恢复时间35~60ns 工作结温175℃ 标准TO-247封装 600V高电压
2020-09-24 16:19:53
海飞乐技术有限公司是一家以快速恢复二极管(FRD)、快恢复模块、超结MOSFET等新型功率半导体芯片及器件的设计、生产和销售为主营业务的高科技企业。公司快恢复二极管/模块产品广泛应用于变频空调
2019-10-24 14:25:15
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性,并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性,并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
快恢复二极管
2011-12-23 16:54:50
快恢复二极管HFD3060H(可完全替换DSEC30-06A),电压600V,电流30A,快恢复时间短(20ns),开关速度快,降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率,在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01
快恢复二极管DPG60C400HB,电压400V,电流60A, TO-247封装。使用平面钝化芯片,开关特性好,恢复时间快,低开关损耗,软恢复特性。应用于开关电源、不间断电源(UPS)、低电压
2020-09-24 16:17:13
快恢复二极管FMD4206S,电压600V,电流20A,快恢复时间50ns,TO-3PF封装。开关速度快,低损耗。低漏电流。适用于高频整流的低损耗电源用二极管。常应用于CCM方式PFC;白色家电
2020-09-24 16:11:08
快恢复二极管HFD8060P(可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C),电压600V,电流80A,超快恢复时间,低漏电流,高浪涌特性,开关特性好,低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45
快恢复二极管与普通整流二级管最大的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢复二极管的反向恢复时间是如何定义的呢?下面来给大家普及一下基础知识:快恢复二极管反向恢复时间(trr)的定义:电流
2017-02-10 17:51:37
快恢复二极管与普通整流二级管最大的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢复二极管的反向恢复时间是如何定义的呢?下面来给大家普及一下基础知识:快恢复二极管反向恢复时间(trr)的定义:电流
2021-08-13 17:15:07
承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。整流二极管整流二极管是一种将交流电能转变为直流电
2023-02-17 14:08:01
整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。1、快恢复二极管在继电器方面的应用如下图,在继电器两端并联一个UF4007,它的反向重复峰值电压1000V、正向浪涌电流30A。继电器线圈是可以储存能量的,一旦线圈
2023-02-16 14:56:38
整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。1、快恢复二极管在继电器方面的应用如下图,在继电器两端并联一个UF4007,它的反向重复峰值电压1000V、正向浪涌电流30A。继电器线圈是可以储存能量的,一旦线圈
2023-02-20 15:22:29
客户简单讲解一下。肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件,其特长是开关速度非常快,反向恢复时间可以小到几个纳秒,正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流
2015-10-19 11:26:11
、6.2V稳压二极管代换。3.开关二极管的代换开关二极管损坏后,应用同型号的开关二极管更换或用与其主要参数相同的其它型号的开关二极管来代换。高速开关二极管可以代换普通开关二极管,反向击穿电压高的开关二极管可以代换反向击穿电压低的开关二极管。快恢复二极管规格书下载:
2021-07-07 14:58:27
由于电路电流信号频率较高,二极管速度跟不上。你测得是电流有效值,应该是直流的吧,可能信号中有高频成分,电流峰值远远超过你测出的2A,这样就导致二极管峰值功率特别高,管子很烫。 快恢复二极管加载过热处理办法,一般情况下会建议您使用超快恢复二极管。快恢复二极管规格书下载:
2022-03-31 16:57:33
,电流峰值远远超过你测出的2A,这样就导致二极管峰值功率特别高,管子很烫。快恢复二极管加载过热处理办法,一般情况下会建议您使用超快恢复二极管。快恢复二极管规格书下载:
2021-06-29 13:49:58
,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超
2018-07-16 15:12:36
0.4V左右,而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作,电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。快恢复二极管规格书下载:
2022-03-31 10:04:12
二极管或阻尼二极管使用。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元件,高频电路中的限幅、嵌位等。快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,...
2021-11-12 06:34:53
二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较...
