前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用，新器件可提供2A和3A的正向电流和高
2012-11-22 09:11:46
1355 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改进型TO-247封装的汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢复二极管。
2013-01-10 11:21:351672 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器，其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件，采用SMB封装的3A和4A器件，以及采用SMC封装的4A和5A器件。
2013-06-06 12:36:211312 Vishay Intertechnology宣布，推出6颗新的1A和2A电流的FRED Pt® 超快恢复整流器---VS-1EFH01HM3、VS-1EFH01-M3、VS-2EFH01HM3
2015-07-07 11:47:491072 第五代精简指令集计算机RISC-V你了解多少？
2020-03-01 12:09:269371 
反向恢复过程： 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程 。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 试想一下，如果二极管的反向恢复时间长，那就
2022-12-10 17:06:3820942 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向恢复电压和75ns的快速反向恢复
2012-04-18 11:05:172507 Vishay宣布，推出eSMP®系列SMP （DO-220AA）封装八款新型100 V和200 V器件，扩充其FRED Pt®超快恢复整流器阵容，包括业内额定电流首度达到2 A的器件。
2019-06-13 16:23:581944 FRED产品是一种为优化整流器性能而设计的超快恢复产品，拥有较低的正向压降和极低的恢复时间，现有的产品分布在200V~600V，5A~20A，具有多种封装类型。
2020-08-14 14:50:171676 整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装，X型为Hyperfast超高速恢复整流器，H型为Ultrafast超快恢复整流器。
2021-04-01 09:16:082324 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出15款采用SOT-227小型封装的新型 FRED Pt ® 第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器
2022-09-13 14:33:211092 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型FRED Pt® 第五代600
2022-10-11 13:51:481071 
— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2
2023-06-26 15:19:16782 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
时，二极管或整流器在二极管阻断反向电流之前需要首先释放存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。即从正向导通电流为0时到进入完全截止状态的时间。反向恢复过程，实际上是由电荷存储
2019-12-03 10:16:05
整流二极管的反向恢复过程
2021-01-08 06:22:44
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保护器是符合AEC-Q101标准的浪涌保护器，适用于汽车应用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封装，设有双路
2021-01-27 10:11:12
1概述嵌入式系统要在5G时代中蓬勃发展，就需要针对5G特点，进行有针对性的应用于创新。1.15G的特点第五代移动通信技术的特点主要在：（1）高速率，5G网络的下载速度高达10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
SiC-SBD与Si-PND（FRD）相比，trr高速且反向恢复电流也显著减少，因此损耗也小。・SiC-SBD的反向恢复特性（trr和反向恢复电流）基本上没有温度依赖性。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSi-PNDSi-FRD
2018-11-29 14:34:32
坚固的高压外围 工作温度：-40°C至+175°C 无或低至可忽略的反向恢复特性 开关行为与温度无关 低VF 符合ECOPACK®2标准 二、应用 AC/DC电源功率因数校正 太阳能逆变器升压或降压稳压器 SMPS 电机控制三相逆变器 混合动力汽车 UPS
2020-06-30 16:26:30
据我所知，第五代capsense相比第四代将电容（包括自电容+互电容技术）和电感触摸技术集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同时功耗仅是上一代的十分之一。但是这张图在感应模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
AEC-Q101认证的车规级TVS管SM8ZXXA/CA系列，产品系列齐全，以满足不同标准要求的客户需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽车标准AEC-Q101认证；[size
2019-03-28 10:45:32
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
，开关损耗降低了24%符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比ROHM官网免费提供应用指南和SPICE模型等丰富的设计数据TO-247N封装（TO-263L表贴型
2022-07-27 10:27:04
PV Inverter（电机） 等在产品阵容中，拥有符合AEC-Q101标准的支持车载应用的产品，在全球已经被EV及HEV的板上充电控制电路所采用，并已拥有丰硕的市场业绩。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSi二极管Si-FRD
2018-12-04 10:26:52
快恢复二极管HFD3060H（可完全替换DSEC30-06A），电压600V，电流30A，快恢复时间短（20ns），开关速度快，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率，在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01
为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器
2021-05-14 14:12:50
快恢复二极管HFD8060P（可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C），电压600V，电流80A，超快恢复时间，低漏电流，高浪涌特性，开关特性好，低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45
已经上传了驱动部分的原理图，我刚进一个做MOS的公司，有个客户是这样的，他说我们的管子温度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比较大，反向恢复损耗比较高，有什么办法可以降低吗，让MOS的温度的降下来
2019-09-11 04:23:31
在我的上一篇博文中，我介绍了体二极管反向恢复。今天，我们来看一看在一个真实电路中测量反向恢复的方法。测量一个同步降压转换器中的反向恢复不太容易。电流探头太大，并且会大幅增加功率级环路中的电感。而且
2018-09-03 15:17:37
汇佳第五代25-29寸彩色电视机电路图，汇佳第五代25-29寸彩电图纸，汇佳第五代25-29寸原理图。
2009-05-25 11:46:05
235 iPod nano(第五代)功能指南手册
