前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用，新器件可提供2A和3A的正向电流和高
2012-11-22 09:11:46
1053 Vishay推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改进型TO-247封装的汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢复二极管。
2013-01-10 11:21:351332 
在40kHz以上的应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动力汽车、电焊机、服务器和连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）中的开关损耗。根据用户需求设计的“U”系列可用于频率最高为40kHz的应用，具有低得多的正向压降，可优化导通损耗。
2013-05-31 10:33:25706 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器，其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件，采用SMB封装的3A和4A器件，以及采用SMC封装的4A和5A器件。
2013-06-06 12:36:211081 Vishay Intertechnology宣布，推出6颗新的1A和2A电流的FRED Pt® 超快恢复整流器---VS-1EFH01HM3、VS-1EFH01-M3、VS-2EFH01HM3
2015-07-07 11:47:49735 昨日下午，微软在北京举办发布会，正式推出第五代小冰，微软这款主打EQ（情商）的聊天机器人进入完成态。
2017-08-23 09:55:081787 新整流器的潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准的1级，LF最高峰值为+260℃。器件符合RoHS，无卤素，非常适合自动贴片，适应汽车系统里自动光学检测（AOI）。
2018-03-21 16:08:2010373 在导通数据中，原本2，742µJ的开关损耗变为1，690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从2，039µJ降至1，462µJ，损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47:44949 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向恢复电压和75ns的快速反向恢复
2012-04-18 11:05:17781 Vishay宣布，推出eSMP®系列SMP （DO-220AA）封装八款新型100 V和200 V器件，扩充其FRED Pt®超快恢复整流器阵容，包括业内额定电流首度达到2 A的器件。
2019-06-13 16:23:581371 FRED产品是一种为优化整流器性能而设计的超快恢复产品，拥有较低的正向压降和极低的恢复时间，现有的产品分布在200V~600V，5A~20A，具有多种封装类型。
2020-08-14 14:50:17945 整流器采用TO-220AC和TO-247AD封装，X型为Hyperfast超高速恢复整流器，H型为Ultrafast超快恢复整流器。
2021-04-01 09:16:081529 
Trench肖特基整流器能够实现超快的开关速度，既能减少整流器的开关损耗，又减少了同一换向单元中MOSFET产生的损耗（此种配置通常用于异步开关模式功率转换器）。
2021-05-10 09:16:301033 15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率。
2021-11-03 14:16:301051 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型FRED Pt® 第五代600
2022-10-11 13:51:48521 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-26 15:19:16373 
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 编辑
新五代的密码哦
2015-09-12 12:17:58
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1，通过过程中的MOSFET开关损耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
、遥测和无人值守。 开关整流器是电源系统中最重要的部分，它的技术是否先进，关系着开关电源系统的功能和可靠性。因此，一些自主开发的厂商很注重开关整流器技术性能的改进，其目的是使开关整流器的可靠性和效率得到很大提高，使其成本和高频电磁干扰降低。`
2014-08-07 10:45:24
的过渡过程分段转化成矩形和三角形面积，利用式(3)可以计算出这个损耗。 分析输出整流器的开关损耗则要复杂得多。整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。 开通期间，过渡过程是由整流管的正向恢复特性
2020-08-27 08:07:20
的过渡过程分段转化成矩形和三角形面积，利用式（3）可以计算出这个损耗。 分析输出整流器的开关损耗则要复杂得多。整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。 开通期间，过渡过程是由整流管的正向
2023-03-16 16:37:04
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-29 07:10:32
（快速恢复二极管）相结合的IGBT功率模块应用广泛。IGBT模块存在IGBT的尾电流和FRD的恢复电流导致开关损耗大的课题，而SiC-MOSFET和SiC-SBD组成的“全SiC”模块则可显著降低开关损耗
2018-12-04 10:14:32
1概述嵌入式系统要在5G时代中蓬勃发展，就需要针对5G特点，进行有针对性的应用于创新。1.15G的特点第五代移动通信技术的特点主要在：（1）高速率，5G网络的下载速度高达10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
和三角形面积，利用式(3)可以计算出这个损耗。分析输出整流器的开关损耗则要复杂得多。整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。开通期间，过渡过程是由整流管的正向恢复特性决定的。正向恢复
2019-09-23 08:00:00
，实施成本低且性能可靠。然而，二极管桥式整流器的导通损耗是不可避免的，且这将不支持车辆向AC电网提供电能的双向运行。采用多通道交错式传统升压转换器，对升压电路进行多次迭代，可改善某些系统性能参数，但并不能
2022-05-30 10:01:52
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
-请问各位专家，我是个电源新手，刚开始接触MOS管。现在又些问题，开关损耗主要是导通和关断这两个过程，其它损耗可忽略吗？
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