2021-09-09 06:52:46
正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小
2015-11-27 17:55:42
在业余条件下,可以利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以兆欧表,还能测量反向击穿电压。下面让辰达电子带你认识一下如何检测快恢复
2021-06-25 17:46:42
电子元件都是有正负极的,那么MDD快恢复二极管的正负极是怎样的呢?我们在安装快恢复二极管的时候不免都有这种疑问,要正确了解到MDD快恢复二极管的特征才能正确快速的安。 一般情况下,我们都是使用万能表
2020-09-18 17:02:52
快恢复二极管资料下载内容主要介绍了:快恢复二极管的作用与结构常用的快恢复二极管
2021-04-19 06:56:15
是普通二极管甚至快恢复二极管和超快恢复二极管所不具备的,特别适用于低电压、大电流的高频整流场合(如计算机开关电源中的+5V、+3.3V整流),它的缺点是反向耐压较低,一般不超过200V(不过2004年
2021-05-14 08:11:44
什么是超快恢复二极管?’既然那么多的朋友都有关注到这个问题,那么我们今天就来为大家浅谈一下超快恢复二极管。揭开它神秘的面纱。 超快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管,常用
2016-04-20 14:38:22
,如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。 通过采用独特的掺铂 (Pt) 工艺,ASEMI解决了这个问题并推出了超快恢复二极管。超快恢复二极管
2021-10-25 17:34:10
为二极管工作的上限频率。由于二极管与PN结相同,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结电容的大小。如果超过这个值。单向导电性会受到影响。 以上就是关于ASEMI快恢复二极管
2021-07-24 13:48:34
编辑-ZMURF860AC参数描述型号:MURF860AC封装:ITO-220AC特性:快恢复二极管电性参数:8A600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):8A芯片个数:1正向电压(VF
2021-09-15 16:43:21
:ITO-220AC特性:超快恢复二极管电性参数:8A,600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):8A芯片个数:1正向电压(VF):1.5V芯片尺寸:86 MIL浪涌电流Ifsm:125A漏电流(Ir
2021-09-01 15:56:11
编辑-ZASEMI快恢复二极管SFP3006和瞬态二极管一样吗?超快恢复管SFP3006是指二极管工作时电子空穴的恢复速度,一般工作在正像偏置,常用于开关电源整流等高频信号应用。瞬态二极管 (TVS
2021-11-15 16:22:58
电流可以通过PN结。只有当正向电压达到一定值(这个值称为“阈值电压”,锗管在0.2V左右,硅管在0.6V左右)时,快恢复二极管才能真正导通。但是快恢复二极管的开启压降是恒定的吗?它与正向扩散电流有
2021-07-30 14:33:17
物体内部与加热电流相反的方向,便会产生对应的很大电涡流。 说到高频设备,就不得不提超快恢复二极管MUR2060AC,主要原因是MUR2060AC这个配件是高频设备部件的重要组成部分,也是电器设备的高频化
2021-11-17 16:12:54
编辑-ZMURF1640CT参数描述型号:MURF1640CT封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:16A 400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):16A芯片个数:2正向电压
2021-09-17 17:08:43
编辑-ZSF58参数描述型号:SF58封装:DO-27特性:小电流、直插超快恢复二极管电性参数:5A600V芯片材质:GPP正向电流(Io):5A芯片个数:1正向电压(VF):1.70V浪涌电流
2021-09-25 16:33:05
,如果使用普通管会严重影响电路的运行速度,最终导致电路特性变差。 SFP6006参数描述型号:SFP6006封装:TO-247特性:超快恢复二极管电性参数:60A,600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流
2021-09-10 16:13:18
的功能。 SFF1604参数描述型号:SFF1604封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:16A,400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):16A芯片个数:2正向电压(VF
2021-09-02 16:13:11
编辑-ZSFF2006这类二极管的优点是反向恢复时间短、开关特性好、体积小,因此广泛应用于脉宽调制器、不间断电源、开关电源、变频器等电路中。SFF2006快恢复二极管的作用是高频大电流整流或续流
2021-11-29 16:16:50
DPG80C400HB快恢复二极管,电流80A,电压400V,快恢复时间45ns,标准TO-247封装。软恢复特性,反向恢复时间短,改善热性能,可靠性高。可应用于整流器,开关电源等。 快恢复
2020-09-24 16:14:45
ES1J超快恢复二极管和ES1D超快恢复二极管的区别是什么?