2009-12-10 15:37:08110 iPod 功能指南(第五代)
2010-01-13 14:40:2258 IGBT/FWD功率损耗模拟系统 （英文，含第五代U系列IGBT）
2010-07-20 09:10:20113 Vishay推出6款用于消费电子应用的FRED Pt超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降，在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns，在125℃下的典型泄漏电流低
2010-05-31 14:57:481831 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器。
2011-04-01 09:36:431012 Vishay Intertechnology宣布，发布34款采用6种功率封装的新型600 V FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121606 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:334115 美国高通公司（Qualcomm）今天宣布将推出第五代Gobi参考平台，该移动平台尝试使用单一芯片支持世界移动领域的三大标准。虽然Gobi平台并不能出现在iPad 3上，但却为将来的iOS设备、超薄
2012-02-22 10:07:19830 FRED Pt®超快恢复整流器。这些整流器具有超快和软恢复特性、低泄漏电流和低正向压降，通过AEC-Q101认证，在汽车和电信应用里可减少开关损耗和功耗。
2014-04-28 14:29:291416 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4个采用的小尺寸、低外形SMF （DO-219AB） eSMP®系列封装的新型1A FRED Pt®超快恢复整流器。
2014-08-18 16:36:272123 
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款通过AEC-Q101认证
2015-02-11 11:59:291340 FRED Pt® Gen 4 Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。
2015-06-02 15:10:531320 第五代增强型STC自动烧录器资料包。
2016-03-22 14:31:048 系列现已符合AEC-Q101资格，证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格，意味着汽车原始设备制造商（OEM）以及一级和其他供应商能够在各种车载应用中使用这款产品。
2017-06-19 10:20:29979 这些200V器件有汽车级和商用/工业版本，高度小于1mm，可实现最高8A的单阴极结构 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的200V FRED Pt
2018-04-06 11:15:004655 ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-13 18:30:571897 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-29 15:15:505922 AECQ101主要对汽车分立器件，元器件标准规范要求，AECQ101认证将会是汽车级半导体企业的首选。AEC-Q101认证包含了离散半导体元件（如晶体管，二极管等）最低应力测试要求的定义和参考测试条件，目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819 – 现已通过AEC-Q101汽车级认证。Qspeed硅二极管采用混合PIN技术，可在软开关和低反向恢复电荷（Qrr）之间提供独特的平衡。该特性有助于降低EMI和输出噪声，这对于车载音响系统特别重要。
2019-09-16 10:23:003615 全新推出的第五代、车载显示系列新品已经跟大家见过面了，并在上一篇推文中，触想小编已经详细解析过五代新品的由来。 今天，小编就继续跟大家聊一聊，关于第五代新品，你们关心的一个核心问题： 第五代新品有哪些最为显著的优势？ 与前几代产
2020-11-24 15:51:452134 多方消息指出，苹果最快3月发布第五代iPad Pro。
2021-01-12 17:23:244205 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 推出 10 款符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用的新型 FRED Pt 600 V 第五代 Hyperfast 和 Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors
2021-11-05 15:35:362730 
wifi技术标准第四代是第四代移动通信技术的意思，第五代就是第五代移动通信技术，那么这两代之间有什么区别呢？
2022-01-01 16:43:0041537 Nexperia（安世半导体）的恢复整流器可以提供高功率密度，同时还能带来最小的反向恢复时间和功率损耗。非常适用于汽车、工业和消费市场中的高效开关和功率转换应用。
2022-07-08 13:16:071437 
Vishay 推出四款新型 TO-244 封装第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色导通和开关损耗特性，能有效提高中频功率转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。
2022-08-25 17:33:112026 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封装的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢复整流器。
2022-09-16 10:52:201897 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢复整流器。
2022-10-14 16:11:242241 Vishay 推出两款新型第七代 1200 V FRED Pt Hyperfast 恢复整流器。 两款 1 A 整流器采用 SMA（DO-214AC）封装，反向恢复电荷（Q rr ）和正向压降达到同类器件
2023-01-19 17:20:051811 
200 V、5 A 超快恢复整流器-PNE20050EP-Q
2023-02-07 20:16:110 650 V、1 A 超快恢复整流器-PNU65010EP-Q
2023-02-07 20:32:140 650 V、1 A 超快恢复整流器-PNU65010ER-Q
2023-02-08 19:06:120 AEC-Q101标准的SiGe整流器提供扩展的安全工作区域，在175°C以下不会发生热失控，特别适合高环境温度的应用。
2023-02-09 09:37:381265 
ROHM新开发的“RGS系列”是满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的1200V耐压IGBT。此次推出的4款型号，传导损耗非常低，非常有助于应用的小型化与高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
200 V、10 A 超快恢复整流器-PNE200100EPE-Q
2023-02-09 18:55:490 200 V、8 A 超快恢复整流器-PNE20080EPE-Q
2023-02-09 18:56:240 200 V、4 A 超快恢复整流器-PNE20040EPE-Q
2023-02-09 18:56:500 200 V、6 A 超快恢复整流器-PNE20060EPE-Q
2023-02-09 19:29:080 200 V、1 A 超快恢复整流器-PNE20010EXD-Q
2023-02-09 21:47:141 反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力，直到反向恢复电流衰减为零。
2023-02-23 15:50:308887 
Semiware推出符合AEC-Q101认证的车规级TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防护产品系列齐全，以满足高标准的客户需求.