滤波电感。有了电容滤波器，LLC转换器还可以使用额定电压较低的整流器，从而降低系统成本。此外，次级侧整流器可实现零电流转换，大大减少了反向恢复损耗。利用LLC拓扑结构的各项优势，可进一步提高效率，降低输出整流器的损耗。
2019-08-07 08:10:47
管的吸收电容在开关状态下引起的尖峰电流反射到原边回路上，引起的开关损耗。另外还有吸收电路上的电阻充放电引起的损耗。当然还有整流管上的开关损耗、导通损耗和反向恢复损耗，这应该在允许的情况下尽量选择导通压降低
2019-10-09 08:00:00
上，引起的开关损耗。另外还有吸收电路上的电阻充放电引起的损耗。改善方法：在其他指标允许的前提下尽量降低吸收电容的容值，降低吸收电阻的阻值。当然还有整流管上的开关损耗、导通损耗和反向恢复损耗，这应该在允许的情况下尽量选择导通压降低和反向恢复时间短的二极管。10、输出反馈电路的损耗
2021-04-09 14:18:40
和三角形面积，利用式(3)可以计算出这个损耗。分析输出整流器的开关损耗则要复杂得多。整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。开通期间，过渡过程是由整流管的正向恢复特性决定的。正向恢复
2019-09-02 08:00:00
（典型值）的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42% 。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值） ，比GT50JR22降低了大约43
2023-03-09 16:39:58
是基于技术规格书中的规格值的比较，Eon为开关导通损耗，Eoff为开关关断损耗、Err为恢复损耗。全SiC功率模块的Eon和Eoff都显著低于IGBT，至于Err，由于几乎没有Irr而极其微小。结论是开关损耗
2018-11-27 16:37:30
：RGWxx65C系列的亮点＞使用SiC SBD作为续流二极管的Hybrid IGBT650V耐压，IC(100℃) 30A/40A/50A有3种可选通过使用SiC SBD，显著降低了导通时的开关损耗用于xEV车载
2022-07-27 10:27:04
，使用下面公式计算： 五、开关损耗分析插件高端示波器通常亦集成了开关损耗分析插件，由于导通状态电压测量不准确，所以导通状态的计算公式是可以修改的，主要有三种：●UI，U和I均为测量值●I2R，I为测量
2021-11-18 07:00:00
开关条件得以改善，降低硬开关的开关损耗和开关噪声，从而 提高了电路的效率。 图1 理想状态下软开关和硬开关波形比较图软开关包括软开通和软关断两个过程： 理想的软开通过程是：开关器件两端的电压先下
2019-08-27 07:00:00
的影响更明显。（3）降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压同时提高跨导，也可以提高开关速度，降低开关损耗。但过低的阈值电压会使MOSFET容易受到干扰误导通，而跨导和工艺有关。
2017-03-06 15:19:01
完全开通，只有导通电阻产生的导通损耗，没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段，电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。同时，t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD（快速恢复二极管）的trr比较。恢复的时间trr很短，二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01:07
求一个五电平整流器
2021-10-04 09:42:29
就要降低。芯片选型的时候，选择芯片工作在轻载和空载情况下会跳频（即降低空载和轻载的工作频率），MOS管要选用低栅荷的，从而降低损耗。 整流管D1损耗包括开关损耗，反向恢复损耗，导通损耗。整流管选型
2023-03-20 16:59:01
求一种使可控硅整流器导通的方法。既然可控硅整流器的特点：是“一触即发”。那么，又用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢？
2021-04-09 06:27:26
和三角形面积，利用式(3)可以计算出这个损耗。 分析输出整流器的开关损耗则要复杂得多。整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。 开通期间，过渡过程是由整流管的正向恢复特性决定的。正向恢复
2020-08-07 08:06:08
矩形和三角形面积，利用式(3)可以计算出这个损耗。分析输出整流器的开关损耗则要复杂得多。整流器自身固有的特性在局部电路内会引发很多问题。开通期间，过渡过程是由整流管的正向恢复特性决定的。正向恢复
2020-08-04 08:00:00
电镀整流器可分为可控硅电源（俗称硅整流）和高频开关整流器（亦称开关电源）两种。
2019-09-18 09:10:26
欢迎回到直流/直流转换器数据表系列。鉴于在上一篇文章中我介绍了系统效率方面的内容，在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：VDS和ID曲线随时间变化
2018-08-30 15:47:38
的阻值。当然还有整流管上的开关损耗、导通损耗和反向恢复损耗，这应该在允许的情况下尽量选择导通压降低和反向恢复时间短的二极管。输出反馈电路的损耗
2021-05-18 06:00:00
稳压器进入非连续导通模式。在此模式下，该设备仍保持开关频率。在每一个周期，功率仍在集成电路（IC）内部消散。因此，即使导通损耗在轻负载时并非一个因素，但由于一直存在开关损耗，设备的效率会受到影响。并且
2018-06-05 09:39:43
请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路
2020-07-01 13:52:06
汇佳第五代25-29寸彩色电视机电路图，汇佳第五代25-29寸彩电图纸，汇佳第五代25-29寸原理图。
2009-05-25 11:46:05
234 iPod nano(第五代)功能指南手册
2009-12-10 15:37:08110 IGBT/FWD功率损耗模拟系统 （英文，含第五代U系列IGBT）
2010-07-20 09:10:20113 Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28745 Vishay推出PowerBridge封装单列直插桥式整流器
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）今天宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的额定电
2009-12-29 09:24:04817 Vishay推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器
Vishay Intertechnology日前宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的额定电流高达30～45A，最大峰
2010-01-06 10:45:07742 
Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 Vishay推出6款用于消费电子应用的FRED Pt超快恢复整流器。新的600V、8A器件在额定电流下具有1V的超低典型压降，在硬开关条件下的快速恢复时间只有16ns，在125℃下的典型泄漏电流低