2023-03-09 17:35:00
漏电流(Ir):5uA工作温度:-55~+150℃恢复时间(Trr):500ns引线数量:2 快恢复二极管FR107的性能参数介于肖特基二极管和普通整流二极管之间。FR107兼有肖特基二极管导通电压降低
2021-09-07 16:05:24
*NXP(PHILIPS)半导体系列快恢复二极管 BYC8-600 : Rectifier diode 
2009-10-09 13:50:33
、高浪涌容量、超快恢复时间,高电压等特性。 以上就是关于MUR1660AC-ASEMI超快恢复二极管MUR1660AC的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年
2021-11-17 16:11:23
能力,高浪涌容量,超快恢复时间,高电压等特性。 以上就是关于MUR2060AC-ASEMI超快恢复二极管MUR2060AC的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12
2021-11-30 16:30:19
:TO-252特性:贴片快恢复二极管电性参数:5A 600V正向电流(Io):5A正向电压(VF):1.5V浪涌电流Ifsm:60A漏电流(Ir):10uA工作温度:-55~+150℃反向恢复时间(Trr
2021-12-06 15:59:13
电荷小,快恢复二极管MUR860D的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压)较高。 MUR860D参数描述型号:MUR860D封装:TO-252特性:贴片快恢复二极管电性参数:8A 600V正向
2021-12-07 16:12:41
。 MURF1040CT参数描述型号:MURF1040CT封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:10A 400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):10A芯片个数:2正向电压(VF
2021-09-17 17:07:27
1.3V,其中有3条引线。 MURF1640CT参数描述型号:MURF1640CT封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:16A 400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):16A芯片个数
2021-09-03 16:18:50
条引线。 MURF860AC参数描述型号:MURF860AC封装:ITO-220AC特性:快恢复二极管电性参数:8A600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):8A芯片个数:1正向电压(VF
2021-09-01 16:02:03
。 SF58参数描述型号:SF58封装:DO-27特性:小电流、直插超快恢复二极管电性参数:5A600V芯片材质:GPP正向电流(Io):5A芯片个数:1正向电压(VF):1.70V浪涌电流Ifsm
2021-12-08 16:12:59
型号:SF58封装:DO-27特性:小电流、直插超快恢复二极管电性参数:5A600V芯片材质:GPP正向电流(Io):5A芯片个数:1正向电压(VF):1.70V浪涌电流Ifsm:125A漏电流(Ir
2021-09-10 16:14:19
型号:SFF1604封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:16A,400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):16A芯片个数:2正向电压(VF):1.3V芯片尺寸:98 MIL浪涌
2021-09-16 17:20:59
。 SFF2004参数描述型号:SFF2004封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:20A,400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):20A芯片个数:2正向电压(VF):1.3V
2021-09-02 16:15:09
、外延芯片结构等特性。 以上就是关于SFF2006-ASEMI超快恢复二极管SFF2006的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC
2021-11-15 16:26:42
编辑-ZSFF3006在ITO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是120MIL,是一款高压大电流超快恢复二极管。SFF3006的浪涌电流Ifsm为300A,漏电流(Ir)为10uA,其工作
2021-11-16 16:24:01
型号:SFF806A封装:ITO-220AC特性:超快恢复二极管电性参数:8A,600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):8A芯片个数:1正向电压(VF):1.5V芯片尺寸:86 MIL浪涌电流
2021-09-15 16:42:02
)为35nS,其中有3条引线。 SFP3006参数描述型号:SFP3006封装:TO-247特性:大功率快恢复二极管电性参数:30A,600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):30A芯片个数:2
2021-11-29 16:14:51
型号:SFP6006封装:TO-247特性:超快恢复二极管电性参数:60A,600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):60A芯片个数:2正向电压(VF):1.5V芯片尺寸:140 MIL浪涌电流Ifsm
2021-09-25 16:31:27
STTH80S06/RURG8060快恢复二极管,电流80A,电压600V,TO-247封装。超快开关,低反向电流,低热阻,低开关和导通损耗。产品适用于开关电源和太阳能逆变器。由于它的低正向压降
2020-09-24 15:59:11
STTH8R06FP-ASEMI快恢复二极管可以用来做整流二极管吗?-Z
2021-05-28 14:47:32
,MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管,因而存在反向恢复现象,其特性表现为反向恢复时间(trr)。下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比较
2018-11-27 16:40:24
恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能
2019-03-11 11:24:39
在开关电源二次侧的输出整流电路中,一般选用反向恢复时闷较短的整流二极管,常用的主要有快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管。 快恢复二极管和超快恢复二极管广泛用于PWM脉宽调制器、开关电源
2020-10-29 08:50:49
三相超快恢复二极管整流桥开关模块的结构及特点是什么?三相超快恢复二极管整流桥开关模块的主要技术参数及应用有哪些?