2021-12-08 11:41:131463 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢复整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3、2 A
2023-06-21 17:25:002256 
森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值，可降低正向导通损耗；少子器件零反向恢复，在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗，同时又减少了EMI干扰，可大大提升整机效率，整体损耗的减少也带来更小
2023-06-26 17:10:261623 
Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面贴装沟槽式 MOS 势垒肖特基（TMBS）整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A 封装。VxNL63
2023-07-07 10:24:591883 
AEC-Q101标准之TC解读TC(TemperatureCycling)高温循环测试意义在于证实极高温度，极低温度和高温与低温交替作用时，机械应力对于器件焊接性能的作用，标准AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504153 
电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 器件损坏。为了保护二极管不受反向击穿的影响，可以使用二极管反向恢复电路。 二极管反向恢复电路是一种用于减小反向恢复电流的电路，通常由二极管和电感器构成。当二极管处于正向导通状态时，电感器存储了能量；当二极管从导
2023-12-18 11:23:574138 据悉，第五代超级电池既继承前四代智能电池的优势，又在重要技术升级中取得突破，包括能量密度和放电倍率等指标。相较于第四代智能电池，第五代超级电池能量密度显著提升 20%。
2024-02-22 14:14:252151 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:081686 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 雷卯解析AEC-Q101与AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253 
二极管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中扮演着至关重要的角色。然而，在二极管的实际应用中，反向恢复损耗是一个不容忽视的问题。本文将对二极管的反向恢复损耗进行详细探讨，包括其定义、产生机理、计算方法以及降低损耗的措施等方面。
2024-10-12 16:53:545157 MOSFET、同步 Buck 变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管，其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率 MOSFET 的体二极管的反向恢复的特性较差，导致二极管的开关损耗增加，降低系统的效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率 MOSFET 的安全工作
2025-01-03 10:36:292014 
整流二极管是电力电子领域中不可或缺的元件之一，其性能直接影响到电源的效率和可靠性。反向恢复时间（trr）作为整流二极管的关键参数之一，对二极管的工作性能有着显著的影响。 1. 反向恢复时间的定义
2025-01-15 09:32:411894 在电子电路中，二极管是一种基本的半导体器件，用于整流、稳压、信号调制等多种应用。二极管的反向恢复时间是衡量其在高频开关应用中性能的关键参数。 一、反向恢复时间的定义 当二极管从正向导通状态突然变为
2025-02-07 09:34:432585 MDD快恢复整流器因其极短的反向恢复时间和较小的反向恢复电流，被广泛应用于PFC电路、开关电源、逆变器和新能源汽车电控系统中。在某些特殊应用场景中，为了满足更高的电流输出能力或更高的耐压要求，工程师
2025-06-25 10:31:08516 
在电动车控制器中，功率器件的稳定性与效率直接影响整车的性能与可靠性。其中，快恢复整流器因其反向恢复时间短、切换损耗低等特点，广泛应用于PFC（功率因数校正）、逆变器、DC-DC转换以及电机驱动等环节
2025-06-26 09:54:16546 
新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越
2025-06-26 17:07:332034 
在高频开关电源、电焊机、电动工具和PFC电路中，MDD快恢复整流器因其恢复时间短、反向恢复电荷小的特性，成为工程师优先考虑的整流器件。然而，快恢复整流器并非“无懈可击”，在实际应用中仍然存在诸如过热
2025-06-27 10:00:43525 
Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗，导通电
2025-09-18 18:19:141110 Vishay Semicductors VS-E7MH0112-M3 1A FRED Pt® 超快整流器的设计优化了正向压降性能，实现了超快恢复时间。该器件的平面结构和掺铂寿命控制确保了最佳的整体性
2025-11-14 15:29:49309 
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和极快整流器将低导通和低开关损耗完美结合在一起。该整流器设计用于提高高频转换器和软开关或谐振设计的效率。Gen 5 600V超快和极快整流器与采用SOT-227封装的铜基板隔离，有助于构建常见散热片和紧凑型组件。
2025-11-14 17:12:221224 
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