2010-05-31 14:57:481425 Vishay 宣布对其使用Trench MOS势垒肖特基技术的TMBS®整流器产品组合进行大幅扩充。Vishay今天共发布采用4种封装类型、电流等级从10A至60A的20款45V器件
2011-03-21 11:09:171029 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器。
2011-04-01 09:36:43783 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封装的新款单相直排桥式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351400 Vishay Intertechnology宣布，发布34款采用6种功率封装的新型600 V FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 FRED Pt®超快恢复整流器。这些整流器具有超快和软恢复特性、低泄漏电流和低正向压降，通过AEC-Q101认证，在汽车和电信应用里可减少开关损耗和功耗。
2014-04-28 14:29:291068 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4个采用的小尺寸、低外形SMF （DO-219AB） eSMP®系列封装的新型1A FRED Pt®超快恢复整流器。
2014-08-18 16:36:271718 
2015 年 1 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出六款采用小尺寸、超薄、表面贴装SMF（DO-219AB） eSMP® 封装的新款整流器。
2015-01-09 11:48:17817 ，电压100V至600V的新款标准整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。
2015-02-11 11:59:291083 这些Vishay Semiconductors整流器具有极快和软恢复热性、低漏电流和低正向压降，在汽车、照明和通信应用里可减少开关损耗和过热情况，同时为TO-263（D2PAK）封装提供了低高度的替代产品。
2015-04-29 17:09:57526 FRED Pt® Gen 4 Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。
2015-06-02 15:10:531010 第五代增强型STC自动烧录器资料包。
2016-03-22 14:31:048 这些200V器件有汽车级和商用/工业版本，高度小于1mm，可实现最高8A的单阴极结构 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的200V FRED Pt
2018-04-06 11:15:004106 来源：新华网 9月15日，第五代途胜全球首发亮相，全球网友通过云直播、借助CG（特效动画）、AR（增强现实）等新技术全方位地了解这款全新车型。 目前，途胜系列车型全球累计销量超过700万辆，在中国
2020-09-17 16:02:381640 年全新推出的第五代、车载显示系列新品已经跟大家见过面了，并在上一篇推文中，触想小编已经详细解析过五代新品的由来。 今天，小编就继续跟大家聊一聊，关于第五代新品，你们关心的一个核心问题： 第五代新品有哪些最为显著的优势？ 与前几代产
2020-11-24 15:51:451494 多方消息指出，苹果最快3月发布第五代iPad Pro。
2021-01-12 17:23:243196 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572155 一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-22 10:51:0611 推出 10 款符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用的新型 FRED Pt 600 V 第五代 Hyperfast 和 Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors
2021-11-05 15:35:361798 
wifi技术标准第四代是第四代移动通信技术的意思，第五代就是第五代移动通信技术，那么这两代之间有什么区别呢？
2022-01-01 16:43:0032519 Vishay 推出四款新型 TO-244 封装第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色导通和开关损耗特性，能有效提高中频功率转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。
2022-08-25 17:33:11945 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封装的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢复整流器。
2022-09-16 10:52:20737 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢复整流器。
2022-10-14 16:11:241101 Vishay FRED Pt Hyperfast 恢复整流器 1 A 整流器适用于工业和汽车应用 Q rr 低至 150 nC VF 为 1.10 V 同时降低寄生电容并提高 E rec
2023-01-19 17:20:05735 
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22676 
上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗：见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49624 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢复整流器，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN3820A封装。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00525 
电子发烧友网站提供《同步整流器可降低LLC谐振电源的传导损耗.pdf》资料免费下载
2023-07-26 10:40:300 使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
超快恢复整流二极管（Ultrafast Recovery Diode）是一种具有更快恢复时间的特殊二极管。它的作用在于降低开关电源、电流整流以及频率较高的电路中的功耗和损耗。
2024-02-01 18:25:39915 据悉，第五代超级电池既继承前四代智能电池的优势，又在重要技术升级中取得突破，包括能量密度和放电倍率等指标。相较于第四代智能电池，第五代超级电池能量密度显著提升 20%。
2024-02-22 14:14:25220 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08356 
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14106
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