2021-06-08 08:09:38
MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好? MURF1040CT参数描述型号:MURF1040CT封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:10A 400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):10A
2021-09-03 16:17:05
二极管,即阴阳极分别为N和P型半导体。物理结构决定了两者的电特性。1.肖特基二极管耐压较低,通常在200V以下,同等耐压,相同电流下,肖特基二极管的正向压降低于快恢复二极管。2.肖特基二极管载流子只有电子
2018-11-01 15:26:11
(FRD),更高的超快恢复二极管(SRD),开关二极管,最快的是肖特基管(其原理不同于以上几个二极管) 快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM
2021-06-30 13:51:20
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超结MOSFET: 3/5 A、600V 内置快速恢复二极管N沟道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 从这两项技术
2018-11-20 10:52:44
快恢复二极管电路容易击穿是常见的问题,当快恢复二极管电路出现击穿现象的时候应该怎么去做呢? 快恢复二极管电路中,击穿是因为耐压值不够高所致,烧毁是因为额定电流小所致。建议替换成耐压值较高,额定电流
2021-01-27 14:11:38
` 一、超快恢复肖特基二极管的检测 用万用表检测快恢复、超快恢复肖特基二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用RX1K挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为4.5KΩ左右,反向
2018-12-05 11:54:21
(16A400V)只能做一下几种封装:TO-220的铁封和塑封、TO-252。Type封装所属分类MUR1640FCTITO-220AB快恢复二极管MUR1640CTTO-220AB快恢复二极管
2016-12-14 11:45:54
过热烧毁。四、快恢复二极管规格型号不符。更换新二极管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误,造成二极管管击穿损坏。五、电路板短路,用蒸汽清洁的电路板后,没有晾干,由水造成电路短路故障而造成的。请在用蒸汽清洁后,再用压缩空气吹一遍再检测应该可以避免这种损坏。快恢复二极管规格书下载:
2021-05-13 17:27:00
编辑-ZSFF2004参数描述型号:SFF2004封装:ITO-220AB特性:超快恢复二极管电性参数:20A,400V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):20A芯片个数:2正向电压(VF
2021-09-16 17:22:26
参数描述型号:D92-02封装:TO-247/3P特性:超快恢复二极管电性参数:20A,200V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):20A芯片个数:2正向电压(VF):0.85V芯片尺寸:110
2021-09-09 16:34:24
),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为
2019-06-12 02:34:10
资料价格:1产品种类: 快恢复二极管制造商: IXYS RoHS: 符合RoHS 数量:9500 描述Diode Array 2 Independent Standard 600V 30A
2019-04-18 18:09:17
` 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V
2019-01-08 13:56:57
),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(0.5-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。 前者
2016-04-19 14:29:35
,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复
2015-11-27 18:02:58
请问肖特基二极管和快恢复二极管在运用上有什么区别?谢谢!
2010-04-21 16:03:33
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管
2020-11-26 17:31:19
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管
2021-11-16 17:02:37
)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超
2021-09-09 15:19:01
我发现现在大家在选型这个二极管的时候,一般都是采用那种快恢复的二极管,有些场合明明不需要高速的快恢复二极管,但是大家也一样的采用了,看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了?
2019-05-16 00:12:23
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
ES5J 超快恢复二极管 原厂直销,欢迎咨询洽谈订购!产品类型:超快恢复二极管封装形式:SMC(DO-214AB)反向电压(最大值):600V正向电流(最大值):5A压降(VF):1.7V最大反向恢复时间:35ns工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-09-16 14:18:03
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